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优化清除等离子淀积设备电极上淀积物的方法
1
作者
顾致民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期46-49,共4页
在等离子淀积设备上常采用等离子腐蚀的方法来清除淀积在电极平板上的反应生成物。本文主要介绍如何优化这一等离子腐蚀过程。
关键词
等离子
刻蚀
设备
电极平板
淀积物
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下载PDF
职称材料
题名
优化清除等离子淀积设备电极上淀积物的方法
1
作者
顾致民
机构
上海飞利浦半导体公司技术质量部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期46-49,共4页
文摘
在等离子淀积设备上常采用等离子腐蚀的方法来清除淀积在电极平板上的反应生成物。本文主要介绍如何优化这一等离子腐蚀过程。
关键词
等离子
刻蚀
设备
电极平板
淀积物
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
优化清除等离子淀积设备电极上淀积物的方法
顾致民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992
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