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题名低压4T-PPD有源像素的设计与测试
被引量：2
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作者
徐文静
陈杰(指导)
旷章曲
周莉
陈鸣
张成彬
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机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
上海韦尔半导体股份有限公司
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期247-255,共9页
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基金
国家重点研发计划(No.2019YFB2204304)。
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文摘
针对应用于物联网及人工智能等领域的CMOS图像传感器功耗受限于传统高压四管钳位光电二极管(Four Transistors Pinned Photodiode,4T-PPD)有源像素的问题,设计了低压4T-PPD有源像素。首先,基于热扩散、自诱导漂移及边缘场漂移理论,分析了PPD内部电荷转移机制的理论。其次,基于理论分析提出了用五指形像素层取代传统方形像素层,以解决低压PPD内部电荷不完全转移引起的图像拖尾。CMOS图像传感器采用0.11μm 1P3M标准CMOS工艺流片,测试结果表明:设计的五指形4T-PPD有源像素在低压1.5 V下,与传统方形像素相比残余电荷下降了80%,满阱容量为4928e^(-),动态范围可达67.3 dB,随机噪声仅为1.55e^(-)_(rms),性能指标可与传统高压4T-PPD有源像素相比拟。
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关键词
CMOS图像传感器
4T有源像素
电荷转移
图像拖尾
低功耗
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Keywords
CMOS image sensor
4T active pixel
Charge transfer
Image lag
Low power
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分类号
TN202
[电子电信—物理电子学]
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题名薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器研究
被引量：3
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作者
廖俊杰
冯耀刚
万蔡辛
蔡春华
秦明
张志强
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机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
上海韦尔半导体股份有限公司
华东师范大学上海市多维度信息处理重点实验室
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第11期1669-1680,共12页
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基金
国家自然科学基金项目(61604039)
至善青年学者支持计划项目(2242019R40030)。
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文摘
薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器具有小尺寸、高频、宽频带、高功率容量等特点,符合5G通信系统对射频滤波器的要求,因而成为射频滤波器的研究热点。对FBAR滤波器的结构原理、电路拓扑形式、关键材料和空腔结构方案四个方面进行了综合阐述与研究。首先介绍了FBAR的基本结构、描述了其工作原理,并指出用于衡量性能优劣的两个关键参数——有效压电耦合系数k_(eff)^(2)和品质因数Q。然后概括了FBAR滤波器的电路拓扑形式,并分析了Ladder形式、Lattice形式和Ladder-Lattice组合形式三种电路拓扑形式的特点。随后研究了FBAR滤波器的关键材料——压电材料与电极材料,并进行了性能特性的比较。其次总结了FBAR的空腔工艺制备方案,重点关注硅反面刻蚀型与空气隙型两大类,并给出了对比与讨论。最后对FBAR滤波器的进一步发展做出了展望。
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关键词
MEMS
FBAR滤波器
电路拓扑形式
关键材料
空腔结构方案
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Keywords
MEMS
FBAR filter
circuit topology
key material
cavity structure scheme
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分类号
TN713.5
[电子电信—电路与系统]
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