重大专项政策对集成电路产业创新影响 被引量：7

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作者 宋朝瑞 郑惠强 +2 位作者 赵宇航 赵建忠 陈强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期9-12,共4页

分析了中国集成电路产业存在的问题,基于国家科技重大专项政策的科技含量高、组织规模大、自主创新和健全产业链等特点,剖析了科技重大专项政策在创新组织管理模式、引导和健全上下游产业链、引进和培养人才、政产学研用合作、建设和完... 分析了中国集成电路产业存在的问题,基于国家科技重大专项政策的科技含量高、组织规模大、自主创新和健全产业链等特点,剖析了科技重大专项政策在创新组织管理模式、引导和健全上下游产业链、引进和培养人才、政产学研用合作、建设和完善国家级公共技术研发平台等各个方面对中国集成电路产业的影响。进一步提出了如何通过将政策落脚在产业关键节点、自主创新和产业化与市场需求相结合、完善和健全重大专项监管机制、健全专项执行效果的绩效评价体系等方式推动和保障中国集成电路产业发展的措施建议。 展开更多

关键词 国家科技重大专项 集成电路产业 创新管理 产学研合作 产业政策

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高精度高灵敏人机交互手势控制算法与SOC芯片 被引量：3

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作者 赵宇航 李琛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期161-166,共6页

阐述了一种应用于人机交互领域的手势控制算法和片上系统（SOC）芯片设计。手势控制系统基于单摄像头与主动式红外补光方法,通过目标区域提取和特定姿势识别等核心算法,实现了对各类人机交互手势的高效识别。采用目标区域提取算法与主... 阐述了一种应用于人机交互领域的手势控制算法和片上系统（SOC）芯片设计。手势控制系统基于单摄像头与主动式红外补光方法,通过目标区域提取和特定姿势识别等核心算法,实现了对各类人机交互手势的高效识别。采用目标区域提取算法与主动式红外投影,通过伽马变换、干扰去除等操作实现输入图像的预处理,从而确定手掌所在位置。为了高效判别手势,该手势识别算法采用自适应的采样线方案,根据手掌与传感器之间的距离,自动确定采样线的位置、距离、数目等信息。该SOC芯片全集成所有功能模块,通过55 nm低功率（LP）工艺流片,芯片面积为4 148μm×5148μm,总体功耗88 mW,可以实现视场范围大于600 mm×600 mm×600 mm、判别精度不大于1 mm、分辨率不大于1 mm/像素,适用于人机交互手势控制应用。 展开更多

关键词 手势控制 人机交互 主动式红外补光 全集成 片上系统(SOC)

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用于医疗探测超低功耗417MHz OOK RF收发机芯片 被引量：1

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作者 李琛 赵宇航 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期178-183,共6页

介绍了一种应用于医疗探测的工作在417 MHz频段的二进制开关键控调制(OOK)射频收发机芯片。基于平方求和的模拟解调方法,该射频收发机采用了低中频的系统架构,减低了振荡器的精度要求从而节省了功耗。该收发机的射频前端采用了一种新型... 介绍了一种应用于医疗探测的工作在417 MHz频段的二进制开关键控调制(OOK)射频收发机芯片。基于平方求和的模拟解调方法,该射频收发机采用了低中频的系统架构,减低了振荡器的精度要求从而节省了功耗。该收发机的射频前端采用了一种新型的电流复用技术,并且通过电感复用方案节省了片外元件。该射频收发机在0.18μm标准CMOS工艺下进行了流片,芯片面积3.18 mm2。测试结果表明,该接收机的能量效率为1.71 nJ/bit,误码率为10-3情况下的灵敏度为-80.2 dBm,该发射机的能量效率为1.53 nJ/bit,输出功耗为-2.17 dBm,是一款超低功耗、高集成度和高灵敏度的射频收发机芯片。 展开更多

关键词 超低功耗 射频 电感复用 电流复用 医疗探测

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SiGe HBT单粒子瞬态TCAD仿真研究 被引量：1

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作者 陈寿面 孙亚宾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期188-194,227,共8页

借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管（SiGe HBT）中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态（SET）效应展开了详细的研究。首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,阐明了SiGe HBT中单粒子瞬态机制。然后,通过... 借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管（SiGe HBT）中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态（SET）效应展开了详细的研究。首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,阐明了SiGe HBT中单粒子瞬态机制。然后,通过对比重离子入射至器件不同位置时各电极的瞬态电流和感生电荷的收集情况,确定了集电极/衬底（CS）结及附近区域为SiGe HBT单粒子瞬态的敏感区域。结果表明相对于集电极和衬底的电荷收集,基极和发射极收集的电荷可忽略不计。此外,各电极的瞬态电流和电荷收集还具有明显的位置依赖性。上述结果可为SiGe HBT单粒子效应的抗辐射加固提供有力的指导依据。 展开更多

关键词 锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT) 空间辐射 单粒子瞬态(SET) 电荷收集 TCAD仿真

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使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

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作者 赵宇航 卢意飞 刘强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。 展开更多

关键词 MoS2场效应晶体管(FET) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性

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14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模

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作者 陈寿面 石艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期120-124,153,共6页

随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触... 随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻（R_（con））、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻（R_（sp））以及源漏与沟道之间的寄生电阻（R_（ext））。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对R_（con）,R_（sp）和R_（ext）进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。 展开更多

关键词 鳍型场效应晶体管(FinFET) 非本征寄生 源漏寄生电阻 建模 TCAD仿真

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基于稀疏先验的非局域聚类图像去噪算法研究 被引量：7

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作者 袁小军 周涛 李琛 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2020年第18期177-185,共9页

图像去噪是一类典型的病态(ill-posed)逆问题求解,噪声掩盖下的真实图像并不确定,需要引入先验信息缩小病态问题的求解范围。为了将外部干净图像的先验信息引入去噪进程,提出了一种基于外部干净图像与内部噪声图像稀疏先验的非局域聚类... 图像去噪是一类典型的病态(ill-posed)逆问题求解,噪声掩盖下的真实图像并不确定,需要引入先验信息缩小病态问题的求解范围。为了将外部干净图像的先验信息引入去噪进程,提出了一种基于外部干净图像与内部噪声图像稀疏先验的非局域聚类图像去噪算法,通过联合外部干净图像与内部噪声图像的图像块得到类稀疏化表达字典;通过全局的相似块匹配,得到理想图像的稀疏系数估计;基于类字典和估计的稀疏系数,采用压缩感知技术的稀疏重建方法实现图像去噪。实验表明,与传统的非局域稀疏聚类图像去噪方法相比,所提算法显著降低去噪块效应,在保留更多细节的同时,图像平坦区域过渡更加自然;而理想图像先验来源的扩展则进一步提高了算法在强噪声下的去噪性能,对强噪声具有更强的抑制能力。 展开更多

关键词 稀疏化先验 非局域聚类 图像去噪 强噪声

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结合改进的损失函数与多重范数的人脸识别 被引量：5

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作者 张飞翔 余学儒 +1 位作者 何卫锋 李琛 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2020年第24期144-150,共7页

针对在卷积神经网络中定义损失函数为余弦裕度损失函数(Cosineface)后导致收敛变慢以及在实际使用过程中使用L2范数衡量特征相似度存在缺陷的问题,提出了斜率可变的余弦裕度损失函数(Kcosine)和多重范数计算特征相似度的方法。该方法通... 针对在卷积神经网络中定义损失函数为余弦裕度损失函数(Cosineface)后导致收敛变慢以及在实际使用过程中使用L2范数衡量特征相似度存在缺陷的问题,提出了斜率可变的余弦裕度损失函数(Kcosine)和多重范数计算特征相似度的方法。该方法通过在余弦裕度损失函数的基础上添加余弦斜率因子,使得损失函数类内约束随着余弦值的增大而逐渐增强,显式地缩小类内距离,同时利用L2范数和L∞范数构建人脸特征相似度向量,并通过支撑向量机(SVM)实现分类,修正L2范数空间衡量的不稳定性。在LFW和Agedb的数据库上1∶1验证实验表明,改进的损失函数不仅加快了训练的收敛速度,并且将类内距离减少15%以上,同时通过使用多重范数特征代替L2范数,可以将识别率均值提升0.1%左右,标准差也有所降低。 展开更多

关键词 损失函数 L_2范数 多重范数 人脸识别

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绿色激光退火对多晶锗硅薄膜特性的影响

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作者 刘立滨 张伟 +3 位作者 周伟 王全 许军 梁仁荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期219-223,共5页

随着板上系统技术的发展,在较低温度下制备具有高空穴迁移率的多晶锗硅(Si Ge)薄膜具有重要的研究意义。使用波长为532 nm的绿色脉冲式激光器对多晶Si Ge薄膜进行了退火处理,并对薄膜的特性变化进行了表征。经过优化,在单脉冲激光能量为... 随着板上系统技术的发展,在较低温度下制备具有高空穴迁移率的多晶锗硅(Si Ge)薄膜具有重要的研究意义。使用波长为532 nm的绿色脉冲式激光器对多晶Si Ge薄膜进行了退火处理,并对薄膜的特性变化进行了表征。经过优化,在单脉冲激光能量为0.5 m J和10 mm/s的扫描速度下,薄膜的特性有了较大的提高。与未经过处理的薄膜相比,退火后薄膜的晶粒尺寸增大了3倍,空穴霍尔迁移率提高了4.75倍,载流子浓度提高了24.6倍,从而使薄膜的电阻率减小了两个数量级。同时,薄膜的表面形貌也有改善,表面粗糙度的均方根值从11.54 nm降低至4.75 nm。结果表明,激光退火过程中薄膜"熔化-再结晶"的过程可以显著减小晶粒中的缺陷和晶界的数量,进而改善薄膜的电学特性。因此,绿色激光退火技术在高性能多晶Si Ge薄膜晶体管制备中具有潜在的应用价值。 展开更多

关键词 激光退火 多晶锗硅 再结晶 霍尔迁移率 薄膜晶体管

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氧化钽阻变存储器的初始化电压调制

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作者 官郭沁 邹荣 +6 位作者 左青云 田盼 吕杭炳 田志 王奇伟 曾敏 杨志 《现代电子技术》 2021年第6期1-5,共5页

采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚... 采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。 展开更多

关键词 氧化钽 阻变存储器 电压调制 初始化电压 阻变单元 置位/复位电压

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一种减少金属线Al空洞的金属线溅射膜工艺

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作者 无 《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第6期11-11,共1页

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种金属线溅射膜工艺。为了有效地解决金属线Al空洞问题，本发明在溅射完Al后，不溅射Ti，用N2气等离子体处理Al表面，使其表面形成一层薄的AlN膜（缓解Al和TiN之间的应力），而后... 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种金属线溅射膜工艺。为了有效地解决金属线Al空洞问题，本发明在溅射完Al后，不溅射Ti，用N2气等离子体处理Al表面，使其表面形成一层薄的AlN膜（缓解Al和TiN之间的应力），而后直接溅射TiN膜，金属层结构为Ti／TiN／Al／AlN／TiN；刻蚀后金属线无需退火， 展开更多

关键词 ALN 金属线 膜工艺 溅射 空洞 半导体集成电路 TIN膜 制造工艺技术

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