主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变...主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化,为器件优化与工艺改进提供重要参考信息。展开更多
本文阐述了一种超低功耗S-OOK调制的超宽带短脉冲(I mpul se Radi o Ul t r a-Wi de Band,I R-UWB)射频发射机(RF Tr ans mi t t er)芯片。本发射机芯片基于一种新型的基于自同步的S-OOK调制方式,有效解决了由于同步所带来的额外电路开...本文阐述了一种超低功耗S-OOK调制的超宽带短脉冲(I mpul se Radi o Ul t r a-Wi de Band,I R-UWB)射频发射机(RF Tr ans mi t t er)芯片。本发射机芯片基于一种新型的基于自同步的S-OOK调制方式,有效解决了由于同步所带来的额外电路开销。通过开关切换片内电源电压节省功耗,本I R-UWB发射机控制功耗较大的高频振荡器和输出缓冲器周期间歇性地以极短时间工作,极大地节省了发射机的功耗。通过新型的自校准偏置电路,使得本发射机产生的基带超短脉冲可以有效抵抗工艺、温度的变化。整个I R-UWB发射机芯片DC能量消耗为65p J,发射每个脉冲的能量消耗为184μW/PRF,发射机输出能量效率为10.4%,是一款超低功耗、高集成度的射频发射机芯片。展开更多
文摘本文阐述了一种超低功耗S-OOK调制的超宽带短脉冲(I mpul se Radi o Ul t r a-Wi de Band,I R-UWB)射频发射机(RF Tr ans mi t t er)芯片。本发射机芯片基于一种新型的基于自同步的S-OOK调制方式,有效解决了由于同步所带来的额外电路开销。通过开关切换片内电源电压节省功耗,本I R-UWB发射机控制功耗较大的高频振荡器和输出缓冲器周期间歇性地以极短时间工作,极大地节省了发射机的功耗。通过新型的自校准偏置电路,使得本发射机产生的基带超短脉冲可以有效抵抗工艺、温度的变化。整个I R-UWB发射机芯片DC能量消耗为65p J,发射每个脉冲的能量消耗为184μW/PRF,发射机输出能量效率为10.4%,是一款超低功耗、高集成度的射频发射机芯片。
