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题名掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究
被引量：2
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作者
朱宇波
母志强
陈玲丽
朱雷
李卫民
俞文杰
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
中国科学院大学
上海集成电路材料研究院
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出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2022年第2期299-303,309,共6页
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基金
上海市自然科学基金资助项目(21ZR1474500)
上海市集成电路科技支撑专项基金资助项目(20DZ1100603)。
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文摘
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e_(33)增加、刚度C^(D)_(33)下降,导致Al_(1-x)Sc_(x) N压电薄膜的机电耦合系数k^(2)_(t)从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数(k^(2)_(eff))提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al_(1-x)Sc_(x) N(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。
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关键词
高次谐波体声波谐振器(HBAR)
ALN
压电薄膜
掺钪AlN
机电耦合系数
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Keywords
high-overtone bulk acoustic resonator(HBAR)
AlN
piezoelectric thin film
aluminum scandium nitride
electromechanical coupling coefficient
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分类号
TN384
[电子电信—物理电子学]
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名含亚氨基抑制剂分子对钴电沉积的影响
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作者
贺宇
吴挺俊
朱雷
李鑫
李卫民
俞文杰
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机构
上海理工大学材料与化学学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
上海集成电路材料研究院有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第10期911-918,共8页
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文摘
金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸钴-硼酸体系中,研究了不同电流密度对电沉积得到的钴薄膜形貌、晶体结构、电阻率等的影响。并且分析了含亚氨基抑制剂分子苯并咪唑(BZI)和2-巯基苯并咪唑(MBI)对钴电化学反应的抑制作用,探究其对钴薄膜形貌、晶粒尺寸和电阻率的影响。结果表明,无抑制剂时,钴晶粒以Co(002)为主;BZI的抑制能力强于MBI;由于BZI的抑制能力过强,无法沉积完整的钴薄膜;抑制剂MBI的加入会增强钴薄膜晶体的(101)晶面的取向。
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关键词
钴
电沉积
晶体结构
电阻率
抑制剂
苯并咪唑(BZI)
2-巯基苯并咪唑(MBI)
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Keywords
cobalt
electrodeposition
crystal structure
resistivity
inhibitor
benzimidazole(BZI)
2-mercaptobenzimidazole(MBI)
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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