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题名一种高功率密度低钳位电压TVS结构
被引量：5
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作者
苏海伟
赵德益
吕海凤
王允
赵志方
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机构
上海长园维安微电子有限公司
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出处
《集成电路应用》
2019年第2期35-37,共3页
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基金
上海市中小企业科技创新课题项目
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文摘
手机等电子设备的电池模块VBAT&VBUS端由于工作电压多样和应用环境的电应力强,需要其保护器件TVS提供适应4.5/7/12/15/18/24/26 V电源电压。并且在配合OVP的保护方案时,不仅要求TVS击穿方向具有高功率密度低钳位电压的特点,对正向导通方向也提出了耐大电流冲击和低钳位电压的要求。分析PN结单向二极管和NPN结双向二极管的静态I-V特性和动态浪涌残压特性,开发了结合两种结构优点的TVS器件,该器件在提供低漏电流的同时可降低击穿电压,其峰值电流IPP大幅度提升,钳位电压VC也下降到被保护器件的安全区内。
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关键词
瞬态电压抑制
TVS
电池端口保护
高功率密度
低钳位电压
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Keywords
Transient Voltage Suppressor
TVS
battery port protection
high power density
low clamping voltage
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN31
[电子电信—物理电子学]
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题名一种单向负阻TVS产品设计
被引量：1
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作者
苏海伟
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机构
上海长园维安微电子有限公司
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出处
《集成电路应用》
2019年第6期1-3,共3页
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基金
上海市科技型企业技术创新课题项目
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文摘
手机等消费电子充电电路由于充电电流、电压越来越高以及安全性和可靠性的要求,需要使用低钳位电压的浪涌防护TVS产品来满足VBUS端口保护需求。配合OVP组成保护充电IC芯片的方案中,要求TVS产品正向浪涌钳位电压和负向浪涌钳位电压均小于OVP瞬态耐压极限。分析单向TVS的优缺点和双向TVS保护器件封装小型化过程中出现的问题,最终通过改进背面电极,提出了带负阻特性的单向TVS器件,该结构在具有双向TVS二极管低钳位电压和低击穿电压优点的同时,又具有单向TVS二极管负向浪涌钳位电压低的优点。
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关键词
瞬态抑制二极管
TVS
钳位电压
负阻
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Keywords
transient voltage suppressor
TVS
clamping voltage
shallow snap-back
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分类号
TN313
[电子电信—物理电子学]
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