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Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究
被引量：
1
1
作者
何诺天
唐慧丽
+4 位作者
刘波
张浩
朱智超
赵衡煜
徐军
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第8期1534-1540,1561,共8页
采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相...
采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。
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关键词
氧化镓
Ge掺杂
发光性能
快衰减
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职称材料
题名
Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究
被引量：
1
1
作者
何诺天
唐慧丽
刘波
张浩
朱智超
赵衡煜
徐军
机构
同济大学高等
研究
院物理科学与
工程
学院
同济大学化学科学与
工程
学院
上海蓝宝石晶体工程研究中心
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第8期1534-1540,1561,共8页
基金
Scientific and Innovative Action Plan of Shanghai(18511110502)
Equipment Pre-research Fund Key Project(6140922010601)。
文摘
采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。
关键词
氧化镓
Ge掺杂
发光性能
快衰减
Keywords
gallium oxide
Ge-doped
luminescence property
fast decay
分类号
O73 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究
何诺天
唐慧丽
刘波
张浩
朱智超
赵衡煜
徐军
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
1
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