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导模法生长大尺寸蓝宝石板材技术取得重要突破被引量：3: 1; 作者王东海李东振徐军《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期363-364,共2页; 蓝宝石晶体具有高硬度、高机械强度,且在紫外-可见波段优异的透过率,是优秀的红外窗口和透明装甲材料。导模法生长的蓝宝石板材尺寸和形状接近“近净型”,将加工的成本降到极低。南京同溧晶体材料研究院有限公司近期采用导模法成功生长... 展开更多; 关键词导模法蓝宝石板材透明装甲; 在线阅读下载PDF 职称材料

光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究被引量：4: 2; 作者吴庆辉唐慧丽 +4 位作者苏良碧罗平钱小波吴锋徐军《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1440-1444,共5页; 采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm^2。光学测试表明,与纯... 展开更多; 关键词 Ge∶β-Ga2O3单晶晶体生长光学浮区法电导率; 在线阅读下载PDF 职称材料

超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶生长突破2英寸被引量：9: 3; 作者唐慧丽何诺天 +7 位作者罗平郭超李秋吴锋王庆国潘星宇刘波徐军《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2533-2534,共2页; 氧化镓（β—Ga2O3）单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体，其禁带宽度为4．8～4．9eV，具有独特的紫外透过特性（吸收截止边～260nm）；击穿电场强度高达8MV／cm，是si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍... 展开更多; 关键词宽禁带半导体 β-Ga2O3 单晶生长氧化物半导体击穿电场强度禁带宽度透过特性 GaN; 在线阅读下载PDF 职称材料

编者按: 4; 作者徐军李江《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第11期I0002-I0002,I0004,I0005,I0003,共4页; 激光用晶体和透明陶瓷能够实现激光增益、频率转换、强度与相位调制、光隔离等功能,是激光技术赖以发展的核心基础材料,对国民经济、社会发展和国家安全保障有着至关重要的作用,也是世界科技强国高技术发展规划中优先发展的战略方向。自... 展开更多; 关键词技术发展规划人工晶体激光技术国家重点研发计划频率转换光隔离非线性晶体领域前沿; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名导模法生长大尺寸蓝宝石板材技术取得重要突破被引量：3: 1; 作者王东海李东振徐军; 机构南京同溧晶体材料研究院有限公司同济大学上海蓝宝石单晶工程技术研究中心; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期363-364,共2页; 文摘蓝宝石晶体具有高硬度、高机械强度,且在紫外-可见波段优异的透过率,是优秀的红外窗口和透明装甲材料。导模法生长的蓝宝石板材尺寸和形状接近“近净型”,将加工的成本降到极低。南京同溧晶体材料研究院有限公司近期采用导模法成功生长出尺寸为415 mm×810 mm×12 mm的蓝宝石单晶板材。; 关键词导模法蓝宝石板材透明装甲; Keywords edge-defined film-fed growth method sapphire plate transparent armor; 分类号 TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究被引量：4: 2; 作者吴庆辉唐慧丽苏良碧罗平钱小波吴锋徐军; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所同济大学物理科学与工程学院上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹); 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1440-1444,共5页; 基金国家自然科学基金(91333106) 上海科委科技攻关(13521102700) 上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹)(14DZ2252500); 文摘采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm^2。光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga_2O_3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光。电学性能测试得出,Ge∶β-Ga_2O_3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga_2O_3单晶的电学性能的确有改善。; 关键词 Ge∶β-Ga2O3单晶晶体生长光学浮区法电导率; Keywords Ge∶ β-Ga2O3 single crystal crystal growth optical floating zone method conductivity; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶生长突破2英寸被引量：9: 3; 作者唐慧丽何诺天罗平郭超李秋吴锋王庆国潘星宇刘波徐军; 机构同济大学上海蓝宝石单晶工程技术研究中心; 出处《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2533-2534,共2页; 基金国家自然科学基金重大研究计划(91333106) 上海市科学技术委员会基金(13521102700); 文摘氧化镓（β—Ga2O3）单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体，其禁带宽度为4．8～4．9eV，具有独特的紫外透过特性（吸收截止边～260nm）；击穿电场强度高达8MV／cm，是si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上.; 关键词宽禁带半导体 β-Ga2O3 单晶生长氧化物半导体击穿电场强度禁带宽度透过特性 GaN; 分类号 O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名编者按: 4; 作者徐军李江; 机构同济大学上海蓝宝石单晶工程技术研究中心中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第11期I0002-I0002,I0004,I0005,I0003,共4页; 文摘激光用晶体和透明陶瓷能够实现激光增益、频率转换、强度与相位调制、光隔离等功能,是激光技术赖以发展的核心基础材料,对国民经济、社会发展和国家安全保障有着至关重要的作用,也是世界科技强国高技术发展规划中优先发展的战略方向。自2021年起,科技部先后有多个国家重点研发计划专项立项,旨在解决高性能固体激光系统用增益介质、非线性晶体以及光隔离/调制晶态材料所面临的关键科学与技术问题。《人工晶体学报》始终坚持“繁荣学术,服务产业”的办刊宗旨,致力于报道国内人工晶体领域前沿技术进展和突破。; 关键词技术发展规划人工晶体激光技术国家重点研发计划频率转换光隔离非线性晶体领域前沿; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料