以FeSO_4·7H_2O为铁源,CTAB为表面分散剂,采用便利的水热合成法成功制备了高性能α-Fe_2O_3单晶纳米片。利用X射线衍射、扫描电镜和恒流充放电测试等手段对材料的物相、微观形貌和电化学性能进行表征。结果表明,在200 m A/g电流密...以FeSO_4·7H_2O为铁源,CTAB为表面分散剂,采用便利的水热合成法成功制备了高性能α-Fe_2O_3单晶纳米片。利用X射线衍射、扫描电镜和恒流充放电测试等手段对材料的物相、微观形貌和电化学性能进行表征。结果表明,在200 m A/g电流密度下,α-Fe_2O_3单晶纳米片的起始不可逆容量损失较小;在100次循环后,α-Fe_2O_3单晶纳米片仍然约有875 m Ah/g的充放电比容量,库伦效率保持在98%以上;在2000 m A/g的大倍率条件下,材料的充放电比容量依旧可达643 m Ah/g左右,表现出十分良好的循环稳定性和可逆性能。展开更多
以屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET为研究对象,研究了重离子诱发的单粒子微剂量效应的现象及物理机理。对不同偏置电压下的30 V SGT MOSFET进行重离子辐照试验,分析了重离子轰击后器件转移特性曲线的变化趋势,揭示单粒子微剂量效应的退化规律。...以屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET为研究对象,研究了重离子诱发的单粒子微剂量效应的现象及物理机理。对不同偏置电压下的30 V SGT MOSFET进行重离子辐照试验,分析了重离子轰击后器件转移特性曲线的变化趋势,揭示单粒子微剂量效应的退化规律。研究发现重离子入射会引起器件的亚阈值电流增大,导致阈值电压负向漂移,且负栅压下器件的亚阈值电压负向漂移更严重。试验结果结合TCAD仿真进一步揭示在栅氧化层侧墙处Si/SiO_(2)界面的带正电的氧化物陷阱电荷是导致器件阈值电压和亚阈值电压等参数退化的主要原因。研究结果可为SGT MOSFET单粒子微剂量效应评估和建模提供指导。展开更多
文摘以FeSO_4·7H_2O为铁源,CTAB为表面分散剂,采用便利的水热合成法成功制备了高性能α-Fe_2O_3单晶纳米片。利用X射线衍射、扫描电镜和恒流充放电测试等手段对材料的物相、微观形貌和电化学性能进行表征。结果表明,在200 m A/g电流密度下,α-Fe_2O_3单晶纳米片的起始不可逆容量损失较小;在100次循环后,α-Fe_2O_3单晶纳米片仍然约有875 m Ah/g的充放电比容量,库伦效率保持在98%以上;在2000 m A/g的大倍率条件下,材料的充放电比容量依旧可达643 m Ah/g左右,表现出十分良好的循环稳定性和可逆性能。
文摘以屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET为研究对象,研究了重离子诱发的单粒子微剂量效应的现象及物理机理。对不同偏置电压下的30 V SGT MOSFET进行重离子辐照试验,分析了重离子轰击后器件转移特性曲线的变化趋势,揭示单粒子微剂量效应的退化规律。研究发现重离子入射会引起器件的亚阈值电流增大,导致阈值电压负向漂移,且负栅压下器件的亚阈值电压负向漂移更严重。试验结果结合TCAD仿真进一步揭示在栅氧化层侧墙处Si/SiO_(2)界面的带正电的氧化物陷阱电荷是导致器件阈值电压和亚阈值电压等参数退化的主要原因。研究结果可为SGT MOSFET单粒子微剂量效应评估和建模提供指导。
