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MXene/氮化硼/聚偏氟乙烯复合材料的制备及介电性能
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作者 李宜陶 王静荣 +3 位作者 孙珩斯 陈虎跃 徐海萍 杨丹丹 《东华大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期53-61,共9页
随着高性能储能电容器的快速发展,市场对具有高介电常数和低介电损耗的电介质材料的需求日益迫切。MXene因其优良的导电性在聚合物介电复合材料制备中引起广泛关注,但利用MXene制备的复合材料具有较高的介电损耗。以聚偏氟乙烯(PVDF)为... 随着高性能储能电容器的快速发展,市场对具有高介电常数和低介电损耗的电介质材料的需求日益迫切。MXene因其优良的导电性在聚合物介电复合材料制备中引起广泛关注,但利用MXene制备的复合材料具有较高的介电损耗。以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体、二维纳米片(Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene)为填料,通过溶液混合法制备MXene/PVDF复合材料。为抑制其介电损耗,引入具有绝缘性能的氮化硼(BN)纳米片。结果表明,MXene和BN均匀地分散在PVDF中,相较于MXene/PVDF复合材料,MXene/BN/PVDF复合材料在保持较高介电常数的同时,表现出更低的介电损耗和电导率。MXene质量分数为12%时,制备的MXene/PVDF复合材料在10^(2)Hz时具有220的介电常数、1.31×10^(-8)S/cm的电导率和1.52的介电损耗;MXene质量分数为12%、BN质量分数为2%时制备的MXene/BN/PVDF复合材料,其在102 Hz时具有237的高介电常数、1.12×10^(-8)S/cm的电导率和0.39的介电损耗,实现了提高介电常数,降低介电损耗的目的。 展开更多
关键词 氮化硼 MXene 聚偏氟乙烯 三元复合材料 介电性能
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