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不同氮气流量AlCrTaTiZr高熵合金氮化物薄膜扩散阻挡性能研究 被引量:10
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作者 蒋春霞 李荣斌 +2 位作者 王馨 聂朝阳 居健 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期163-171,共9页
目的提高铜互连扩散阻挡层的失效温度。方法采用磁控溅射方法制备了不同氮气流量下的Cu/AlCrTaTiZrNx/Si高熵合金薄膜体系,使用真空退火炉对Cu/AlCrTaTiZrNx/Si高熵合金薄膜体系分别进行600、700、800、900℃的真空退火,并利用扫描电子... 目的提高铜互连扩散阻挡层的失效温度。方法采用磁控溅射方法制备了不同氮气流量下的Cu/AlCrTaTiZrNx/Si高熵合金薄膜体系,使用真空退火炉对Cu/AlCrTaTiZrNx/Si高熵合金薄膜体系分别进行600、700、800、900℃的真空退火,并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)等表征手段对薄膜的组织结构、三维形貌等进行表征。结果不通入氮气时,高熵合金薄膜为非晶状态。随着氮气流量的增加,薄膜的结晶性越来越好,薄膜为FCC结构。随着氮气流量的增加,高熵合金薄膜表面粗糙度呈现下降的趋势,在氮气流量为20%时,高熵合金氮化物薄膜的致密性最好。Cu/AlCrTaTiZrN20/Si薄膜体系的扩散阻挡层结构主要为非晶包裹的纳米晶结构。薄膜在800℃退火后,没有Cu-Si化合物存在,薄膜方阻为0.0937Ω/□;在900℃退火后,Cu/AlCrTaTiZrN20/Si薄膜体系中Si基体部分出现不规则五边形状的大颗晶粒Cu-Si化合物。结论AlCrTaTiZrNx高熵合金氮化物薄膜的扩散阻挡性能随着氮气流量的增加,呈现先增加后降低的趋势。在氮气流量为20%时,高熵合金氮化物薄膜的扩散阻挡性能最优,800℃高温退火后仍发挥阻挡作用。 展开更多
关键词 高熵合金 退火 热稳定性 扩散阻挡性能 磁控溅射
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纳米多晶镍钨合金力学性能的分子动力学研究
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作者 周冰娆 毛莹 +3 位作者 李荣斌 臧志伟 厉勇 吕知清 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2023年第1期28-34,共7页
为了研究钨原子分数与平均晶粒尺寸对镍钨合金纳米多晶力学性能的影响,本文运用分子动力学方法在10 K与300 K时对镍钨合金纳米多晶模型进行拉伸与剪切模拟,计算分析了不同钨原子分数(0%、5%、10%、15%、20%)的镍钨合金的抗拉强度、延伸... 为了研究钨原子分数与平均晶粒尺寸对镍钨合金纳米多晶力学性能的影响,本文运用分子动力学方法在10 K与300 K时对镍钨合金纳米多晶模型进行拉伸与剪切模拟,计算分析了不同钨原子分数(0%、5%、10%、15%、20%)的镍钨合金的抗拉强度、延伸率与抗剪切性能等力学性能,进一步研究了不同晶粒尺寸(2.4 nm、1.9 nm、1.5 nm)对镍钨合金多晶力学性能的影响。结果表明,当镍钨合金纳米多晶中钨原子分数为0%时,在10 K或者300 K时,平均晶粒尺寸小的镍钨合金纳米多晶抗拉强度大,但是抗剪切强度反而小;当镍钨合金纳米多晶中钨原子分数在0%~20%之间时,随着钨元素含量的增加,抗拉强度与抗剪强度也逐渐增大;当镍钨合金纳米多晶中钨原子分数在0%~15%之间时,温度为10 K或者300 K时,平均晶粒尺寸为1.5 nm的镍钨合金纳米多晶的延伸率大于平均晶粒尺寸为1.9 nm或者2.4 nm的镍钨合金纳米多晶的延伸率。 展开更多
关键词 镍钨合金 纳米多晶 力学性能 分子动力学
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双态组织TA30钛合金室温力学行为与变形机制 被引量:1
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作者 赵杰 刘娟 +1 位作者 崔振山 李荣斌 《塑性工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第10期216-222,共7页
针对TA30钛合金,通过室温拉伸实验和数字图像相关技术,对其双态组织的室温力学行为、全场应变分布进行了研究。通过电子背散射衍射对变形过程前后的微观组织进行了表征,研究了变形过程中的晶体取向变化和微区应变分配。最后,采用晶内取... 针对TA30钛合金,通过室温拉伸实验和数字图像相关技术,对其双态组织的室温力学行为、全场应变分布进行了研究。通过电子背散射衍射对变形过程前后的微观组织进行了表征,研究了变形过程中的晶体取向变化和微区应变分配。最后,采用晶内取向差轴技术分析了等轴组织和片层组织的变形机制。结果表明,含有双态组织的TA30钛合金室温下的断裂强度为1180 MPa左右,伸长率超过17%,力学性能稳定。由于元素分配效应,在变形过程中片层组织比等轴组织承担了更大的变形,对塑性变形起到了协调作用。等轴组织中最容易启动柱面滑移,而片层组织开启的滑移系更加复杂,通常是多个滑移系共同作用;此外,在组织中还观察到了{101-2}拉伸孪晶。 展开更多
关键词 TA30钛合金 室温性能 孪晶 轴内取向差轴 变形机制
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C含量对间隙固溶Cu-C薄膜微结构、硬度及电阻率的影响 被引量:1
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作者 付彦鹏 尚海龙 +2 位作者 马冰洋 李荣斌 冉准 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期6091-6095,共5页
采用双靶磁控共溅射方法制备了一系列不同C含量的Cu-C薄膜,采用X射线衍射仪、透射电子显微镜、纳米压痕仪和四探针电阻仪表征了薄膜微结构、力学性能及其电阻率。结果表明:在溅射粒子高分散性和薄膜生长非平衡性的共同作用下,Cu-C薄膜... 采用双靶磁控共溅射方法制备了一系列不同C含量的Cu-C薄膜,采用X射线衍射仪、透射电子显微镜、纳米压痕仪和四探针电阻仪表征了薄膜微结构、力学性能及其电阻率。结果表明:在溅射粒子高分散性和薄膜生长非平衡性的共同作用下,Cu-C薄膜形成过饱和间隙固溶体。剧烈的晶格畸变使薄膜的晶粒细化,其硬度相应提高。随着C含量的增加,薄膜的硬度逐渐提高,当C含量为8.2 at.%时,由纯Cu薄膜硬度2.8GPa提高到4.3 GPa。与此同时,薄膜电阻率仅由纯Cu薄膜的2.0μΩ·cm到提高到10.7μΩ·cm,远低于其他置换型Cu基固溶体的电阻率。研究结果表明,相对于其他置换型原子,间隙型C原子的添加在提高Cu基薄膜力学性能的同时具有更好的导电性。 展开更多
关键词 Cu-C薄膜 微结构 力学性能 电阻率
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