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曝光量对介质阻挡放电照相的影响
被引量：
1
1
作者
翁明
陈启升
吴日赐
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期14-16,共3页
本文叙述了介质阻挡放电照相技术的基本原理 ,给出了自制的实验装置 ,并研究了不同曝光时间、不同放电回路电阻对照相质量的影响。在此基础上 ,提出在采用高压纳秒脉冲放电技术的前提下 ,综合控制曝光时间和放电回路电阻 。
关键词
介质阻挡放电照相
纳秒脉冲
曝光量
汞润触点继电器
微放电
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职称材料
题名
曝光量对介质阻挡放电照相的影响
被引量：
1
1
作者
翁明
陈启升
吴日赐
机构
西安交通大学
广东福地科技股份
有限公司
上海永新彩色显象管有限公司
出处
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期14-16,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目! 5 0 0 770 15
文摘
本文叙述了介质阻挡放电照相技术的基本原理 ,给出了自制的实验装置 ,并研究了不同曝光时间、不同放电回路电阻对照相质量的影响。在此基础上 ,提出在采用高压纳秒脉冲放电技术的前提下 ,综合控制曝光时间和放电回路电阻 。
关键词
介质阻挡放电照相
纳秒脉冲
曝光量
汞润触点继电器
微放电
Keywords
dielectric barrier discharge photography
nanosecond pulse
mercury wetted contact relay
分类号
TM8 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
曝光量对介质阻挡放电照相的影响
翁明
陈启升
吴日赐
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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