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快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果
被引量：
3
1
作者
郭春林
汪雷
+3 位作者
戴准
房剑锋
郑佳毅
杨德仁
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期17-21,共5页
二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段。本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用。在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值。采用RTO...
二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段。本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用。在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值。采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围。通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果。单层SiNX薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs。
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关键词
RTO
SIO2薄膜
太阳电池
钝化
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职称材料
题名
快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果
被引量：
3
1
作者
郭春林
汪雷
戴准
房剑锋
郑佳毅
杨德仁
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
上海殷勇电子科技有限公司
杭州正泰太阳能
科技
有限公司
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期17-21,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA050517)
浙江省创新团队资助项目(2009R50005)
文摘
二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段。本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用。在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值。采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围。通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果。单层SiNX薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs。
关键词
RTO
SIO2薄膜
太阳电池
钝化
Keywords
RTO
SiO2 films
solar cells
passivation
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果
郭春林
汪雷
戴准
房剑锋
郑佳毅
杨德仁
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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职称材料
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