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上海新进1.5μm/15V双极集成电路生产工艺技术开发: 1; 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期40-41,共2页; 关键词双极集成电路生产工艺上海新进半导体公司制造技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

重掺砷衬底外延工艺研究被引量：2: 2; 作者高翔程秀兰李志彭《电子与封装》 2008年第12期7-9,共3页; 在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适... 展开更多; 关键词外延固态外扩散自掺杂多晶硅背封二步外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

LDMOS漂移区结构优化的模拟被引量：1: 3; 作者徐亮刘先锋郑国祥《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-10,共5页; RESURF LDM O S很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求。文中采用了D oub le RESURF(双重降低表面电场)新结构,使漂移区更易耗尽。从理论和模拟上验证了D oub le RESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不... 展开更多; 关键词横向双扩散金属氧化物晶体管双重降低表面电场 P型表面注入层导通电阻击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

感性负载驱动控制IC版图设计被引量：3: 4; 作者王家斌高勇进 +1 位作者黄绪江张炜《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期53-56,共4页; 感性负载由于其固有的特点,在开关瞬间会产生高压脉冲,其驱动 IC 在设计中要特别注意版图的布局,以尽可能地消除输出对前级电路的影响。本文对实际工作中获得的一些有益经验作了总结分析。; 关键词 IC版图前级电路感性负载驱动控制开关输出消除; 在线阅读下载PDF 职称材料

工艺参数对低压TVS器件耐压的影响被引量：1: 5; 作者陈天谷健郑娥《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期106-111,共6页; 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V... 展开更多; 关键词瞬间电压抑制(TVS)二极管击穿电压工艺参数静电放电(ESD) 齐纳击穿; 在线阅读下载PDF 职称材料

工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响: 6; 作者陈天谷健郑娥《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期180-186,共7页; 分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TV... 展开更多; 关键词瞬态电压抑制器击穿电压低电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名上海新进1.5μm/15V双极集成电路生产工艺技术开发: 1; 机构上海新进半导体制造有限公司上海; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期40-41,共2页; 关键词双极集成电路生产工艺上海新进半导体公司制造技术; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名重掺砷衬底外延工艺研究被引量：2: 2; 作者高翔程秀兰李志彭; 机构上海交通大学微电子学院上海新进半导体制造有限公司; 出处《电子与封装》 2008年第12期7-9,共3页; 文摘在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适当增加外延生长速率、降低外延生长温度可减小自掺杂与固态外扩散的影响。结合多晶硅背封法、二步外延法等对工艺过程进行优化,可有效抑制自掺杂现象从而提高外延片的质量。; 关键词外延固态外扩散自掺杂多晶硅背封二步外延; Keywords epitaxis outward difusion self-doping poly-silicon back-seal two-step epitaxial; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LDMOS漂移区结构优化的模拟被引量：1: 3; 作者徐亮刘先锋郑国祥; 机构复旦大学材料科学系上海新进半导体制造有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-10,共5页; 文摘 RESURF LDM O S很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求。文中采用了D oub le RESURF(双重降低表面电场)新结构,使漂移区更易耗尽。从理论和模拟上验证了D oub le RESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不变的情况下减小导通电阻的效果。同时,在LDM O S结构中加入D oub leRESURF结构也降低了工艺上对精度的要求。为新结构和新工艺的开发研制作前期设计和评估。; 关键词横向双扩散金属氧化物晶体管双重降低表面电场 P型表面注入层导通电阻击穿电压; Keywords LDMOS Double RESURF P-top on-state resistance breakdown voltage; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名感性负载驱动控制IC版图设计被引量：3: 4; 作者王家斌高勇进黄绪江张炜; 机构上海新进半导体制造有限公司中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期53-56,共4页; 文摘感性负载由于其固有的特点,在开关瞬间会产生高压脉冲,其驱动 IC 在设计中要特别注意版图的布局,以尽可能地消除输出对前级电路的影响。本文对实际工作中获得的一些有益经验作了总结分析。; 关键词 IC版图前级电路感性负载驱动控制开关输出消除; Keywords inductive load latch-up substrate de-biasing ESD; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名工艺参数对低压TVS器件耐压的影响被引量：1: 5; 作者陈天谷健郑娥; 机构上海新进半导体制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期106-111,共6页; 文摘目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。; 关键词瞬间电压抑制(TVS)二极管击穿电压工艺参数静电放电(ESD) 齐纳击穿; Keywords transient voltage suppressor（TVS） diode break voltage process parameter electro-static discharge（ESD） Zener breakdown; 分类号 TN312.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响: 6; 作者陈天谷健郑娥; 机构上海新进半导体制造有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期180-186,共7页; 文摘分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TVS管集成在同一芯片上,解决了实际应用中低电容的需求。通过传输线脉冲测试器件展现了优良的抗ESD能力,有利于对主器件实施更可靠的保护。; 关键词瞬态电压抑制器击穿电压低电容; Keywords transient voltage suppressor（TVS） breakdown voltage low capacitance; 分类号 TN312.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	上海新进1.5μm/15V双极集成电路生产工艺技术开发		《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	重掺砷衬底外延工艺研究	高翔程秀兰李志彭	《电子与封装》	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	LDMOS漂移区结构优化的模拟	徐亮刘先锋郑国祥	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	感性负载驱动控制IC版图设计	王家斌高勇进黄绪江张炜	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	工艺参数对低压TVS器件耐压的影响	陈天谷健郑娥	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响	陈天谷健郑娥	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料