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纳米SiO_2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用被引量：5: 1; 作者张泽芳侯蕾 +2 位作者闫未霞刘卫丽宋志棠《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期88-91,共4页; 制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果... 展开更多; 关键词蓝宝石氧化硅抛光 LED 抛光液; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响被引量：2: 2; 作者张泽芳刘卫丽宋志棠《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期267-270,共4页; 在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研究了不同种类的碱和分散剂对蓝宝石研... 展开更多; 关键词多晶金刚石三乙醇胺分散剂蓝宝石研磨; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅溶胶的有机改性及应用被引量：10: 3; 作者魏震汪为磊 +2 位作者刘卫丽罗宏杰宋志棠《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期536-539,共4页; 为了提升纳米硅溶胶在硅片上SiO2薄膜的化学机械抛光(CMP)效率,用硅烷偶联剂KH550在酸性条件下对硅溶胶进行表面改性。对得到的产物进行化学机械抛光及通过粒度分析仪分析氧化硅粒径和Zeta电位变化,并通过红外光谱分析仪和原子力显微镜... 展开更多; 关键词硅溶胶硅烷偶联剂KH550 改性 ZETA电位粒径化学机械抛光; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英) 被引量：8: 4; 作者汪为磊刘卫丽 +2 位作者白林森宋志棠霍军朝《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1109-1114,共6页; 为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出... 展开更多; 关键词改性方法 N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷化学机械抛光 CMP 氧化铝抛光液; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米SiO_2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用被引量：5: 1; 作者张泽芳侯蕾闫未霞刘卫丽宋志棠; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海新安纳电子科技有限公司; 出处《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期88-91,共4页; 文摘制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果表明,制备的纳米氧化硅抛光液对LED蓝宝石衬底具有优异的抛光性能,抛光后的表面无划伤、无腐蚀坑,且粗糙度小于0.2 nm。; 关键词蓝宝石氧化硅抛光 LED 抛光液; Keywords sapphire silica polishing LED slurry; 分类号 TH117 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响被引量：2: 2; 作者张泽芳刘卫丽宋志棠; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海新安纳电子科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期267-270,共4页; 基金国家集成电路重大专项(2011ZX02704-002 2009ZX02030-001) +1 种基金上海市科委资助项目(0952nm00200 10QB1403600); 文摘在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研究了不同种类的碱和分散剂对蓝宝石研磨性能的影响。分别采用分析天平称重法和原子力显微镜测试了研磨速率和蓝宝石的表面粗糙度。结果表明,抛光后蓝宝石表面质量和抛光液分散性有严格的依赖关系,而抛光速率和研磨液分散性并不严格相关。最后,采用三乙醇胺为pH值调节剂,Orotan1124为分散剂,获得了相对较高的去除率和较好的表面质量。; 关键词多晶金刚石三乙醇胺分散剂蓝宝石研磨; Keywords polycrystalline diamond triethanolamine dispersant sapphire lapping; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅溶胶的有机改性及应用被引量：10: 3; 作者魏震汪为磊刘卫丽罗宏杰宋志棠; 机构上海大学材料科学与工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海新安纳电子科技有限公司; 出处《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期536-539,共4页; 基金国家重点研发计划(2017YFA0206104,2018YFB0407500) 国家自然科学基金(61874129,61874178,61504157,61622408) +1 种基金上海科学技术委员会(17DZ2291300,18DZ2272800)。; 文摘为了提升纳米硅溶胶在硅片上SiO2薄膜的化学机械抛光(CMP)效率,用硅烷偶联剂KH550在酸性条件下对硅溶胶进行表面改性。对得到的产物进行化学机械抛光及通过粒度分析仪分析氧化硅粒径和Zeta电位变化,并通过红外光谱分析仪和原子力显微镜分析氧化硅颗粒表面是否接枝上了硅烷偶联剂。结果表明,经过改性后的硅溶胶在红外测试中3400 cm-1附近和1616 cm-1附近出现了N—H的伸缩和弯曲振动峰;原子力显微镜探针离开氧化硅颗粒表面时存在粘弹性;用抛光机测得使用改性后的硅溶胶比使用未改性的硅溶胶去除速率有所提高,并在改性含量0.05%时,去除速率达到最快;改性后的硅溶胶粒子Zeta电位趋向于正向增大,且随着加入改性剂的量从0~0.1%逐渐增加,硅溶胶粒子Zeta电位向正电荷位移更加明显;对未改性的硅溶胶和加入0.05%KH550改性后的硅溶胶进行动态光散射分析,硅溶胶经过改性后粒径D25由65.3 nm增大到73.2 nm,粒径D50由79.2 nm增大到83.5 nm,粒径D99由154.1 nm减小至131.8 nm,而用静态光散射分析时,硅溶胶经过改性后粒径D10由69.0 nm变化为69.6 nm,粒径D50由99.1 nm变化为100.8 nm,粒径D99由191.2 nm变化为194 nm,可以看出D10,D50,D99基本没有发生变化。红外实验和原子力实验证明KH550成功地接枝到颗粒表面;加入改性剂KH550后,不仅改变了氧化硅表面Zeta电位,也改变了水化层;同时使小粒径胶粒的水化层变厚,大粒径的水化层变薄,使Zeta电位由负电荷变为正电荷,从而影响到在硅片上SiO2薄膜的抛光效率。; 关键词硅溶胶硅烷偶联剂KH550 改性 ZETA电位粒径化学机械抛光; Keywords silica sol silane coupling agent KH550 modification Zeta potential particle size chemical mechanical polishing; 分类号 TQ427 [化学工程] O648.16 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英) 被引量：8: 4; 作者汪为磊刘卫丽白林森宋志棠霍军朝; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院大学上海新安纳电子科技有限公司; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1109-1114,共6页; 基金 Foundation item:National Natural Science Foundation of China(51205387) Science and Technology Commission of Shanghai(11nm0500300) Science and Technology Commission of Shanghai(14XD1425300); 文摘为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出了化学反应机理,即N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷接枝到氧化铝表面。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)表征了改性氧化铝颗粒的组成和结构。结果表明:N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷已被成功地接枝到氧化铝颗粒的表面,导致改性比未改性的氧化铝颗粒具有更好的化学和机械性能。测试了未改性和改性的氧化铝颗粒在蓝宝石基底上的CMP性能。结果显示:改性氧化铝颗粒比未改性氧化铝颗粒有更高的材料去除速率和更好的表面质量。即,改性氧化铝颗粒在p H=10时比未改性氧化铝颗粒在p H=13.00时表现出更高的材料去除率,这将为减少设备腐蚀提供新思路。; 关键词改性方法 N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷化学机械抛光 CMP 氧化铝抛光液; Keywords modification method N-（2-aminoethyl）-3-aminopropyltrimethoxysilane chemical mechanical polishing Chemical Mechanical Polishing （CMP）, alumina slurry; 分类号 TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	纳米SiO_2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用	张泽芳侯蕾闫未霞刘卫丽宋志棠	《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心	2013	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响	张泽芳刘卫丽宋志棠	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	硅溶胶的有机改性及应用	魏震汪为磊刘卫丽罗宏杰宋志棠	《应用化工》 CAS CSCD 北大核心	2020	10	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英)	汪为磊刘卫丽白林森宋志棠霍军朝	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	8	在线阅读下载PDF 职称材料