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简易化学水浴法制备SnO_2/p-Si异质结光电性能(英文) 被引量:1
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作者 何波 徐静 +5 位作者 宁欢颇 赵磊 邢怀中 张建成 秦玉明 张磊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期139-143,共5页
通过一种简易化学水浴法将SnO_2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO_2/p-Si异质结光电器件,这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO_2薄膜的微结构、光学和电学... 通过一种简易化学水浴法将SnO_2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO_2/p-Si异质结光电器件,这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO_2薄膜的微结构、光学和电学性能,对SnO_2/p-Si异质结的I-V曲线进行测试并分析,获得明显的光电转换特性. 展开更多
关键词 SNO2薄膜 化学水浴法 异质结 I-V曲线
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