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衬底及生长工艺对Hg_1－_xCd_xTe液相外延薄膜的影响
被引量：
4
1
作者
朱基千
褚君浩
+3 位作者
李标
陈新强
曹菊英
程继健
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1996年第6期518-521,共4页
用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、能量散射Ｘ射线分析（ＥＤＸ）及Ｘ射线双晶摇摆曲线（ＤＣＲＣ）方法对衬底及Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延（ＬＰＥ）薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面覆盖、回熔ＬＰＥ生长措施，可以...
用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、能量散射Ｘ射线分析（ＥＤＸ）及Ｘ射线双晶摇摆曲线（ＤＣＲＣ）方法对衬底及Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延（ＬＰＥ）薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面覆盖、回熔ＬＰＥ生长措施，可以防止衬底沾污对液相外延层形貌的影响。
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关键词
HGCDTE
液相外延
晶体质量
薄膜
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职称材料
题名
衬底及生长工艺对Hg_1－_xCd_xTe液相外延薄膜的影响
被引量：
4
1
作者
朱基千
褚君浩
李标
陈新强
曹菊英
程继健
机构
中国科
学院
上海
技术物理研究所红外物理国家实验室
华东理工大学无机
材料
系
上海建材学院材料测试中心
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1996年第6期518-521,共4页
文摘
用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、能量散射Ｘ射线分析（ＥＤＸ）及Ｘ射线双晶摇摆曲线（ＤＣＲＣ）方法对衬底及Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延（ＬＰＥ）薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面覆盖、回熔ＬＰＥ生长措施，可以防止衬底沾污对液相外延层形貌的影响。
关键词
HGCDTE
液相外延
晶体质量
薄膜
Keywords
Hg 1-x Cd xTe,liquid phase epitaxy,crystalline quality
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
衬底及生长工艺对Hg_1－_xCd_xTe液相外延薄膜的影响
朱基千
褚君浩
李标
陈新强
曹菊英
程继健
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1996
4
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