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题名超高温氧化物晶体及其生长技术
被引量：3
- 1
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作者
徐家跃
周鼎
李志超
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机构
上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所
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出处
《应用技术学报》
2017年第4期283-288,共6页
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基金
国家自然科学基金项目(51572175)资助
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文摘
超高温氧化物晶体,比如钇稳定氧化锆、氧化镁、氧化铀以及部分稀土氧化物等,熔点往往高达2 300℃以上。它们在激光、超导、核燃料等领域具有重要应用,但在生长方法、坩埚材料、温度监测、温场控制等方面面临多重挑战。本文总结了目前少数几种超高温氧化物晶体生长研究进展,分析了各种生长技术的优缺点,探讨了超高温氧化物晶体生长的前景。
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关键词
氧化物晶体
晶体生长
钇稳定氧化锆
冷坩埚技术
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Keywords
oxide crystal
crystal growth
yttria-stabilized zirconia （YSZ）
skull melting
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分类号
O782
[理学—晶体学]
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题名新型热电SnSe半导体晶体研究进展
被引量：1
- 2
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作者
金敏
李雨萌
申慧
田甜
徐家跃
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机构
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所
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出处
《应用技术学报》
2018年第2期100-105,共6页
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基金
国家自然科学基金(51572175)
浙江省自然科学基金(LY17A040012)
+2 种基金
浙江省公益研发项目(2017C31006)
宁波市自然科学基金(2017A610009)
上海市自然科学基金(15ZR1440600)资助
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文摘
SnSe晶体是一种新型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体热电材料,具有极低的本征热导率和超高的热电优值ZT,因兼具有高性能、环境友好以及成本低廉等综合优势,近些年正成为国际上争相研究的热点。然而SnSe晶体属于层状结构材料且热膨胀性复杂,导致晶体在生长过程中极易出现解理和开裂,难以获得大尺寸晶体。本文对当前国内外几种主流SnSe晶体生长方法进行了归纳,包括水平气相法、垂直布里奇曼法、垂直温度梯度法等,综合评价了各种方法的优缺点。重点介绍了本团队在水平布里奇曼法生长SnSe晶体方面的研究结果,该方法有望成为未来制备高质量、大尺寸SnSe晶体的一种主流技术。此外,还将不同SnSe晶体的热电优值ZT进行了比较,并对其性能波动进行了初步分析。本综述论文将有助于加深人们对SnSe晶体生长特性的认识,并为未来该晶体材料制备和性能研究提供参考。
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关键词
SnSe晶体
热电材料
晶体生长
水平布里奇曼法
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Keywords
SnSe crystal
thermoelectric material
crystal growth
horizontal Bridgman method
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分类号
O782
[理学—晶体学]
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题名镍基高温合金单晶的生长和氧化行为
被引量：5
- 3
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作者
梁肖肖
童健
马昕迪
雷云
陈媛芝
武英
徐家跃
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机构
上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所
中国钢研科技集团有限公司安泰科技股份有限公司
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出处
《应用技术学报》
2019年第2期119-124,共6页
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基金
国家自然科学基金(51572175)资助
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文摘
采用改进型坩埚下降法生长了镍基高温合金单晶,使用氧化铝坩埚和〈001〉方向的籽晶,生长得到直径为30~40mm、长度260mm的晶棒。采用异型氧化铝坩埚,生长出特殊形状且中空的高温合金单晶涡轮机叶片构件。腐蚀显示所生长的晶体具有典型的镍基高温合金单晶形貌,在枝晶区域有少量的γ′/γ共晶,枝晶的平均间距是367μm,γ′相是立方结构且分布均匀。研究了晶体在900和1000℃氧化200h的氧化行为,氧化120h后其增重达到一个恒定值。
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关键词
NI基高温合金
晶体生长
微观结构
坩埚下降法
氧化行为
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Keywords
Ni-based superalloy
crystal growth
microstructure
vertical Bridgman method
oxidation behavior
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分类号
TN216
[电子电信—物理电子学]
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题名外尔半金属TaAs单晶的研究进展
被引量：1
- 4
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作者
李雨萌
田甜
徐家跃
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机构
上海应用技术大学材料科学与工程学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第15期120-125,共6页
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基金
国家自然科学基金(51572175)
上海高校青年教师培养资助计划项目(ZZyy15087)
江苏省博士后科研资助计划(1501131C)
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文摘
外尔半金属是当两个自旋非简并能带在三维动量空间通过费米能级附近时,其低能准粒子激发具有外尔费米子的所有特征的一类材料体系。外尔费米子是狄拉克方程的无质量解,可以看作是在三维空间一对重叠在一起且具有相反手性的粒子。TaAs单晶作为一种非磁性的外尔半金属,在其中能够观测到外尔费米子,并产生许多奇异的物理现象,如费米弧、负磁阻效应、量子反常霍尔效应等,使其在发展新型电子器件和拓扑量子计算等领域有着重要应用潜力。介绍了外尔半金属的相关基础理论和重要实验,重点探讨了TaAs单晶生长相关的技术问题,分析了化学气相传输法的优缺点。
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关键词
外尔半金属
TaAs单晶
晶体生长
化学气相传输法
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Keywords
Weyl semimetal
TaAs single crystal
crystal growth
chemical vapor transport method
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分类号
O782
[理学—晶体学]
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