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双主体掺杂红色有机电致发光显示器件的研究 被引量:4
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作者 胡忠 徐洪光 +4 位作者 庄筱磊 张积梅 周刚 余峰 黄浩 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期65-68,共4页
利用三源共蒸发技术制作了双主体掺杂红色有机电致发光显示器件,研究了不同掺杂比例下,Alq3∶Rubrene∶DCJTB双主体掺杂系统的红色OLED器件,器件结构为ITO/HIL/NPB/Alq3∶Rubrene∶DCJTB/Alq3/LiF/Al,其中发光层Alq3∶Rubren∶DCJTB是... 利用三源共蒸发技术制作了双主体掺杂红色有机电致发光显示器件,研究了不同掺杂比例下,Alq3∶Rubrene∶DCJTB双主体掺杂系统的红色OLED器件,器件结构为ITO/HIL/NPB/Alq3∶Rubrene∶DCJTB/Alq3/LiF/Al,其中发光层Alq3∶Rubren∶DCJTB是三掺杂发光结构体系。综合研究分析了Alq3与Rubrene的掺杂比例和发光效率、色纯度之间的关系,当Rubrene的掺杂比例达到60%时,器件达到最佳效果;电压9V时,该器件发光亮度达到3580cd/m2,发光效率达到4.58cd/A,功率效率也达到1.60lm/W,相应的色坐标为(0.65,0.35)。 展开更多
关键词 有机电致发光显示器件 发光效率 双主体掺杂 红光
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电子束蒸发Al_2O_3/TiO_2复合膜及在无机EL中的应用 被引量:1
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作者 黄浩 肖田 +1 位作者 张羿 林明通 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期469-473,共5页
开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10nm/10nm、20nm/20nm、40nm/40nm、总厚度约600nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800nm... 开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10nm/10nm、20nm/20nm、40nm/40nm、总厚度约600nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800nm的Al,TiyOz复合薄膜,研究了它们的介电性能,并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较,最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS:Mn TFEL器件中。Al2O3/TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10nm增至40nm,介电常数由20.2减小到16.1,击穿场强由154MV/m增至174MV/m,反映介电损耗的参数△Vy由0.09V降为0.04V,在50MV/m下漏电流密度由1×10^6A/cm^2增至1×10^-4A/cm^2,品质因子由2.62μC/cm^2降为2.46μC/cm^2。AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3.6μC/cm62,应用于ZnS:Mn TFEL器件中获得在200Hz下较高的L50(58cd·m^-2)、很低的阈值电压(60~70V),而且各个像素的L-V性能有很好的重复性。 展开更多
关键词 电子束蒸发 Al2O3-TiO2复合膜 介电性能 ZnS:Mn器件
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