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退火对TSV电镀铜膜层性能影响研究
被引量：
1
1
作者
于仙仙
蒋闯
张翠翠
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2024年第10期42-49,共8页
针对硅通孔(TSV)高深宽比微孔电镀填铜后结晶细小,后续制程经历高温过程可能导致晶界间缺陷的问题,对TSV电镀铜膜层退火后性能变化进行了研究。考察了退火温度和升温速率等退火条件对晶粒晶面取向、晶粒大小、晶界间空洞以及杂质含量等...
针对硅通孔(TSV)高深宽比微孔电镀填铜后结晶细小,后续制程经历高温过程可能导致晶界间缺陷的问题,对TSV电镀铜膜层退火后性能变化进行了研究。考察了退火温度和升温速率等退火条件对晶粒晶面取向、晶粒大小、晶界间空洞以及杂质含量等膜层性能的影响,确定了较优的退火工艺参数为升温速率10/min℃,400℃下保温2 h。结果表明:此较优的高温退火条件下,XRD显示主晶面择优取向为Cu(111);SIMS分析电镀铜膜层总杂质含量小于100 mg·kg^(–1);EBSD结果显示电镀铜平均粒径1.9μm,晶粒长大较充分,满足工业化应用需求,希望对工业化应用提供参考。
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关键词
硅通孔
电镀铜
添加剂
退火
缺陷
化学机械抛光
可靠性
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职称材料
题名
退火对TSV电镀铜膜层性能影响研究
被引量：
1
1
作者
于仙仙
蒋闯
张翠翠
机构
上海市集成电路关键工艺重点实验室
上海
新阳半导体材料股份有限公司
出处
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2024年第10期42-49,共8页
文摘
针对硅通孔(TSV)高深宽比微孔电镀填铜后结晶细小,后续制程经历高温过程可能导致晶界间缺陷的问题,对TSV电镀铜膜层退火后性能变化进行了研究。考察了退火温度和升温速率等退火条件对晶粒晶面取向、晶粒大小、晶界间空洞以及杂质含量等膜层性能的影响,确定了较优的退火工艺参数为升温速率10/min℃,400℃下保温2 h。结果表明:此较优的高温退火条件下,XRD显示主晶面择优取向为Cu(111);SIMS分析电镀铜膜层总杂质含量小于100 mg·kg^(–1);EBSD结果显示电镀铜平均粒径1.9μm,晶粒长大较充分,满足工业化应用需求,希望对工业化应用提供参考。
关键词
硅通孔
电镀铜
添加剂
退火
缺陷
化学机械抛光
可靠性
Keywords
through-silicon via(TSV)
copper electroplating
additives
annealing
defects
chemico-mechanical polishing
reliability
分类号
TQ153.1 [化学工程—电化学工业]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
退火对TSV电镀铜膜层性能影响研究
于仙仙
蒋闯
张翠翠
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2024
1
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职称材料
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引证文献
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