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纳米压印技术的最新进展
被引量：
8
1
作者
王金合
费立诚
+3 位作者
宋志棠
张静
周为民
张剑平
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第12期722-730,共9页
总结了纳米压印技术的最新进展,其中包括压印工艺、图形赋形方法以及纳米压印技术应用三方面最新的研究成果。在压印工艺的发展方面,大面积滚轴压印的发明最具有产业化意义,它不仅解决了常规平板压印很难大面积压印成型的困难,而且整个...
总结了纳米压印技术的最新进展,其中包括压印工艺、图形赋形方法以及纳米压印技术应用三方面最新的研究成果。在压印工艺的发展方面,大面积滚轴压印的发明最具有产业化意义,它不仅解决了常规平板压印很难大面积压印成型的困难,而且整个过程是一种柔性压印过程,降低了成本,提高了压印效率,但是最小特征尺寸还有待提高;在图形赋形方法的改进中,聚合物探针阵列技术集微米和纳米成型技术于一身,压印效率高,应用前景广阔;在压印技术应用的发展中,光伏电池、电子存储设备以及传感器等为纳米压印技术的应用提供了新的领域。
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关键词
纳米压印技术
大面积滚轴压印
聚合物探针阵列
光伏电池
交叉电极阵列
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职称材料
压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列
被引量：
2
2
作者
刘彦伯
闵国全
+6 位作者
宋志棠
周伟民
张静
张挺
万永中
李小丽
张剑平
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第1期45-49,共5页
采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具...
采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。
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关键词
紫外压印
高密度相变存储器阵列
Si2Sb2Te5
存储单元
标准差(σ)
相变
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职称材料
题名
纳米压印技术的最新进展
被引量：
8
1
作者
王金合
费立诚
宋志棠
张静
周为民
张剑平
机构
上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米加工技术实验室
中国科学院
上海
微系统与信息
技术
研究所
纳米
技术
研究室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第12期722-730,共9页
文摘
总结了纳米压印技术的最新进展,其中包括压印工艺、图形赋形方法以及纳米压印技术应用三方面最新的研究成果。在压印工艺的发展方面,大面积滚轴压印的发明最具有产业化意义,它不仅解决了常规平板压印很难大面积压印成型的困难,而且整个过程是一种柔性压印过程,降低了成本,提高了压印效率,但是最小特征尺寸还有待提高;在图形赋形方法的改进中,聚合物探针阵列技术集微米和纳米成型技术于一身,压印效率高,应用前景广阔;在压印技术应用的发展中,光伏电池、电子存储设备以及传感器等为纳米压印技术的应用提供了新的领域。
关键词
纳米压印技术
大面积滚轴压印
聚合物探针阵列
光伏电池
交叉电极阵列
Keywords
nano-imprint lithography
large area roll-to-roll nanoimprint lithography
polymer probe array
photovoltaic cell
cross-electrode array
分类号
TH703 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列
被引量：
2
2
作者
刘彦伯
闵国全
宋志棠
周伟民
张静
张挺
万永中
李小丽
张剑平
机构
上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米加工技术实验室
中国科学院
上海
微系统与信息
技术
研究所
纳米
技术
研究室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第1期45-49,共5页
基金
国家重大科学研究计划资助项目(2007CB935400)
上海市科研发展计划(0652nm052,0752nm013,0752nm014)
+1 种基金
上海市博士后基金(07R214204)
中国博士后基金(20070420105)
文摘
采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。
关键词
紫外压印
高密度相变存储器阵列
Si2Sb2Te5
存储单元
标准差(σ)
相变
Keywords
UV-imprint lithography （UV- IL）
high-density phase change random access mem-ory （PCRAM） arrays
Si2Sb2Te5（SST） memory cell
standard deviation （σ）
phase change
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米压印技术的最新进展
王金合
费立诚
宋志棠
张静
周为民
张剑平
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010
8
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职称材料
2
压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列
刘彦伯
闵国全
宋志棠
周伟民
张静
张挺
万永中
李小丽
张剑平
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
2
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