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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
1
作者
施海铭
汪辉
+1 位作者
李化阳
林俊毅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期569-572,共4页
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原...
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。
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关键词
Al-Cu互连
侧壁孔洞缺陷
θ相Al2Cu光刻胶清洗
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职称材料
题名
Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
1
作者
施海铭
汪辉
李化阳
林俊毅
机构
上海
交通大学微电子学院
上海宏力半导体制造有限公司蚀刻工程部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期569-572,共4页
基金
国家自然科学基金(NSFC60606015)
上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
文摘
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。
关键词
Al-Cu互连
侧壁孔洞缺陷
θ相Al2Cu光刻胶清洗
Keywords
Al-Cu interconnect
sidewall attack defect
θ phase Al2Cu photo resist striping
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
施海铭
汪辉
李化阳
林俊毅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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