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纳米SiO_2粒子抛光液的制备及其抛光性能被引量：12: 1; 作者雷红雒建斌潘国顺《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期84-86,共3页; 随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小 ,硬盘表面要求超光滑。制备了一种纳米SiO2 抛光液 ,并研究了镍磷敷镀的硬盘基片在其中的抛光性能 ,ChapmanMP2 0 0 0 +表面形貌仪测得抛光后表面的平均粗糙度 (Ra)和波纹度(Wa)分别为 0 0 5 2nm... 展开更多; 关键词硬盘化学机械抛光纳米SiO2粒子抛光液制备抛光性能计算机; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米SiO2／CeO2复合磨粒的制备及其抛光特性研究被引量：21: 2; 作者肖保其雷红《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期103-107,共5页; 以尿素[CO(NH2)2]、(NH4)2Ce(NO3)6和SiO2为原料,采用均相沉淀法制备1种新型纳米SiO2/CeO2复合磨粒,通过X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、飞行时间二次离子质谱仪和扫描电子显微镜等分析手段对其结构进行表征,并将SiO2/CeO2复合磨粒配... 展开更多; 关键词化学机械抛光(CMP) 玻璃基片复合磨粒; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学机械抛光技术的研究进展被引量：59: 3; 作者雷红雒建斌张朝辉《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第6期494-502,共9页; 化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出... 展开更多; 关键词表面微加工化学机械抛光平整化研究进展微电子制造集成电路芯片计算机硬磁盘; 在线阅读下载PDF 职称材料

超细氧化铝表面改性及其抛光特性被引量：10: 4; 作者卢海参雷红 +1 位作者张泽芳肖保其《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期102-104,107,共4页; 在化学机械抛光(CMP)中,为了提高氧化铝磨料分散稳定性和防止团聚,利用丙烯酰氯对超细氧化铝进行了表面改性,并用XPS、激光粒度仪、SEM对其进行表征,结果表明改性后的超细氧化铝分散性明显提高。研究了改性后超细氧化铝在数字光盘玻璃... 展开更多; 关键词化学机械抛光(CMP) 玻璃基片表面改性超细氧化铝; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化铝复合磨粒的抛光特性研究被引量：6: 5; 作者雷红卢海参 +2 位作者严琼林褚风灵丘海能《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期82-85,共4页; 为提高氧化铝磨料分散稳定性,利用接枝聚合对氧化铝粒子进行了表面改性,并研究了改性后氧化铝粒子在数字光盘玻璃基片中的化学机械抛光特性。结果表明,氧化铝复合磨粒的抛光性能与其表面接枝率密切相关。接枝率上升,材料去除速率下降;... 展开更多; 关键词化学机械抛光(CMP) 氧化铝复合磨粒玻璃基片; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究被引量：8: 6; 作者王亮亮路新春 +3 位作者潘国顺黄义雒建斌雷红《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期66-68,75,共4页; 利用扫描电镜和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪研究了抛光过程中不同阶段硅片的表面形貌、抛光液研磨颗粒粒径对抛光表面质量的影响以及抛光过程中的桔皮现象。结果表明，抛光中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除，而小尺度上的... 展开更多; 关键词单晶硅片化学机械抛光表面形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米SiO_2粒子抛光液的制备及其抛光性能被引量：12: 1; 作者雷红雒建斌潘国顺; 机构上海大学纳米中心清华大学摩擦学国家重点实验室; 出处《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期84-86,共3页; 基金上海市纳米专项资助项目 (0 3 5 2nm0 5 8); 文摘随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小 ,硬盘表面要求超光滑。制备了一种纳米SiO2 抛光液 ,并研究了镍磷敷镀的硬盘基片在其中的抛光性能 ,ChapmanMP2 0 0 0 +表面形貌仪测得抛光后表面的平均粗糙度 (Ra)和波纹度(Wa)分别为 0 0 5 2nm及 0 0 63nm ,为迄今报道的硬盘抛光的最低值。原子力显微镜 (AFM)发现获得的基片表面非常光滑平整 ,表面无划痕、凹坑。; 关键词硬盘化学机械抛光纳米SiO2粒子抛光液制备抛光性能计算机; Keywords Abrasion Atomic force microscopy Magnetic heads Silica Surface roughness; 分类号 TP333.35 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TG739 [金属学及工艺—刀具与模具]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米SiO2／CeO2复合磨粒的制备及其抛光特性研究被引量：21: 2; 作者肖保其雷红; 机构上海大学纳米中心; 出处《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期103-107,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(50575131) 国家973计划资助项目(2003CB716201) +1 种基金上海市教委第五期重点学科资助项目(J50102); 文摘以尿素[CO(NH2)2]、(NH4)2Ce(NO3)6和SiO2为原料,采用均相沉淀法制备1种新型纳米SiO2/CeO2复合磨粒,通过X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、飞行时间二次离子质谱仪和扫描电子显微镜等分析手段对其结构进行表征,并将SiO2/CeO2复合磨粒配置成抛光液在数字光盘玻璃基片上进行化学机械抛光试验.结果表明:所制备的SiO2/CeO2复合磨粒的平均晶粒度为19.64 nm,粒度分布均匀;经过1 h抛光后,玻璃基片的平均表面粗糙度(Ra)由1.644 nm降至0.971 nm;抛光后玻璃基片表面变得光滑、平坦,表面微观起伏较小.; 关键词化学机械抛光(CMP) 玻璃基片复合磨粒; Keywords chemical mechanical polishing, glass substrate, composite particles; 分类号 TH117.3 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学机械抛光技术的研究进展被引量：59: 3; 作者雷红雒建斌张朝辉; 机构上海大学纳米中心清华大学摩擦学国家重点实验室; 出处《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第6期494-502,共9页; 文摘化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出了CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.; 关键词表面微加工化学机械抛光平整化研究进展微电子制造集成电路芯片计算机硬磁盘; Keywords surface micromachining chemical mechanical polishing planarization; 分类号 TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超细氧化铝表面改性及其抛光特性被引量：10: 4; 作者卢海参雷红张泽芳肖保其; 机构上海大学纳米中心; 出处《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期102-104,107,共4页; 基金国家自然科学基金项目(50575131); 文摘在化学机械抛光(CMP)中,为了提高氧化铝磨料分散稳定性和防止团聚,利用丙烯酰氯对超细氧化铝进行了表面改性,并用XPS、激光粒度仪、SEM对其进行表征,结果表明改性后的超细氧化铝分散性明显提高。研究了改性后超细氧化铝在数字光盘玻璃基片中的化学机械抛光特性,即外加压力、抛光时间和下盘转速对玻璃基片去除量的影响,并对其CMP机制进行了推断。结果表明,材料去除量随下盘转速、压力变化趋势相近,即随着压力的增加或下盘转速的提高,材料去除量先增大后减小;随抛光时间延长,抛光初期材料去除量增加较快,但在后段时间内去除量增加趋势趋于平缓。; 关键词化学机械抛光(CMP) 玻璃基片表面改性超细氧化铝; Keywords chemical mechanical polishing （CMP） glass substrate surface modification ultra-fine Al2O3; 分类号 TH117 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化铝复合磨粒的抛光特性研究被引量：6: 5; 作者雷红卢海参严琼林褚风灵丘海能; 机构上海大学纳米中心深圳开发磁记录股份有限公司; 出处《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期82-85,共4页; 基金国家自然科学基金项目(50575131) 国家973计划项目(2003CB716201); 文摘为提高氧化铝磨料分散稳定性,利用接枝聚合对氧化铝粒子进行了表面改性,并研究了改性后氧化铝粒子在数字光盘玻璃基片中的化学机械抛光特性。结果表明,氧化铝复合磨粒的抛光性能与其表面接枝率密切相关。接枝率上升,材料去除速率下降;试验条件下,当接枝率为2.93%时,氧化铝磨粒体现出较高的表面平整性、较低的表面粗糙度及较低的表面损伤。; 关键词化学机械抛光(CMP) 氧化铝复合磨粒玻璃基片; Keywords chemical mechanical polishing （CMP） alumina composite particle glass substrate; 分类号 TH117 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究被引量：8: 6; 作者王亮亮路新春潘国顺黄义雒建斌雷红; 机构清华大学摩擦学国家重点实验室深圳清华大学研究院微纳工程实验室上海大学纳米中心; 出处《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期66-68,75,共4页; 基金国家自然科学基金项目(50390061) 上海市科委科研计划项目(0452nm013); 文摘利用扫描电镜和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪研究了抛光过程中不同阶段硅片的表面形貌、抛光液研磨颗粒粒径对抛光表面质量的影响以及抛光过程中的桔皮现象。结果表明，抛光中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除，而小尺度上的粗糙度并未得到显著改善；当颗粒直径在10-25nm的范围时，粒径和粗糙度不存在单调关系；桔皮的产生主要是抛光液中碱浓度过高所致。; 关键词单晶硅片化学机械抛光表面形貌; Keywords silicon chemical-mechanical polishing topography; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	纳米SiO_2粒子抛光液的制备及其抛光性能	雷红雒建斌潘国顺	《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	12	在线阅读下载PDF 职称材料
2	纳米SiO2／CeO2复合磨粒的制备及其抛光特性研究	肖保其雷红	《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	21	在线阅读下载PDF 职称材料
3	化学机械抛光技术的研究进展	雷红雒建斌张朝辉	《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	2003	59	在线阅读下载PDF 职称材料
4	超细氧化铝表面改性及其抛光特性	卢海参雷红张泽芳肖保其	《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心	2007	10	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氧化铝复合磨粒的抛光特性研究	雷红卢海参严琼林褚风灵丘海能	《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究	王亮亮路新春潘国顺黄义雒建斌雷红	《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	8	在线阅读下载PDF 职称材料