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动态阻(容)抗法研究Cl-对银铟硒上电化学振荡的影响 被引量:3
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作者 谢少艾 邓薰南 尤金跨 《电化学》 CAS CSCD 1995年第3期283-290,共8页
采用现场动态阻(容)抗法测试技术,研究在不同支持电解质溶液中,过氧化氢在电沉积银铟硒电极上阴极还原过程的电化学振荡行为,振荡前后,电极的表面组成亦由AES能谱测得。根据实验结果,详细讨论了氯离子对此电化学振荡机理的影响。
关键词 氯离子 电化学振荡 动态阻抗法
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电沉积银铟硒薄膜的(光)电化学特性研究
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作者 谢少艾 邓薰南 尤金跨 《电化学》 CAS CSCD 1999年第4期455-458,共4页
A photoelectrochemical cell(PEC) is constructed,using an AgInSe 2 film photoanode made from electrodeposition and a platinium electrode in aqueous polyiodide or polysufide electrolyte. The V oc and I sc of PEC have be... A photoelectrochemical cell(PEC) is constructed,using an AgInSe 2 film photoanode made from electrodeposition and a platinium electrode in aqueous polyiodide or polysufide electrolyte. The V oc and I sc of PEC have been tested and measured, and the effect of chemical decoration on the photoanodes also studied. 展开更多
关键词 银铟硒薄膜 电沉积 光电化学
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电沉积AuInSe_2半导体薄膜上的电化学振荡现象 被引量:1
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作者 徐群杰 云大陆 +2 位作者 汪知恩 曹为民 尤金跨 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期26-29,共4页
研究了电沉积制得的AuInSe2半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为,对影响该振荡行为的一些因素如半导体薄膜的后处理、溶液组成、传质、光照、化学浸渍作用等进行了分析,同时采用外界周期性光照和外接小幅... 研究了电沉积制得的AuInSe2半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为,对影响该振荡行为的一些因素如半导体薄膜的后处理、溶液组成、传质、光照、化学浸渍作用等进行了分析,同时采用外界周期性光照和外接小幅度正弦波电位来调节振荡频率,为金铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器件提供了一定的理论与实践基础. 展开更多
关键词 AuInSe2 半导体 电化学振荡 阴极还原 过氧化氢
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