具有新型电荷产生层的叠层有机发光器件

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作者 委福祥 方亮 +1 位作者 蒋雪茵 张志林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期405-407,共3页

研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成。研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产生和注入空穴。叠层器件性能与单发光单元器... 研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成。研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产生和注入空穴。叠层器件性能与单发光单元器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了4.2cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2倍;同时,电荷产生层的性能与WO3薄膜厚度密切相关,WO3薄膜厚度为3nm时,器件的效率在整个电流范围内都保持稳定。采用薄层WO3作为电荷产生层为制备高效叠层有机发光器件提供了一条有效的途径。 展开更多

关键词 有机发光器件 电荷产生层 叠层 薄层

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基于新型共基质电子传输层的有机发光器件

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作者 委福祥 方亮 +1 位作者 蒋雪茵 张志林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1051-1053,共3页

研究了Liq:Bphen混合层的电子传输特性。采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%)∶Bphen/LiF/Al]的有机发光器件,基于共基质电子传输层的器件驱动电压比传统器件降低了13%而效率却提高了21%。研... 研究了Liq:Bphen混合层的电子传输特性。采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%)∶Bphen/LiF/Al]的有机发光器件,基于共基质电子传输层的器件驱动电压比传统器件降低了13%而效率却提高了21%。研究表明通过优化混合层的掺杂浓度,可以显著提高电子传输层的导电率,降低驱动电压,从而提高器件的效率。 展开更多

关键词 有机发光器件 电子传输 传导率

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低维纳米光子晶体的制备及在有机激光谐振腔的应用

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作者 景悦林 张琪 +2 位作者 郭坤平 张浩 魏斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第23期23101-23104,共4页

采用电子束曝光技术以及反应离子刻蚀技术,提出一种简单可控、低成本制备有序排布的一维和二维光子晶体阵列的方法。通过有效的控制刻蚀工艺参数,实现对光子晶体在尺寸、周期和表面结构等进行精确控制目的。此外,以一维光子晶体为衬底,... 采用电子束曝光技术以及反应离子刻蚀技术,提出一种简单可控、低成本制备有序排布的一维和二维光子晶体阵列的方法。通过有效的控制刻蚀工艺参数,实现对光子晶体在尺寸、周期和表面结构等进行精确控制目的。此外,以一维光子晶体为衬底,利用甩膜方法成功地制得分布反馈式高分子有机激光器。光泵结果表明,该激光染料的放大自发辐射的阈值为260kW/cm2、半波宽为0.22nm。 展开更多

关键词 光子晶体 有机激光 分布反馈激光器

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碳酸铯修饰Al作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件 被引量：5

4

作者 张浩 王立 +4 位作者 容佳玲 曹进 张志林 蒋雪茵 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期611-615,共5页

以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时,器件的开启电压为3.6 V,发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结... 以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时,器件的开启电压为3.6 V,发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明,Al/Cs2CO3为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg∶Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明,以Cs2CO3修饰的Al电极功函数明显低于Mg∶Ag和Al电极,具有更好的电子注入效果。因此,除去微腔效应外,Al/Cs2CO3为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs2CO3阴极的有效电子注入。 展开更多

关键词 有机电致发光 Cs2CO3 倒置顶发射 电子注入

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薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高 被引量：4

5

作者 张浩 张良 +3 位作者 李俊 蒋雪茵 张志林 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1281-1285,共5页

制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V... 制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V。实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 ZNO 稳定性 退火

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基于接触势差法的表面功函数测试装置 被引量：3

6

作者 张浩 刘善鹏 +4 位作者 黄伟 委福祥 曹进 蒋雪茵 张志林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期505-509,共5页

利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成... 利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成。能在空气环境中快速测量半导体、金属、金属氧化物薄膜的表面功函数。我们运用此装置成功地对有机电致发光的阳极氧化铟锡(ITO)薄膜、p型硅片的功函数进行了测量,得到了样品经过UV-Ozone处理前后功函数随时间变化的曲线,为器件的优化提供了依据。 展开更多

关键词 功函数 接触势差 ITO 有机电致发光

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基于二次模糊相关性的单通道置换图像盲分离 被引量：12

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作者 王伟 方勇 《应用科学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期169-175,共7页

针对模糊处理后的置换图像,提出一种基于二次模糊相关性的单通道盲分离方法.该方法通过对置换图像进行二次模糊,估计二次模糊前后对应子块的相关系数来构造一个映射空间,利用映射空间内参数的不同分类完成置换混合矩阵的估计,从而实现... 针对模糊处理后的置换图像,提出一种基于二次模糊相关性的单通道盲分离方法.该方法通过对置换图像进行二次模糊,估计二次模糊前后对应子块的相关系数来构造一个映射空间,利用映射空间内参数的不同分类完成置换混合矩阵的估计,从而实现置换源图像子块的分离.实验表明,该方法对经历不同模糊处理的置换图像均能达到较高的检测正确率,同时,算法对高斯噪声和有损JPEG压缩都具有较好的鲁棒性. 展开更多

关键词 置换图像 盲源分离 二次模糊相关性 映射空间 单通道

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N_2O Plasma表面处理对SiN_x基IGZO-TFT性能的影响 被引量：2

8

作者 李俊 周帆 +4 位作者 林华平 张浩 张建华 蒋雪茵 张志林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期400-403,共4页

采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2.V-1.s-1增加至8.1 cm2.V-1.s-1,阈值电压由原来的... 采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2.V-1.s-1增加至8.1 cm2.V-1.s-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 INGAZNO plasma处理 N2O

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依发光层顺序和厚度调节的多发光层白色有机发光器件 被引量：1

9

作者 徐维 鲁富翰 +4 位作者 曹进 朱文清 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期265-268,共4页

多层结构器件中发光层顺序及厚度对光谱影响很大。文章以RBG(红蓝绿)为基色,制备了具有不同发光层组合次序及厚度的系列白色有机电致发光器件。器件结构为ITO/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/EML/LiF(1nm)/Al(100nm)。使用的蓝色发光材料为2-t-bu... 多层结构器件中发光层顺序及厚度对光谱影响很大。文章以RBG(红蓝绿)为基色,制备了具有不同发光层组合次序及厚度的系列白色有机电致发光器件。器件结构为ITO/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/EML/LiF(1nm)/Al(100nm)。使用的蓝色发光材料为2-t-butyl-9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(TBADN),掺杂剂为p-bis(p-N,N-diphenyl-amono-styryl)benzene(DSA-Ph),绿色发光材料为tris-[8-hydroxyquino-line]aluminum(Alq3),掺杂剂为C545,红色发光材料为tris-[8-hydroxyquinoline]aluminum(Alq3),掺杂剂为4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)。通过调节各发光层的顺序和厚度,在200mA.cm-2时,得到了电流效率为5.60cd.A-1,色坐标为(0.34,0.34)的性能稳定的白光器件。当电流密度为400mA.cm-2时,最大亮度达到了20700cd.m-2。根据激子产生及扩散理论对实验结果进行了分析,建立了发光光谱与各发光层的发光效率、各层厚度及激子扩散层长度之间的关系方程,并以其计算了具有不同红层厚度的RBG结构的光谱的红蓝强度比。计算结果表明实验结果与理论相符。 展开更多

关键词 有机发光二极管 白色有机发光器件 多发光层 RBG结构 激子扩散长度

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基于P3HT给体的单/双受体平面异质结电池性能及其介电特性 被引量：1

10

作者 王超 余俊乐 +2 位作者 杨芳 魏斌 郑燕琼 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期329-336,共8页

为了研究分析界面电荷等特性对器件的影响,制备了基于P3HT给体的单/双受体平面异质结(PHJ)有机太阳能电池(OPV)。首先研究了P3HT膜厚、P3HT溶剂和P3HT膜层的干燥时间对器件性能的影响。为了提高P3HT/Sub Pc PHJ电池的性能,采用双受体的... 为了研究分析界面电荷等特性对器件的影响,制备了基于P3HT给体的单/双受体平面异质结(PHJ)有机太阳能电池(OPV)。首先研究了P3HT膜厚、P3HT溶剂和P3HT膜层的干燥时间对器件性能的影响。为了提高P3HT/Sub Pc PHJ电池的性能,采用双受体的三元器件结构(P3HT/Sub Nc/Sub Pc),制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/P3HT/Sub Nc/Sub Pc/BCP/Al的三元瀑布型OPV器件并研究了Sub Nc层厚度对其性能的影响。结果表明,在二元器件(P3HT/Sub Pc)体系中,P3HT溶于氯仿和1,2-二氯苯混合溶剂,成膜后干燥10 min退火获得的器件性能最佳。在三元器件中,随着Sub Nc厚度的增大,器件光电转换效率(PCE)先增大后减小。当Sub Nc厚度为5 nm时,器件PCE达到最大。相比于二元器件,三元器件的各项性能得到明显提升。最后,比较研究了不同厚度Sub Nc薄膜对器件介电特性的影响。 展开更多

关键词 有机太阳能电池 P3HT 电池性能 介电特性

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用反应溅射法沉积SiO_x绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性(英文)

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作者 李俊 周帆 +2 位作者 张建华 蒋雪茵 张志林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1258-1263,共6页

制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情... 制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 稳定性 反应溅射SiOx

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载流子平衡的低压高效有机发光器件

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作者 委福祥 蒋雪茵 张志林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1189-1191,1234,共4页

分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA∶x%4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层之间加入高迁移率的Bphen∶Liq层增强器件的电子注入,制备了结构为ITO/m-MTDATA∶x%4F-TCNQ/NPB/Alq3/Bphen∶Liq/LiF/Al的有机发光器件。研究... 分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA∶x%4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层之间加入高迁移率的Bphen∶Liq层增强器件的电子注入,制备了结构为ITO/m-MTDATA∶x%4F-TCNQ/NPB/Alq3/Bphen∶Liq/LiF/Al的有机发光器件。研究了传输层的单载流子器件行为,同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的整体效率也会受到影响,在实验中通过调节4F-TCNQ的质量百分比,来调控空穴的注入和传输,使载流子达到了较好的平衡。器件的最大电流效率和流明效率分别达到了6.1 cd/A和5.2 lm/W。 展开更多

关键词 有机发光器件 载流子 平衡 低压

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含CsPbBr3钙钛矿量子点的硅酸盐基氟氧化物玻璃陶瓷的制备及其发光性能 被引量：2

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作者 陈璐 雷芳 +4 位作者 施鹰 殷录桥 谢建军 范灵聪 章蕾 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期945-953,共9页

采用热处理烧结方法制备了含CsPbBr3钙钛矿量子点的硅酸盐基氟氧化物玻璃陶瓷(SiO2-Al2O3-Li2O-AlF3-LiF)。通过X射线衍射分析了玻璃的自析晶现象与量子点生长之间的关系;TEM透射电镜分析了量子点的形貌特征;荧光光谱、吸收光谱和CIE色... 采用热处理烧结方法制备了含CsPbBr3钙钛矿量子点的硅酸盐基氟氧化物玻璃陶瓷(SiO2-Al2O3-Li2O-AlF3-LiF)。通过X射线衍射分析了玻璃的自析晶现象与量子点生长之间的关系;TEM透射电镜分析了量子点的形貌特征;荧光光谱、吸收光谱和CIE色坐标等表征分析了量子点的发光特性。结果表明,最佳条件制备得到的含CsPbBr3量子点的玻璃陶瓷材料可实现512 nm强绿光发射,半峰宽22.80 nm。将该玻璃陶瓷与365 nm紫外芯片封装构建绿光发光二极管(LED),有望替代绿色荧光粉成为新型固体发光领域的关键材料。 展开更多

关键词 CsPbBr3钙钛矿量子点 玻璃陶瓷 热处理烧结 绿色LED

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矩形窗缩放算法 被引量：2

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作者 左霄 冉峰 徐美华 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期224-227,233,共5页

该文对双线性插值法与矩形窗缩放算法进行了详细讨论,该算法与双线性插值算法有相似的算法复杂度,但有较好的高频特性.用Matlab对最邻近插值法、双线性插值法、矩形窗缩放算法进行了比较,并详细说明了基于矩形窗缩放算法的FPGA实现过程... 该文对双线性插值法与矩形窗缩放算法进行了详细讨论,该算法与双线性插值算法有相似的算法复杂度,但有较好的高频特性.用Matlab对最邻近插值法、双线性插值法、矩形窗缩放算法进行了比较,并详细说明了基于矩形窗缩放算法的FPGA实现过程.该算法在硬件消耗不大的情况下有较好的图像处理效果. 展开更多

关键词 双线性插值 图像缩放 FPGA实现 矩形窗缩放

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信道噪声对无线远程迭代学习控制系统的影响 被引量：2

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作者 黄立勋 方勇 《信号处理》 CSCD 北大核心 2012年第11期1627-1633,共7页

无线远程控制系统的主要特征是信号通过无线网络在传感器与控制器,控制器与执行器之间传输,但信号无线传输过程中受到的信道噪声干扰会严重影响系统的控制性能。针对一类控制器采用迭代学习控制方式的无线远程控制系统,首先得到系统输... 无线远程控制系统的主要特征是信号通过无线网络在传感器与控制器,控制器与执行器之间传输,但信号无线传输过程中受到的信道噪声干扰会严重影响系统的控制性能。针对一类控制器采用迭代学习控制方式的无线远程控制系统,首先得到系统输出误差和信道噪声在迭代域内的关系表达式,然后在此基础上就信道噪声对输出误差信号l2范数平方期望收敛性能的影响进行分析。由分析可知,该期望是关于信道噪声方差和系统参数的函数,并将随迭代次数的增加收敛于一个有限的误差值。在系统参数一定的情况下,该误差值将随信道噪声方差的增大而增大,即信道噪声方差越大,其对系统跟踪性能的影响越明显。最后,通过仿真实验证明了分析结果的正确性。 展开更多

关键词 无线远程控制 迭代学习控制 信道噪声 l2范数

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针对LDPC码的伸缩因子量化方案

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作者 张小军 田应洪 +2 位作者 余磊 冉峰 赖宗声 《应用科学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期33-38,共6页

通过分析节点的信息分布和量化饱和效应,提出一种基于伸缩因子的量化方案.该方案不但对校验节点和变量节点的信息进行伸缩,同时还对初始化阶段的信道信息进行伸缩处理.通过对节点的信息收缩,该方案可以使信息的整数部分表示更多的有效信... 通过分析节点的信息分布和量化饱和效应,提出一种基于伸缩因子的量化方案.该方案不但对校验节点和变量节点的信息进行伸缩,同时还对初始化阶段的信道信息进行伸缩处理.通过对节点的信息收缩,该方案可以使信息的整数部分表示更多的有效信息,同时也降低量化饱和的影响.该文采用(q,0)对节点进行量化,由于节点信息更新全部采用整数而不需要浮点操作,大大减少了硬件复杂性.同时,对(7493,3048)的LDPC码字仿真表明,该量化方案的性能与浮点性能仅相差0.1 dB. 展开更多

关键词 量化 伸缩因子 信息分布 量化饱和 LDPC

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可控表面结构Si纳米柱阵列的制备及光学特性研究

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作者 童亮 张朝 +3 位作者 徐明 徐韬 魏斌 张建华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第B12期259-263,共5页

采用纳米球刻蚀法发展针对有序Si纳米柱阵列的低成本及可控制备方法，首先运用Langmuir—Blodgett法在n—Si（100）片上制备Si02粒子单层膜，并以此为掩膜系统考察深度反应离子刻蚀及低损伤的感应耦合等离子体刻蚀对于Si纳米柱表面形貌... 采用纳米球刻蚀法发展针对有序Si纳米柱阵列的低成本及可控制备方法，首先运用Langmuir—Blodgett法在n—Si（100）片上制备Si02粒子单层膜，并以此为掩膜系统考察深度反应离子刻蚀及低损伤的感应耦合等离子体刻蚀对于Si纳米柱表面形貌的影响规律，并且通过控制刻蚀参数有效调控Si纳米柱阵列的尺寸、分布及表面结构。反射谱测试结果表明，si纳米柱阵列可以起到显著的减反射作用，且在400～1000nm的光谱范围内的最优光反射率约为5％。 展开更多

关键词 Si纳米柱阵列 纳米球刻蚀 可控表面结构 减反射

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