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采用数据驱动机制的多核处理器被引量：2: 1; 作者毕卓徐云川王镇《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期81-85,共5页; 针对当前工艺条件下多核处理器存在程序并行性不足的问题,设计了一种采用数据驱动机制、支持函数语言风格编程的多核处理器,包括通用处理器核、数据驱动模块和片内路由器.其中:通用处理器核用于执行常规程序;数据驱动模块用于检测数据... 展开更多; 关键词数据驱动并行编程模型数据流机多核处理器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一款超高压LDMOS管的物理建模被引量：1: 2; 作者程东方汪维勇 +1 位作者易志飞沈伟星《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期538-541,共4页; 借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性。按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明... 展开更多; 关键词 LDMOS 宏模型准饱和效应物理模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究被引量：1: 3; 作者程东方张铮栋吕洪涛《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期517-519,共3页; 研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确定的设计规则,还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果... 展开更多; 关键词闩锁效应多子保护环高阻衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用: 4; 作者程东方吕洪涛张铮栋《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期381-383,408,共4页; 利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进... 展开更多; 关键词高压横向扩散金属氧化物半导体优化反向传播神经网络; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种硅基OLED微显示芯片的PMU设计: 5; 作者蔡俊宋飞 +1 位作者陈晓烽冉峰《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第4期135-139,共5页; 设计了一种集成在硅基OLED微显示芯片上的电源管理单元(PMU).该PMU采用Cuk型DC-DC变换器和LDO相结合的新型结构,其中Cuk电路采用PWM调制的峰值电流控制模式输出负电压,同时Cuk电路产生的脉冲电压经过滤波得到直流电压,该电压通过LDO模... 展开更多; 关键词硅基OLED PMU Cuk LDO; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于16位定点DSP的并行乘法器的设计被引量：1: 6; 作者王叶辉林贻侠严伟《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期101-105,共5页; 设计了一种用于16位定点DSP中的片内乘法器。该乘法器采用了改进型Booth算法,使用CSA构成的乘法器阵列,并采用跳跃进位加法器实现进位传递,该设计具有可扩展性,并提出了更高位扩展时应改进型方向。设计时综合考虑了高性能定点DSP对乘法... 展开更多; 关键词 DSP 并行乘法器阵列乘法器改进型Booth编码部分积产生器; 在线阅读下载PDF 职称材料

集成电路迈向90nm新工艺被引量：1: 7; 作者朱良辰胡越黎冉峰《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期42-44,共3页; 介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。; 关键词集成电路 90nm工艺应变硅铜工艺晶体管多层铜线互连工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用数据驱动机制的多核处理器被引量：2: 1; 作者毕卓徐云川王镇; 机构上海大学机电工程与自动化学院自动化系上海大学微电子研发中心; 出处《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期81-85,共5页; 文摘针对当前工艺条件下多核处理器存在程序并行性不足的问题,设计了一种采用数据驱动机制、支持函数语言风格编程的多核处理器,包括通用处理器核、数据驱动模块和片内路由器.其中:通用处理器核用于执行常规程序;数据驱动模块用于检测数据的完备性;片内路由器则可提供处理器核之间及簇之间的通信.实验结果表明,所设计的多核处理器能够支持C语言"函数式语言"风格的编程模板.每个C代码段执行纯函数的操作,消除了函数间的共享变量,使得并行编程的复杂度有所降低.同时,所采用的数据驱动机制没有执行顺序的严格限制,充分挖掘了算法潜在的并行性.经测试,数据驱动多核处理器的加速比随着计算资源的增加而增大,从而验证了数据流计算机的加速倍数随处理器数目增加而线性增长的结论.; 关键词数据驱动并行编程模型数据流机多核处理器; Keywords data driven parallel programming model data flow machine multi-core processors; 分类号 TP338 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一款超高压LDMOS管的物理建模被引量：1: 2; 作者程东方汪维勇易志飞沈伟星; 机构上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海大学微电子研发中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期538-541,共4页; 基金上海市国际科技合作项目(07SA03); 文摘借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性。按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTⅢ,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等。所得结论与实测结果基本吻合。; 关键词 LDMOS 宏模型准饱和效应物理模型; Keywords LDMOS macro model quasi-saturation effect physical model; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究被引量：1: 3; 作者程东方张铮栋吕洪涛; 机构上海大学微电子研发中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期517-519,共3页; 基金上海市引进技术的吸收与创新年度计划项目(05ZBXX1-24) 上海市科委国际合作基金项目(055207041); 文摘研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确定的设计规则,还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性。; 关键词闩锁效应多子保护环高阻衬底; Keywords latch up majority carrier guarding high resistance substrate; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用: 4; 作者程东方吕洪涛张铮栋; 机构上海大学微电子研发中心新型显示技术及应用集成教育部重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期381-383,408,共4页; 基金上海市引进技术的吸收与创新年度计划项目(05ZBXX1-24) 上海市科委国际合作基金项目(055207041); 文摘利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进行优化。结果表明,训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近,得到的最优工艺参数非常理想。; 关键词高压横向扩散金属氧化物半导体优化反向传播神经网络; Keywords HV LDMOS optimization BP neural network; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种硅基OLED微显示芯片的PMU设计: 5; 作者蔡俊宋飞陈晓烽冉峰; 机构安徽理工大学电气与信息工程学院上海大学微电子研发中心; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第4期135-139,共5页; 基金国家自然科学基金项目(61376028); 文摘设计了一种集成在硅基OLED微显示芯片上的电源管理单元(PMU).该PMU采用Cuk型DC-DC变换器和LDO相结合的新型结构,其中Cuk电路采用PWM调制的峰值电流控制模式输出负电压,同时Cuk电路产生的脉冲电压经过滤波得到直流电压,该电压通过LDO模块输出正电压.电路的整体设计和仿真在SMIC 0.18μm1.8V/5VCMOS数模混合工艺下完成,仿真结果表明,在2MHz开关频率和3.3V标准输入电压条件下,输出正电压在2~5.5V范围内可调,输出负电压在-2^-5.5V范围内可调,纹波均小于5mV.输出正、负电压的线性调整率分别为5mV/V和20mV/V,负载调整率分别为0.04mV/mA和0.15mV/mA,满足PMU的设计指标.; 关键词硅基OLED PMU Cuk LDO; Keywords OLED-on-Silicon PMU Cuk LDO; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于16位定点DSP的并行乘法器的设计被引量：1: 6; 作者王叶辉林贻侠严伟; 机构上海大学微电子研发中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期101-105,共5页; 文摘设计了一种用于16位定点DSP中的片内乘法器。该乘法器采用了改进型Booth算法,使用CSA构成的乘法器阵列,并采用跳跃进位加法器实现进位传递,该设计具有可扩展性,并提出了更高位扩展时应改进型方向。设计时综合考虑了高性能定点DSP对乘法器在面积和速度上的要求,具有极其规整的布局布线。; 关键词 DSP 并行乘法器阵列乘法器改进型Booth编码部分积产生器; Keywords modified Booth encoding partial-product generator array multiplier; 分类号 TP332.22 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名集成电路迈向90nm新工艺被引量：1: 7; 作者朱良辰胡越黎冉峰; 机构上海大学微电子研发中心; 出处《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期42-44,共3页; 文摘介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。; 关键词集成电路 90nm工艺应变硅铜工艺晶体管多层铜线互连工艺; Keywords nm strained silicon copper technology; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	采用数据驱动机制的多核处理器	毕卓徐云川王镇	《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一款超高压LDMOS管的物理建模	程东方汪维勇易志飞沈伟星	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究	程东方张铮栋吕洪涛	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用	程东方吕洪涛张铮栋	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种硅基OLED微显示芯片的PMU设计	蔡俊宋飞陈晓烽冉峰	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于16位定点DSP的并行乘法器的设计	王叶辉林贻侠严伟	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	集成电路迈向90nm新工艺	朱良辰胡越黎冉峰	《微纳电子技术》 CAS	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料