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新型蓝色电致发光材料——联苯乙烯衍生物的合成及发光性质研究 被引量:3
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作者 郑新友 朱文清 +4 位作者 吴有智 张步新 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期643-644,647,共3页
首次合成了一种新型的蓝色电致发光材料———联苯乙烯衍生物 4,4′ 双 [2 ,2 (1 萘基 ,苯基 ) ]苯乙烯基 ) 1,1′ 联苯(NPVBi) ,由于材料有较高的玻璃化转变温度 ,使它具有较好的热稳定性。制备了结构为ITO/TPD/NPVBi/Alq/LiF/Al的... 首次合成了一种新型的蓝色电致发光材料———联苯乙烯衍生物 4,4′ 双 [2 ,2 (1 萘基 ,苯基 ) ]苯乙烯基 ) 1,1′ 联苯(NPVBi) ,由于材料有较高的玻璃化转变温度 ,使它具有较好的热稳定性。制备了结构为ITO/TPD/NPVBi/Alq/LiF/Al的电致发光器件 ,研究了其电致发光性质 ,得到了色纯度较好的蓝色发光。特别是器件在不同的工作电流下 ,色坐标基本不变 ,色度相当稳定。研究表明NPVBi有望成为一种良好的蓝色发光材料。 展开更多
关键词 蓝色电致发光材料 联苯乙烯衍生物 合成 发光性质
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偏硅酸钙中Pr^(3+)的4f5d态的光谱特性及Pr^(3+)→Gd^(3+)的能量传递 被引量:4
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作者 初本莉 刘行仁 +2 位作者 王晓君 张家骅 蒋雪茵 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期542-544,共3页
合成了高效发射UV光的CaSiO3 :Pr3 +新型荧光体 ,研究了室温下Pr3 +的 4 f5d态的发射和激发光谱 ,Pr3 +的 4f5d态的最低子能级向 4 f2 组态的3 H4,3 H6和1 G4能级跃迁产生UV发射 ,并不伴随有 4f 4 f能级跃迁的可见光发射。Pr3 +的浓度... 合成了高效发射UV光的CaSiO3 :Pr3 +新型荧光体 ,研究了室温下Pr3 +的 4 f5d态的发射和激发光谱 ,Pr3 +的 4f5d态的最低子能级向 4 f2 组态的3 H4,3 H6和1 G4能级跃迁产生UV发射 ,并不伴随有 4f 4 f能级跃迁的可见光发射。Pr3 +的浓度猝灭是由于辐射和无辐射能量传递造成的 ,同时 ,在CaSiO3 中 ,存在Pr3 +→Gd3 +的能量传递 。 展开更多
关键词 光谱特性 荧光材料 偏硅酸钙 荧光光谱 浓度猝灭 能量传递 镨(Ⅲ)钆(Ⅲ)
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陶瓷基片薄膜电致发光器件 被引量:8
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作者 赵伟明 张志林 +2 位作者 蒋雪茵 刘祖刚 许少鸿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期256-260,共5页
本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件(CSTFEL),使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片,同时又作为器件中的绝缘层,陶瓷片表面无需抛光处理,直接制作发光器件,工艺简单,用市电50Hz,220V驱动,亮度大于3... 本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件(CSTFEL),使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片,同时又作为器件中的绝缘层,陶瓷片表面无需抛光处理,直接制作发光器件,工艺简单,用市电50Hz,220V驱动,亮度大于30cd/m2,寿命大于10000小时. 展开更多
关键词 陶瓷 介电层 薄膜 电致发光 CSTFEL
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发光效率及稳定性改善的有机薄膜电致发光器件 被引量:4
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作者 张志林 蒋雪茵 +2 位作者 许少鸿 长友隆男 大本修 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期372-375,共4页
不久前,我们报导了以TPD为空穴传输层,Alq为电子传输兼发光层的双层薄膜电致发光器件,在定电流密度6mA/cm^2连续驱动下,初始亮度106cd/m^2下降至一半亮度的时间为120小时,而继续操作500小时,亮度仍有38cd/m^2。在这篇文章中,我们将报道... 不久前,我们报导了以TPD为空穴传输层,Alq为电子传输兼发光层的双层薄膜电致发光器件,在定电流密度6mA/cm^2连续驱动下,初始亮度106cd/m^2下降至一半亮度的时间为120小时,而继续操作500小时,亮度仍有38cd/m^2。在这篇文章中,我们将报道一个在上述器件的空穴传输层TPD中掺杂而构成的新器件。这个新器件发光亮度和效率比原器件增加了50%,而稳定性增加了近10倍,初始亮度165cd/m^2的半亮度寿命达1200小时。 展开更多
关键词 有机薄膜 电致发光器件 发光效率 稳定性
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硅酸锶中Pr^(3+)的4f5d态的光谱特性及Pr^(3+)→Gd^(3+)的能量传递 被引量:2
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作者 初本莉 刘行仁 +2 位作者 王晓君 张家骅 蒋雪茵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期187-191,共5页
本文研究了室温下Pr3 + 在Sr2 SiO4 中的发射光谱和激发光谱 ,在激发光谱中 ,最低激发峰位置低于1S0能级位置 ,属于 5d态的吸收。发射光谱主要由 5d→ 4f的跃迁构成 ,未观测到Pr3 + 的3 P0 和1D2 的辐射跃迁。Pr3 + 的掺杂浓度在 0 0 1... 本文研究了室温下Pr3 + 在Sr2 SiO4 中的发射光谱和激发光谱 ,在激发光谱中 ,最低激发峰位置低于1S0能级位置 ,属于 5d态的吸收。发射光谱主要由 5d→ 4f的跃迁构成 ,未观测到Pr3 + 的3 P0 和1D2 的辐射跃迁。Pr3 + 的掺杂浓度在 0 0 1mol左右时 ,其发射强度接近最大。在Sr2 SiO4 ∶Pr3 + ,Gd3 + 体系中 ,Pr3 + 的 5d→3 H4 的跃迁与Gd3 + 的8S7/ 2 →6I能级的吸收跃迁相匹配 ,因此发生了Pr3 + →Gd3 的高效无辐射能量传递。固定Pr3 +的浓度时 ,随着体系中Gd3 + 离子浓度的增加 ,Gd3 + 的发射强度也随之增强 ,同时 ,Pr3 + 的发射强度则逐渐下降。 展开更多
关键词 荧光光谱 能量传递 硅酸锶 镨离子
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偏硅酸钙中Pr^(3+)的4f5d态的光谱性质 被引量:2
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作者 初本莉 刘行仁 +1 位作者 王晓君 蒋雪茵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期660-661,共2页
高温下合成了掺Pr3 + 的CaSiO3,研究了Pr3 + 在室温下的发射光谱和激发光谱 ,观测到Pr3 + 的 4f5d态的两个能级 ,其最低能级向 4f2 组态的3H4 ,3H6和1G4 发生辐射跃迁 ,其中以向3H4 的跃迁最强 ,而向3P0 和1D2 的无辐射跃迁几率可以忽略 。
关键词 偏硅酸钙 4f5d态 UV辐射跃迁 荧光光谱 镨离子
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ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布
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作者 赵伟明 唐春玖 +2 位作者 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期38-42,共5页
采用高频溅射的方法制备了高亮度的ZnS∶Tb薄膜电致发光器件.测量了发射强度比I(5D3-7F6)/I(5D4-7F4)随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率,计算了碰撞截面,分析ZnS∶Tb的过热电子的分布... 采用高频溅射的方法制备了高亮度的ZnS∶Tb薄膜电致发光器件.测量了发射强度比I(5D3-7F6)/I(5D4-7F4)随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率,计算了碰撞截面,分析ZnS∶Tb的过热电子的分布,并与ZnS∶Mn进行了比较.指出了ZnS∶Tb效率与ZnS∶Mn效率差异的可能原因. 展开更多
关键词 ZnS:Tb 薄膜 电致发光 量子效率
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以SA为空穴传输层的双层结构电致发光
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作者 杨向明 黄颂羽 +3 位作者 段彩明 薛敏钊 王美俊 刘祖刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期278-280,共3页
合成了高荧光量子效率的荧光黄化合物FY和空穴传输材料SA,制备了以SA为空穴传输层、FY为发光层的双层结构电致发光器件,得到了在12V正向电压下的绿色发光,峰值波长为525nm,器件的电流密度为91mA/cm2、发光... 合成了高荧光量子效率的荧光黄化合物FY和空穴传输材料SA,制备了以SA为空穴传输层、FY为发光层的双层结构电致发光器件,得到了在12V正向电压下的绿色发光,峰值波长为525nm,器件的电流密度为91mA/cm2、发光亮度为80cd/m2。 展开更多
关键词 电致发光器件 有机薄膜 载流子传输层 SA
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