期刊文献+
共找到8篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
调光型节能灯电子镇流器专用集成电路概述 被引量:1
1
作者 杨龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期1-5,共5页
分析了电子镇流器从第一代到第三代的发展概况及其特点、当今世界上调光型节能灯电子镇流器的一些流行做法和一些相关电路,并且就调光型节能灯电子镇流器专用控制IC举出实例。
关键词 电子镇流器 节能灯 专用集成电路
在线阅读 下载PDF
可调光电子镇流器专用集成电路FM2822的原理与应用设计
2
《中国集成电路》 2003年第49期41-44,共4页
随着节约能耗要求的日益提高,电子镇流器作为一种节能产品应运而生,并且凭其优良的性能而得到了大力推广。在电子镇流器出现后不久,人们就开始研究如何利用电子镇流器来实现荧光灯的调光。荧光灯调光提高了电子镇流器设计的技术含量,使... 随着节约能耗要求的日益提高,电子镇流器作为一种节能产品应运而生,并且凭其优良的性能而得到了大力推广。在电子镇流器出现后不久,人们就开始研究如何利用电子镇流器来实现荧光灯的调光。荧光灯调光提高了电子镇流器设计的技术含量,使之作为照明子系统而嵌入楼宇自动化控制中,同时在家庭智能化中也有着广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电子镇流器 集成电路 FM2822 节能 预热 启辉 闭环负反馈 工作原理 异常保护功能
在线阅读 下载PDF
可调光电子镇流器专用集成电路FM2811的原理与应用设计
3
《集成电路应用》 2001年第5期84-88,共5页
本文系统地描述了专用集成电路FM2811的工作原理、性能特点及其在荧光灯调光控制系统中的应用设计要点。
关键词 荧光灯 电子镇流器 专用集成电路 FM2811 电路设计
在线阅读 下载PDF
NFC芯片与SIM卡连接的方案研究 被引量:9
4
作者 石亦欣 李蔚 《中国集成电路》 2007年第7期80-84,47,共6页
(NFC)近场通信应用是目前移动通讯行业与RFID行业所关注的热点,NFC技术将移动终端与RFID应用紧密的捆绑在一起,引发了一系列新的应用模式。作为NFC应用推动的主流力量,移动运营商提出了基于SIM卡实现NFC应用的需求。本文详细分析讨论了... (NFC)近场通信应用是目前移动通讯行业与RFID行业所关注的热点,NFC技术将移动终端与RFID应用紧密的捆绑在一起,引发了一系列新的应用模式。作为NFC应用推动的主流力量,移动运营商提出了基于SIM卡实现NFC应用的需求。本文详细分析讨论了NFC芯片与SIM卡连接的方法,并提出合理的建议方案。 展开更多
关键词 NFC SWP
在线阅读 下载PDF
零中频接收技术在RFID读卡机中的应用 被引量:4
5
作者 陈德华 《电子产品世界》 2005年第01A期108-110,共3页
RFID(射频识别)技术是近年来发展迅速的一种自动识别技术,本文主要分析零中频接收和IQ解调技术在UHF RFID读卡机设计中的应用,并研制出了一套射频自动识别系统。
关键词 射频识别技术 零中频接收技术 RFID读卡机 IQ解调 跳频
在线阅读 下载PDF
一种在DDS中节省ROM资源的实用方法 被引量:2
6
作者 蒲锦先 《无线电通信技术》 2002年第5期54-54,57,共2页
直接数字频率合成(DDS)是继直接频率合成和间接频率合成之后发展起来的第三代频率合成技术。主要介绍了一种可以大大节省FPGA和ASIC资源的DDS设计和实现方法。应用这种设计可以同时输出完全正交、高质量的SIN/COS信号。文章对DDS的构成... 直接数字频率合成(DDS)是继直接频率合成和间接频率合成之后发展起来的第三代频率合成技术。主要介绍了一种可以大大节省FPGA和ASIC资源的DDS设计和实现方法。应用这种设计可以同时输出完全正交、高质量的SIN/COS信号。文章对DDS的构成原理、优化算法以及具体实现进行了详细的描述。 展开更多
关键词 DDS ROM资源 直接数字频率合成 频率控制字 数控振荡器
在线阅读 下载PDF
集成电路知识产权模块应用与保护策略探讨 被引量:2
7
作者 沈磊 《中国集成电路》 2004年第9期22-26,共5页
本文针对SOC设计中集成电路知识产权模块(IP核)的应用与保护问题试从应用管理和保护机制及措施等几个方面进行了一些探讨,希望这些探讨在信息技术飞速发展的大背景下,对我们今天如何更有效应用和保护IP核提供一些帮助。
关键词 集成电路 IP核 SOC设计 模块 保护策略 应用管理 保护机制 知识产权 信息技术 效应
在线阅读 下载PDF
深亚微米金属硅化技术及其在设计中的应用
8
作者 沈磊 《集成电路应用》 2003年第4期76-81,共6页
本文在引入金属硅化物基本特性的基础上,阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物-TiSi_2和CoSi_2在深亚微米技术中形成的机理及关键点,特别介绍了所谓"自对准硅化物"形成方式(Self-Aligned Silicide-salicide... 本文在引入金属硅化物基本特性的基础上,阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物-TiSi_2和CoSi_2在深亚微米技术中形成的机理及关键点,特别介绍了所谓"自对准硅化物"形成方式(Self-Aligned Silicide-salicide)的原理及工艺过程,着重讨论了受"窄线宽效应"等影响时,TiSi_2等金属硅化物出现异常情况的原因,并针对性地给出了一些解决策略。与此同时,也讨论了在芯片设计时如何进行合理的单元拓扑结构设计,以期使金属硅化物发挥更大的效用等问题。 展开更多
关键词 金属硅化物 深亚微米技术 自对准硅化物 窄线宽效应 集成电路设计
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部