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适合宽输出范围频率综合器的CMOS压控振荡器电路
1
作者
何波
沈力为
杨莲兴
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期48-51,共4页
设计了一种基于锁相环宽输出范围(10 ~ 160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0 ~ 120 ℃、工艺的ss ~ ffcorner,增益(Kvco)的变化在3倍以内。无需根据输出频率...
设计了一种基于锁相环宽输出范围(10 ~ 160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0 ~ 120 ℃、工艺的ss ~ ffcorner,增益(Kvco)的变化在3倍以内。无需根据输出频率对电荷泵的充、放电电流或环路滤波器中的电阻作不同设置,环路的衰减因子就可控制在可接受的范围内,并降低了对其它环路参数的要求。设计基于标准0.6μm N-WELL CMOS 工艺,5V供电。
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关键词
压控振荡器
电流控制型环振
CMOS锁相环
频率综合器
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职称材料
题名
适合宽输出范围频率综合器的CMOS压控振荡器电路
1
作者
何波
沈力为
杨莲兴
机构
上海复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期48-51,共4页
文摘
设计了一种基于锁相环宽输出范围(10 ~ 160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0 ~ 120 ℃、工艺的ss ~ ffcorner,增益(Kvco)的变化在3倍以内。无需根据输出频率对电荷泵的充、放电电流或环路滤波器中的电阻作不同设置,环路的衰减因子就可控制在可接受的范围内,并降低了对其它环路参数的要求。设计基于标准0.6μm N-WELL CMOS 工艺,5V供电。
关键词
压控振荡器
电流控制型环振
CMOS锁相环
频率综合器
Keywords
VCO
current-steering amplifier
CMOS PLL
frequency synthesizer
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
适合宽输出范围频率综合器的CMOS压控振荡器电路
何波
沈力为
杨莲兴
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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