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题名半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除
被引量：6
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作者
闻瑞梅
邓守权
张亚峰
葛伟伟
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机构
上海同济大学电子信息工程学院
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期197-199,共3页
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文摘
本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法 .通过对电压、进水电导率 (淡室、浓室 )、流量 (淡室、浓室、极室 )、pH值等因素的研究 ,得出EDI最佳脱硅、硼条件 .EDI进水SiO_2 浓度为 10 0 0 μg/L ,最佳出水硅为 2 .6 6 μg/L ,为目前国内最好水平 .EDI进水硼浓度为 5 0 μg/L ,最佳出水中硼含量为 <1μg/L .满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求 (对于兆位电路硅要求 <3μg/L ,硼要求 <1μg/L) .
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关键词
电脱盐
EDI(Electrodeioniation)硅
硼
高纯水
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Keywords
EDI(Electrodeionization)
silicon
boron
ultra pure water
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分类号
TN304.052
[电子电信—物理电子学]
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题名一种基于Java技术的VHDL编译器的设计与开发
被引量：2
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作者
董志斌
吴启迪
严隽薇
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机构
上海同济大学电子信息工程学院
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出处
《计算机工程与应用》
CSCD
北大核心
2000年第12期74-76,共3页
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文摘
针对国内外VHDL(VHSIC Hardware Description Language)编译器开发的现状,提出了一种基于Java技术的VHDL编译器的开发方法,并着重介绍了编译器的整体结构、各部件的功能,以及编译器中关键部件的开发方法.
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关键词
JAVA语言
VHDL语言
编译器
设计
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分类号
TP314
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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题名研究光刻废水中二苯甲酮的处理方法及降解过程
被引量：1
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作者
闻瑞梅
葛伟伟
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机构
上海同济大学电子信息工程学院
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期1437-1441,共5页
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文摘
研究185nmUV对二苯甲酮浓度的降低和TOC(Total Organic Carbon)的去除方法.用185nm紫外及254nm紫外对光刻废水中二苯甲酮处理效果的对比.同时还研究了废水中二苯甲酮的降解过程及中间产物.
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关键词
185nm紫外
254nm紫外
二苯甲酮
降解过程
中间产物
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Keywords
185nmUV
254nmUV
diphenyl ketone
degradation
intermadiate
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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