0.25μm CMOS工艺10位100MHz流水线型ADC设计 被引量：2

1

作者 姜申飞 戴庆元 +2 位作者 朱红卫 陈美娜 王冬辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期835-838,共4页

采用流水线结构完成了一个10位精度100MHz采样频率的模数转换器的设计。该模数转换器采用采样保持电路、8级1.5位和最后一级2位子模数转换器的结构,电路使用全差分和开关电容电路技术。芯片采用台积电(TSMC)0.25μmCMOS工艺,电路典型工... 采用流水线结构完成了一个10位精度100MHz采样频率的模数转换器的设计。该模数转换器采用采样保持电路、8级1.5位和最后一级2位子模数转换器的结构,电路使用全差分和开关电容电路技术。芯片采用台积电(TSMC)0.25μmCMOS工艺,电路典型工作电压为2.5V,在室温下,输入信号为5MHz,采样频率100MHz时信号噪声失真比为59.7dB。 展开更多

关键词 流水线 模数转换器 采样保持

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大屏幕LCD驱动电路模块工艺

2

《中国集成电路》 2009年第4期36-36,42,共2页

上海华虹NEC电子有限公司的大屏幕LCD驱动电路模块工艺荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。

关键词 LCD驱动 电路模块 上海华虹NEC电子有限公司 工艺 创新产品 半导体 屏幕

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基于0.13μm CMOS工艺的无源RFID标签模拟前端电路设计 被引量：1

3

作者 朱红卫 彭敏 杜涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期65-69,101,共6页

设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能,整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、... 设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能,整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、载波中信号的提取、芯片时钟恢复和反向调制信号发射的全部功能。 展开更多

关键词 射频识别 模拟前端电路 13.56MHz 箝位电路 0.13m互补型金属氧化物半导体工艺

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HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究 被引量：1

4

作者 王鹏 卜皎 +5 位作者 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲 《电子器件》 CAS 2009年第3期526-528,共3页

高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束... 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性。通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善。 展开更多

关键词 等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导

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2．1GHz CMOS低噪声放大器

5

作者 铁宏安 李拂晓 +5 位作者 李向阳 冯晓辉 姚祥 魏倩 张斌 翁长羽 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期212-214,共3页

采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。

关键词 射频 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数

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高K栅介质研究进展 被引量：8

6

作者 赵毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期16-19,共4页

介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状。分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法。

关键词 栅极介质 高介电常数材料 高K栅介质 介电层 场效应管 二氧化硅

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超纯水制造系统中关于TOC的去除、检测和控制管理 被引量：7

7

作者 唐世权 《净水技术》 CAS 2006年第3期17-19,共3页

就半导体工厂超纯水制造系统中的一个重要污染物TOC进行了比较全面的分析和说明,阐述了超纯水制造系统中TOC的来源、去除方法、检测手段以及控制管理,对半导体工厂的制水管理人员有很好的借鉴作用。

关键词 TOC 去除 检测 控制管理

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N_2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究

8

作者 周群 林钢 +3 位作者 李曦 沈国飞 曹刚 石艳玲 《电子器件》 CAS 2011年第1期36-39,共4页

SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器... SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器性能得到优化。通过进一步电荷泵测试表明,电荷泵电流值Icp由1.8×10-6A减小到1.3×10-6A,减小27.8%,即隧穿氧化层与衬底之间的界面态显著减少。因此,在SONOS工艺中增加适当的N2O退火工艺,能有效地优化存储器的存储能力,提高SONOS存储性能。 展开更多

关键词 SONOS(硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅) 退火工艺 电荷保持性能 界面态

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一种金属填充硅通孔工艺的研究 被引量：5

9

作者 肖胜安 程晓华 +3 位作者 吴智勇 许升高 季伟 何亦骅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期180-183,共4页

硅通孔(Through silicon via)的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺,包括阻挡层淀积工艺和钨填充工艺,分析了不同填充... 硅通孔(Through silicon via)的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺,包括阻挡层淀积工艺和钨填充工艺,分析了不同填充工艺所造成的应力的变化。最后获得了一种深宽比达到58∶1的深硅通孔无缝填充。 展开更多

关键词 硅通孔 金属钨(W) 覆盖率 无缝填充

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MOS器件中的等离子损伤 被引量：2

10

作者 赵毅 徐向明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期34-37,共4页

随着栅极氧化膜的减薄,等离子对氧化膜的损伤(PlasmaProcessInducedDamage,P2ID)越来越受到重视。它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能。本文详细介绍了等离子损伤引起的机理、表征方法以及防止措施。

关键词 MOS器件 等离子损伤 氧化膜 表征方法

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高科技制造业工艺设备用废气处理装置 被引量：1

11

作者 刘建勋 《洁净与空调技术》 2013年第3期83-91,共9页

主要介绍集成电路、液晶光电和薄膜太阳能等高科技制造行业中,工艺设备尾气除害用的废气处理装置Local Scrubber以及相关产品的分类、功能、原理、处理效率、日常维护、报警处理和相关环保法律法规等。

关键词 集成电路 集成电路制造工厂 洁净厂房 废气处理装置或尾气处理装置 特殊气体 预防性保养 报警

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硅片级可靠性测试 被引量：1

12

作者 赵毅 徐向明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期5-7,28,共4页

介绍了硅片级可靠性之所以成为现在半导体工艺研发重要组成部分的原因。对硅片级可靠性所涉及的各个项目作了详细的介绍。同时,对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。最后,对硅片级可靠性测试的发展方向做了分析。

关键词 硅片 半导体工艺 可靠性测试 测试 研发 项目

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双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计 被引量：1

13

作者 孙尧 刘剑 +2 位作者 段文婷 陈瑜 陈华伦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期603-607,共5页

为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和... 为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。 展开更多

关键词 双n型深阱 隔离式高压n型沟道LDMOS 击穿电压 比导通电阻 非埋层工艺

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非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管 被引量：1

14

作者 钱文生 刘冬华 +2 位作者 胡君 段文婷 石晶 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期275-280,共6页

介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集... 介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压SiGe HBT,并实现不同击穿电压的超高压SiGe HBT阵列。详细阐述了该器件的制作工艺,并对器件的直流和射频性能作了系统的总结和分析。 展开更多

关键词 超高压 锗硅异质结双极晶体管 击穿电压 二维集电区

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高速NPN锗硅异质结双极晶体管的设计与制作 被引量：1

15

作者 钱文生 刘冬华 +5 位作者 陈帆 陈雄斌 石晶 段文婷 胡君 黄景丰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期467-471,共5页

报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件... 报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件特性的影响,并给出最优化的工艺条件。 展开更多

关键词 高速 锗硅异质结双极晶体管 截止频率

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集成电路工业的废气处理

16

作者 朱海英 黄其煜 《中国集成电路》 2008年第2期52-54,86,共4页

集成电路工业的废气有含氟化物和硫酸雾的酸性废气、含氨的碱性废气、含异丙醇和光刻胶的有机废气,含SiO2的含尘废气,以及含硅烷、磷烷的工艺尾气等,这些工业废气中大部分成分是有毒有害的,必须进行有效的处理才能排入大气中。本文主要... 集成电路工业的废气有含氟化物和硫酸雾的酸性废气、含氨的碱性废气、含异丙醇和光刻胶的有机废气,含SiO2的含尘废气,以及含硅烷、磷烷的工艺尾气等,这些工业废气中大部分成分是有毒有害的,必须进行有效的处理才能排入大气中。本文主要讨论上述工业废气的分类、处理方式、应用范围及应用实例等。 展开更多

关键词 集成电路工业 废气 分类 处理方式 应用范围

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一种锑注入剂量的监测方法

17

作者 郑刚 程秀兰 《电子与封装》 2009年第5期35-38,共4页

随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸,高压LCD驱动日渐受到市场的关注。该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺,作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错/层错缺陷。原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高,为了... 随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸,高压LCD驱动日渐受到市场的关注。该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺,作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错/层错缺陷。原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高,为了寻求一种更适用于量产的监测方法,文章对锑工艺区别于其他N型注入工艺监测的原因做了进一步分析,提出了一种改进的监测方法,通过低温快速热退火实现了短周期,剂量敏感且具有良好重复性,易于量产。 展开更多

关键词 锑 注入 热退火 低温 方块电阻

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干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用

18

作者 王倩 《中国集成电路》 2006年第10期43-46,共4页

本文以金属刻蚀去胶腔为背景,简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题,展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。

关键词 干刻清洗 DRY CLEAN 金属刻蚀 Metal ETCH 干刻 DRY ETCH 去胶腔 ASH CHAMBER 去胶速率:Ash Rate(AR)

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一种新型掩模板设计方法 被引量：1

19

作者 来凯泉 周京英 +1 位作者 倪凌云 曹余新 《集成电路应用》 2003年第7期41-43,共3页

1 概述本文介绍一种在同一块掩模板上制作多个掩模工程的新型掩模板设计方法-MLM(Multi-Layer Mask)。该方法可以实现集成电路开发设计中,掩模板制作费用的大幅下降,极大地降低集成电路产品开发成本。

关键词 掩模板 MLM 上海华虹电子有限公司 集成电路 光刻掩模

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集成电路的化学品供应系统探讨 被引量：1

20

作者 朱海英 《洁净与空调技术》 2008年第4期47-50,共4页

集成电路的化学品供应系统为生产线提供高品质化学品,因芯片与化学品直接接触,化学品供应系统的稳定与否影响生产线的正常运行。集成电路的化学品供应系统分为酸碱、有机、研磨液等种类,有槽车和化学桶供应模式,由泵或氮气供应到使用点... 集成电路的化学品供应系统为生产线提供高品质化学品,因芯片与化学品直接接触,化学品供应系统的稳定与否影响生产线的正常运行。集成电路的化学品供应系统分为酸碱、有机、研磨液等种类,有槽车和化学桶供应模式,由泵或氮气供应到使用点。主要从设计、安全对策、运行管理等方面探讨了集成电路的化学品供应系统。 展开更多

关键词 集成电路 化学品供应系统 化学桶供应模式 安全运行

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