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先进集成电路超大测试结构的短路失效定位方法
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作者 杨领叶 史燕萍 +4 位作者 段淑卿 陈强 蔡恩静 吕煜坤 高金德 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期416-420,共5页
针对先进集成电路超大测试结构的超薄金属缺陷导致的短路失效问题,开发了一种新的失效定位方法,该方法结合了电阻比例法、被动电压对比(PVC)、聚焦离子束(FIB)线路修补以及二分法等。通过电阻比例法,可以粗略地计算出该缺陷在结构中的... 针对先进集成电路超大测试结构的超薄金属缺陷导致的短路失效问题,开发了一种新的失效定位方法,该方法结合了电阻比例法、被动电压对比(PVC)、聚焦离子束(FIB)线路修补以及二分法等。通过电阻比例法,可以粗略地计算出该缺陷在结构中的大概位置,再利用FIB线路修补,结合PVC以及二分法,逐步将缺陷所在位置缩小到适合透射电子显微镜(TEM)分析的尺寸,通过TEM分析,定位到了导致金属线短路的超薄金属缺陷。 展开更多
关键词 超薄金属缺陷 电阻比例法 被动电压对比(PVC) 二分法 聚焦离子束(FIB)线路修补
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28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
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作者 方精训 姜兰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期838-843,共6页
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe... 针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe区域。这意味着在相同的热预算条件下,PMOS的工艺窗口相较于NMOS会更狭窄。结合激光退火工艺特性,在首次扫描过程中,受降温阶段的影响,晶圆特定区域会累积额外热量,使得该区域热预算异常升高,镍硅化物产生异常,导致产品良率损失;当激光退火温度降低40℃,镍硅化物缺陷问题得以成功解决,产品良率也得到明显提升。 展开更多
关键词 镍硅化物 良率 激光退火 热预算 高介电常数金属栅(HKMG)
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聚醚砜中空纤维膜的制备及其微结构调控 被引量:3
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作者 陆才运 袁彬瑞 +6 位作者 赵东 沈诗雨 蒋金虎 沈春银 王艳莉 詹亮 戴干策 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期15-21,共7页
以聚醚砜(PESU)为膜材料,聚乙烯吡咯烷酮为致孔剂,水为非溶剂,N,N-二甲基乙酰胺为溶剂,采用非溶剂致相分离的干喷湿纺法制备PESU中空纤维膜丝,探究了气隙湿度、PESU含量、牵伸倍数、喷板温度、凝固浴温度等因素对膜丝微结构的影响。使... 以聚醚砜(PESU)为膜材料,聚乙烯吡咯烷酮为致孔剂,水为非溶剂,N,N-二甲基乙酰胺为溶剂,采用非溶剂致相分离的干喷湿纺法制备PESU中空纤维膜丝,探究了气隙湿度、PESU含量、牵伸倍数、喷板温度、凝固浴温度等因素对膜丝微结构的影响。使用扫描电子显微镜观察了膜丝截面形貌结构并对膜丝组件的牛血清蛋白(BSA)截留性能进行了表征。结果表明,在PESU质量分数为15%~18%、气隙湿度为60%、喷板温度为30℃、凝固浴温度为70℃及牵伸倍数为2.5~3倍的条件下可制得内皮层较薄、支撑层呈海绵孔结构的中空纤维膜;气隙湿度由50%增加至60%时,膜丝内皮层厚度占比由10.02%减小至4.07%;膜丝内皮层厚度占比随PESU含量的增大及喷板温度的提高而增加,随牵伸倍数的增大、气隙湿度的提升及凝固浴温度的升高而下降;所制得的带内皮层的截面海绵状结构中空纤维膜对BSA截留率皆在98%以上。 展开更多
关键词 聚醚砜 中空纤维膜 纺丝工艺 形貌结构 微结构调控
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制备工艺对聚醚砜中空纤维膜外表面孔结构的影响 被引量:3
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作者 沈诗雨 赵东 +6 位作者 袁彬瑞 陆才运 蒋金虎 邓启帆 王贝 沈春银 戴干策 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期57-65,共9页
以聚醚砜(PESU)作为膜基材,聚乙烯吡咯烷酮为致孔添加剂,N,N-二甲基乙酰胺为溶剂,水为非溶剂,采用非溶剂致相分离法制备了PESU中空纤维膜。依据膜丝外表面形貌结构表征,对膜丝外表面孔结构包括开孔率、平均孔径、孔径分布等参数进行了... 以聚醚砜(PESU)作为膜基材,聚乙烯吡咯烷酮为致孔添加剂,N,N-二甲基乙酰胺为溶剂,水为非溶剂,采用非溶剂致相分离法制备了PESU中空纤维膜。依据膜丝外表面形貌结构表征,对膜丝外表面孔结构包括开孔率、平均孔径、孔径分布等参数进行了统计分析,研究了气隙高度及其相对湿度、纺丝牵伸倍数、凝固浴温度与喷板温度等工艺参数对膜丝外表面孔结构的影响。结果表明,在气隙高度30 cm、气隙相对湿度70%、牵伸倍数1倍、凝固浴温度70℃、喷板温度30℃的条件下,可制得外表面开孔情况较好的中空纤维膜;提高气隙高度或者气隙相对湿度都会增加膜丝外表面开孔率,在相对湿度为70%时开孔率可达18.13%,平均孔径达到最大值0.23μm,但孔径大小均匀性下降;随牵伸倍数的增加,外表面开孔率下降、孔径分布均匀性增加;凝固浴温度的升高有利于外表面开孔;喷板温度的升高则会使膜外表面开孔率下降甚至产生致密皮层。凝固浴温度为70℃时,膜的纯水通量达到530.6 mL/(m2·h·mmHg)。 展开更多
关键词 聚醚砜 中空纤维膜 外表面孔结构 平均孔径 孔径分布
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聚焦离子束制样条件对TEM样品形貌的影响 被引量:2
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作者 孙紫涵 李明 +1 位作者 高金德 吴涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期25-30,共6页
聚焦离子束(FIB)因其制样成功率和效率高,可定点精确制样等特点已经成为半导体失效分析领域重要的透射电子显微镜(TEM)制样方法。利用双束FIB系统针对TEM样品制备条件对样品形貌的影响进行了分析和研究。通过控制变量法等方法分析了FIB... 聚焦离子束(FIB)因其制样成功率和效率高,可定点精确制样等特点已经成为半导体失效分析领域重要的透射电子显微镜(TEM)制样方法。利用双束FIB系统针对TEM样品制备条件对样品形貌的影响进行了分析和研究。通过控制变量法等方法分析了FIB的电子束或离子束等制样条件可能对样品带来的损伤。通过实验发现,FIB的离子束能量对TEM样品热损伤影响较小,电子束的电压和电流是引起样品损伤的主要因素。实验证明,在电子束辅助沉积保护层时适当降低电子束的电压和电流,可有效改善样品的微观形貌。 展开更多
关键词 透射电子显微镜(TEM) 制样 失效分析 聚焦离子束(FIB) 热损伤 电子束辅助沉积 保护层
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环栅纳米线FET自热效应及微尺度空间效应研究 被引量:1
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作者 黄宁 赵婉婉 +2 位作者 刘伟景 杨婷 李清华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期932-937,共6页
研究了纳米线高度与纳米线宽度对5 nm制程垂直堆叠式环栅纳米线场效应晶体管(GAA NWFET)中自热效应及微尺度空间效应的影响机理。利用Sentaurus TCAD软件对不同尺寸的纳米线器件性能进行仿真,采用控制变量法,以0.5 nm为步长,分别将纳米... 研究了纳米线高度与纳米线宽度对5 nm制程垂直堆叠式环栅纳米线场效应晶体管(GAA NWFET)中自热效应及微尺度空间效应的影响机理。利用Sentaurus TCAD软件对不同尺寸的纳米线器件性能进行仿真,采用控制变量法,以0.5 nm为步长,分别将纳米线高度及宽度从4 nm增加至8 nm。仿真结果表明,当纳米线高度及宽度分别取4 nm和6.5 nm时,可最大程度规避微尺度空间效应对载流子迁移率的影响,并有效提升散热能力,使器件开态电流增加44.4%,沟道热学电阻减小60.3%。此外,设置纳米线高度为4 nm,依次将顶部/中部/底部沟道的纳米线宽度从6.5 nm增加至8 nm,发现当底部沟道的纳米线宽度相等时,增加靠近体硅处的沟道宽度更有利于改善器件的电热性能。 展开更多
关键词 环栅 垂直堆叠结构 自热效应 微尺度空间效应 纳米线
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