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Colorless/Black Switching Electrochromic Device Based on WO_(3)·xH_(2)O and Reversible Metal Colorless/Black Switching Electrochromic Device Based on WO_(3)·xH_(2)O and Reversible Metal Electrodeposition
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作者 WAN Xinyi WANG Wenqi +3 位作者 LI Jiacheng ZHAO Junliang MA Dongyun WANG Jinmin 《无机材料学报》 北大核心 2025年第10期1163-1172,I0001,I0002,共12页
Electrochromic(EC)smart windows utilizing a reversible metal electrodeposition device(RMED)offer a compelling alternative for dynamically regulating transmissions of optical and thermal energy.An EC device(ECD)is cons... Electrochromic(EC)smart windows utilizing a reversible metal electrodeposition device(RMED)offer a compelling alternative for dynamically regulating transmissions of optical and thermal energy.An EC device(ECD)is constructed by reversible metal electrodeposition(RME)of Bi/Cu on WO_(3)·xH_(2)O film electrodeposited onto fluorine-doped tin oxide(FTO)transparent conductive glass.The electrolyte consists of CuCl_(2),BiCl_(3),KCl and HCl aqueous solution,supplying necessary components for both electrochemical and electrodeposition processes.The ECD shows ability to rapidly transition between colorless and black states,which achieves a large optical modulation of 77.0%at 570 nm.In the black state,the ECD exhibits a near-zero transmittance in the wavelength range of 400-1100 nm while maintaining 96.6%of its initial optical modulation after coloration/bleaching cycling of 60000 s,exhibiting good cyclic stability.This RMED has relatively high stability under open-circuit voltage and also possesses excellent heat insulation performance.The results offer a solution to overcome the poor cyclic stability of RMEDs and improve the optical modulation of ECDs. 展开更多
关键词 reversible metal electrodeposition electrochromic WO_(3)·xH_(2)O
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Cu-Mn-I固溶体薄膜制备及其p型透明导电性质调控
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作者 王亮君 欧阳玉昭 +1 位作者 赵俊亮 杨长 《无机材料学报》 北大核心 2025年第9期1022-1028,共7页
在光电子器件领域,具有可控电学参数的p型透明半导体材料具有重要的应用价值。但以CuI为代表的该类材料在制备工艺与掺杂调控方面仍存在显著技术瓶颈。本研究通过锰阳离子掺杂,成功制备出具有可调电学特性的新型p型透明半导体材料,为透... 在光电子器件领域,具有可控电学参数的p型透明半导体材料具有重要的应用价值。但以CuI为代表的该类材料在制备工艺与掺杂调控方面仍存在显著技术瓶颈。本研究通过锰阳离子掺杂,成功制备出具有可调电学特性的新型p型透明半导体材料,为透明电子学发展提供了新思路。采用反应磁控溅射技术制备的Cu1–xMnxI固溶体薄膜展现出独特的性能优势。首先,该材料可以在室温条件下制备,并保持优异的可见光透明性。其次,随着锰掺杂量(x)的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐减小,并且出现明显的晶粒团聚现象。通过X射线光电子能谱分析,揭示了薄膜中锰离子以Mn^(2+)和Mn^(3+)混合价态存在。电学性能表征显示,薄膜电阻率可在0.017~2.5Ω·cm区间实现两个数量级的可控调节,同时空穴载流子浓度稳定维持在10^(18)~10^(19) cm^(-3)较高数量级。与传统n型半导体掺杂规律不同,引入高价态锰离子未显著影响材料的p型导电特性,这可能源于锰取代亚铜离子后形成的非完全离域电子态。本研究表明CuI半导体的空穴导电特性不易受高价锰离子掺杂的影响,有望在保持良好p型导电性的情况下在较大范围内实现材料组分的宽域调控,为开发CuI基多功能透明电子器件提供了重要材料基础。 展开更多
关键词 Cu_(1-x)Mn_(x)I 透明p型半导体 可控p型导电性
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