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BCD工艺概述被引量：8: 1; 作者陈志勇黄其煜龚大卫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期641-644,659,共5页; 介绍了BCD(bipolarCMOSDMOS)的工艺原理、特点和发展前景。对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展... 展开更多; 关键词 BCD工艺双扩散金属氧化物半导体管模块化高压高密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策被引量：1: 2; 作者尤美琳朱亦鸣《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期176-181,共6页; 集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电... 展开更多; 关键词 AlSiCu互连刻蚀后残留物清洗空洞; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于BiCMOS工艺的版图与原理图匹配验证: 3; 作者蔡斌君黄其煜龚大卫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期593-597,共5页; 从BiCMOS工艺着手,结合一个基本的基准电路,从实施命令文件编写的角度,重点论述了模拟集成电路的版图与原理图匹配验证中的一个重要环节,即器件的正确识别与图层间节点信息的传输。就其中易出现的一些问题,逐一提出了具体的解决方案,同... 展开更多; 关键词匹配验证命令文件节点逻辑运算器件识别; 在线阅读下载PDF 职称材料

光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案: 4; 作者刘峰松陶有飞陆金《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期59-62,共4页; 针对由金属-绝缘体-金属（MIM）电容金属层光刻返工引起的产品成品率下降10%的问题,开展了一系列工艺实验,分析了引起失效的机理并提出了改进措施。采用扫描电子显微镜对失效样品进行了分析和表征,发现失效样品的氮化硅介电层有空洞,而... 展开更多; 关键词光刻返工金属-绝缘体-金属(MIM)电容针孔等离子体去胶显影溶剂; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BCD工艺概述被引量：8: 1; 作者陈志勇黄其煜龚大卫; 机构上海交通大学微电子学院上海先进半导体制造股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期641-644,659,共5页; 文摘介绍了BCD(bipolarCMOSDMOS)的工艺原理、特点和发展前景。对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示驱动这两大市场驱动进行了分析,并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。; 关键词 BCD工艺双扩散金属氧化物半导体管模块化高压高密度; Keywords BCD process DMOS modularization high voltage high density; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策被引量：1: 2; 作者尤美琳朱亦鸣; 机构上海交通大学微电子学院上海先进半导体制造股份有限公司工艺集成部上海理工大学教育部光学仪器与系统工程研究中心; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期176-181,共6页; 基金上海市科委纳米技术专项资助项目(0952nm02400) 上海市科委浦江人才计划资助项目(09PJ1407800) +2 种基金教育部留学回国科研启动基金资助项目; 文摘集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电偶腐蚀而腐蚀Al。并且清洗使用的化学试剂由于含有胺根,水解后加剧了对Al的腐蚀。我们通过降低AlSiCu合金溅射时的衬底温度,将AlSiCu合金表面氧化,去离子水清洗时通入CO2这三种方案来防止AlSiCu合金在清洗时被腐蚀,从而提高了产品的成品率。; 关键词 AlSiCu互连刻蚀后残留物清洗空洞; Keywords AlSiCu interconnect etch residue cleaning holes; 分类号 TN305.96 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于BiCMOS工艺的版图与原理图匹配验证: 3; 作者蔡斌君黄其煜龚大卫; 机构上海交通大学微电子学院上海先进半导体制造股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期593-597,共5页; 文摘从BiCMOS工艺着手,结合一个基本的基准电路,从实施命令文件编写的角度,重点论述了模拟集成电路的版图与原理图匹配验证中的一个重要环节,即器件的正确识别与图层间节点信息的传输。就其中易出现的一些问题,逐一提出了具体的解决方案,同时借助专业验证平台演示了如何运用图层间的逻辑运算,将其中一些处理技巧转化为可以被验证程序执行的语言,以达到快速、准确验证的目的。验证的实际结果证明这些解决方案是可行并有效的。; 关键词匹配验证命令文件节点逻辑运算器件识别; Keywords LVS command file node logic operation device recognition; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案: 4; 作者刘峰松陶有飞陆金; 机构上海先进半导体制造股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期59-62,共4页; 文摘针对由金属-绝缘体-金属（MIM）电容金属层光刻返工引起的产品成品率下降10%的问题,开展了一系列工艺实验,分析了引起失效的机理并提出了改进措施。采用扫描电子显微镜对失效样品进行了分析和表征,发现失效样品的氮化硅介电层有空洞,而未经MIM光刻返工的样品均未发现介质层有异常。由于MIM金属层光刻返工时,经过等离子体去胶和EKC溶液清洗表面易对电容介质层造成损伤,引起极板间短路,进而影响器件性能。实验结果表明,采用有机显影溶剂去胶来取代等离子体去胶,可有效改善光刻返工引起的电介质层损伤。采用该方法返工两次以内的成品率均不受影响。同时发现MIM电容层上的钨塞孔链密度在一定程度上影响失效率,分析认为高孔链密度样品更易受到后续孔刻蚀工艺的强电场影响。; 关键词光刻返工金属-绝缘体-金属(MIM)电容针孔等离子体去胶显影溶剂; Keywords lithography rework metal-insulator-metal （MIM） capacitor pin hole plasma strip developer solvent; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	BCD工艺概述	陈志勇黄其煜龚大卫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策	尤美琳朱亦鸣	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于BiCMOS工艺的版图与原理图匹配验证	蔡斌君黄其煜龚大卫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案	刘峰松陶有飞陆金	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料