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微机电系统光开关的扭臂式静电驱动结构设计 被引量:1
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作者 刘军 李海华 王庆康 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1675-1679,共5页
基于扭臂式静电驱动微执行器的基本模型,运用力矩法推导出该结构的Pull-in电压和角度,并设计了用于微机电系统(Micro Electronic Mechanical System,MEMS)光开关的单晶硅扭臂式静电驱动结构参数.在所选结构参数下,运用力电耦合分析方法... 基于扭臂式静电驱动微执行器的基本模型,运用力矩法推导出该结构的Pull-in电压和角度,并设计了用于微机电系统(Micro Electronic Mechanical System,MEMS)光开关的单晶硅扭臂式静电驱动结构参数.在所选结构参数下,运用力电耦合分析方法,研究了空气阻尼作用对扭臂式静电驱动结构Pull-in电压的影响.对所设计的驱动结构,考虑空气阻尼作用时,Pull-in电压增大约7%.对单晶硅扭臂式静电驱动结构进行应力分析得到,当上下极板发生吸合时,结构应力均匀分布在上电极,且扭臂的最大内应力仅为72.848MPa,远小于单晶硅的屈服强度,整个驱动结构的设计是稳定可靠的;用力矩法推导出的该结构的Pull-in电压适用于该微静电驱动系统.研究结果为扭臂式微驱动器参数选择提供了依据. 展开更多
关键词 扭臂式静电驱动微执行器 力矩法 Pull-in电压 力电耦合分析方法
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纳米硅/还原氧化石墨烯复合纤维材料及其负极结构锂离子超级电容器 被引量:4
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作者 王佩遥 邵枫 +2 位作者 徐阳 胡南滔 张亚非 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第5期706-719,共14页
通过湿法纺丝工艺成功制备了纳米硅/还原氧化石墨烯复合纤维材料,并对其进行形貌表征与电化学性能测试。纳米硅颗粒嵌入石墨烯层间褶皱的结构具有限制硅材料在储锂过程中体积膨胀的作用,适于作为锂离子电容器负极。同时,研究了锂离子电... 通过湿法纺丝工艺成功制备了纳米硅/还原氧化石墨烯复合纤维材料,并对其进行形貌表征与电化学性能测试。纳米硅颗粒嵌入石墨烯层间褶皱的结构具有限制硅材料在储锂过程中体积膨胀的作用,适于作为锂离子电容器负极。同时,研究了锂离子电容器多孔活性炭正极材料的双电层电容特性,通过组装成对称超级电容器,对其电化学性能进行测试,并结合材料的形貌,分析其作为锂离子电容器正极的合理性。为使正负极电荷匹配,分别对负极硅碳纤维和正极活性炭材料组装的锂离子半电池的倍率、循环稳定性、电化学阻抗等电化学性能进行了测试。结果表明,纳米硅/还原氧化石墨烯复合纤维材料的比容量最高可达826.2 mA·h/g(在电流密度为0.2 A/g时),活性炭比容量可达39.9 mA·h/g。组装成的锂离子电容器在合理的匹配条件下,充放电首圈循环比容量可达58.2 mA·h/g (在电流密度为0.2 A/g时),能量密度为26.8 W·h/kg,循环100圈后,比容量保持率降至41.7%。 展开更多
关键词 锂离子超级电容器 锂离子电池 纳米硅 还原氧化石墨烯(rGO) 复合纤维材料 活性炭 硅碳负极
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表面氧修饰纳米金刚石制备及抗菌性能 被引量:2
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作者 苗泽萌 杨勇 +2 位作者 黄小露 张耀中 张亚非 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第3期468-475,共8页
表面修饰可有效提升纳米金刚石的抗菌性能。通过在空气中高温退火的方式实现了纳米金刚石的表面氧修饰,并对其进行了一系列表征以及抗菌测试。表征结果与采用光密度(OD)法进行抗菌测试结果表明,空气中400℃下退火进行的氧修饰可在纳米... 表面修饰可有效提升纳米金刚石的抗菌性能。通过在空气中高温退火的方式实现了纳米金刚石的表面氧修饰,并对其进行了一系列表征以及抗菌测试。表征结果与采用光密度(OD)法进行抗菌测试结果表明,空气中400℃下退火进行的氧修饰可在纳米金刚石表面引入C=O官能团,并显著提高纳米金刚石的抗菌能力,对于金黄色葡萄球菌与大肠杆菌的抗菌率分别可达64.8%与83.4%。C=O官能团的形成将大量电子引入体系,并在氧原子作用下在表面富集,从而形成强负电性表面,该结论与Zeta电位结果一致。强负电性表面可抑制细菌的生长和繁殖,这使氧修饰纳米金刚石具有良好的抗菌性能。 展开更多
关键词 纳米金刚石 表面氧修饰 氧官能团 负电性表面 抗菌性能
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基于氯盐掺杂的单壁碳纳米管室温气体传感器
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作者 朱明奎 田阗 +2 位作者 张如轩 尹欢 苏言杰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第3期385-391,共7页
对单壁碳纳米管进行掺杂可以促进特定气体分子与单壁碳纳米管之间的电荷转移,从而提高其响应与选择性。使用氯化铯、氯化金对单壁碳纳米管进行掺杂,并在室温下使用Raman光谱研究了单壁碳纳米管与氯盐之间的界面电荷转移,研制了基于氯盐... 对单壁碳纳米管进行掺杂可以促进特定气体分子与单壁碳纳米管之间的电荷转移,从而提高其响应与选择性。使用氯化铯、氯化金对单壁碳纳米管进行掺杂,并在室温下使用Raman光谱研究了单壁碳纳米管与氯盐之间的界面电荷转移,研制了基于氯盐掺杂的单壁碳纳米管的二氧化氮室温气体传感器。研究结果表明,氯盐掺杂的单壁碳纳米管的D峰和2D峰的位置发生了蓝移。氯化铯掺杂的单壁碳纳米管气体传感器对于体积分数为1×10-6的二氧化氮表现出了高达230%的响应度,以及优异的选择性与可重复性。实验结果表明,氯盐掺杂可以改变单壁碳纳米管的费米能级,从而影响单壁碳纳米管对气体分子的传感性能。 展开更多
关键词 单壁碳纳米管(SWCNT) 气体传感器 氯化铯 氯化金 二氧化氮
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氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
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作者 官郭沁 邹荣 +6 位作者 左青云 田盼 吕杭炳 田志 王奇伟 曾敏 杨志 《现代电子技术》 2021年第6期1-5,共5页
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚... 采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。 展开更多
关键词 氧化钽 阻变存储器 电压调制 初始化电压 阻变单元 置位/复位电压
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磁通门磁张量仪研究进展 被引量:1
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作者 刘佳宁 支绍韬 +1 位作者 孙学成 雷冲 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第11期949-956,1029,共9页
简要介绍了磁张量仪的基本概念与种类划分,并对不同种类的磁张量仪进行对比。阐述了国内外磁通门磁张量仪的发展历史,包括十字型、正四面体型、三角型和正六面体型等不同构型的磁通门磁张量仪。说明了磁张量仪在航磁测量和海洋磁测领域... 简要介绍了磁张量仪的基本概念与种类划分,并对不同种类的磁张量仪进行对比。阐述了国内外磁通门磁张量仪的发展历史,包括十字型、正四面体型、三角型和正六面体型等不同构型的磁通门磁张量仪。说明了磁张量仪在航磁测量和海洋磁测领域的需求与要求。概述了磁通门磁张量仪使用过程中存在的测量误差及相应的校正算法研究,并对磁通门磁张量仪搭载外部平台时的误差补偿方法进行总结。介绍了磁通门传感器的微电子机械系统(MEMS)微型化发展历程,并对其未来研究重点进行了展望。 展开更多
关键词 磁张量仪 微电子机械系统(MEMS) 磁通门 磁测量 微型化
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