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热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）
被引量：
2
1
作者
乌李瑛
柏荣旭
+4 位作者
瞿敏妮
田苗
沈赟靓
王英
程秀兰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第10期795-802,共8页
以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEA...
以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。
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关键词
二氧化铪(HfO2)
原子层沉积(ALD)
热原子层沉积(TALD)
等离子增强原子层沉积(PEALD)
介电常数
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职称材料
BCTZ纳米线的制备及其在能量采集中的应用
被引量：
1
2
作者
胡海燕
陈乐
+1 位作者
李海华
王英
《传感器与微系统》
CSCD
2019年第8期147-149,156,共4页
(Ba0. 85Ca0. 15)(Ti0. 9Zr0. 1)O3(BCTZ)是一种具有优异压电性能且无污染的无铅压电陶瓷。采用静电纺丝的方法,制备得到了纯钙钛矿结构的BCTZ纳米线,通过与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合,制得了能量采集器件。为了提高器件的输出性能,实验...
(Ba0. 85Ca0. 15)(Ti0. 9Zr0. 1)O3(BCTZ)是一种具有优异压电性能且无污染的无铅压电陶瓷。采用静电纺丝的方法,制备得到了纯钙钛矿结构的BCTZ纳米线,通过与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合,制得了能量采集器件。为了提高器件的输出性能,实验引入了介电泳的方式来改善纳米线在PDMS中的取向性。实验表明:经介电泳定向后的器件的最大开路电压和短路电流分别可达2. 25 V和27. 3 n A。PDMS具有良好的生物相容性和延展性,基于BCTZ/PDMS薄膜的压电器件在可穿戴微纳米电子器件中将具有巨大的应用潜能。
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关键词
能量采集器件
(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O3(BCTZ)
静电纺丝
介电泳
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职称材料
题名
热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）
被引量：
2
1
作者
乌李瑛
柏荣旭
瞿敏妮
田苗
沈赟靓
王英
程秀兰
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件校级平台
Beneq
上海
代表处
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第10期795-802,共8页
基金
National Ministry of Science and Technology“13thFive-Year”Key Research and Development Program Sub Project for High Performance Computing(2016YFB0200205)
2018 Shanghai Public R&D Service Center Construction Project(18DZ2295400)
文摘
以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。
关键词
二氧化铪(HfO2)
原子层沉积(ALD)
热原子层沉积(TALD)
等离子增强原子层沉积(PEALD)
介电常数
Keywords
hafnium oxide(Hf O2)
atomic layer deposition(ALD)
thermal atomic layer deposition(TALD)
plasma enhanced atomic layer deposition(PEALD)
dielectric constant
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
BCTZ纳米线的制备及其在能量采集中的应用
被引量：
1
2
作者
胡海燕
陈乐
李海华
王英
机构
上海交通大学
电子信息
与电气工程
学院
薄膜与微细技术教育部重点实验室
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件校级平台
出处
《传感器与微系统》
CSCD
2019年第8期147-149,156,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(81770242,11475043)
上海交通大学医工交叉基金资助项目(YG2014M66)
上海交通大学现代农业学科交叉(Agri-X)基金资助项目(Agri-X2017003)
文摘
(Ba0. 85Ca0. 15)(Ti0. 9Zr0. 1)O3(BCTZ)是一种具有优异压电性能且无污染的无铅压电陶瓷。采用静电纺丝的方法,制备得到了纯钙钛矿结构的BCTZ纳米线,通过与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合,制得了能量采集器件。为了提高器件的输出性能,实验引入了介电泳的方式来改善纳米线在PDMS中的取向性。实验表明:经介电泳定向后的器件的最大开路电压和短路电流分别可达2. 25 V和27. 3 n A。PDMS具有良好的生物相容性和延展性,基于BCTZ/PDMS薄膜的压电器件在可穿戴微纳米电子器件中将具有巨大的应用潜能。
关键词
能量采集器件
(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O3(BCTZ)
静电纺丝
介电泳
Keywords
energy acquisition device
(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O3(BCTZ)
electrospinning
dielectrophoresis
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）
乌李瑛
柏荣旭
瞿敏妮
田苗
沈赟靓
王英
程秀兰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
BCTZ纳米线的制备及其在能量采集中的应用
胡海燕
陈乐
李海华
王英
《传感器与微系统》
CSCD
2019
1
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职称材料
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