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InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究 被引量:1
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作者 孔令民 蔡加法 +3 位作者 林雪娇 杨克勤 吴正云 沈文忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期549-553,共5页
分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,... 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子 声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。 展开更多
关键词 InGaAs/GaAs应变量子阱 光谱研究 时间分辨谱 光致发光谱 光伏谱 半导体材料 砷化镓 砷镓铟化合物 形态势模型
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偏振方向对ZnTe电光THz辐射探测的影响 被引量:5
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作者 顾春明 刘锐 +1 位作者 贺莉蓉 沈文忠 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期333-336,共4页
在实验上研究了探测光的偏振方向对ZnTe晶体THz探测的影响 .在一周 36 0°范围内 ,测量出现两次零值 ,角度间隔为 180° ,在两个零值之间的 90°处出现不为零的小值 ,4 5°处不为最大值 .将ZnTe晶体在THz辐射电脉冲作... 在实验上研究了探测光的偏振方向对ZnTe晶体THz探测的影响 .在一周 36 0°范围内 ,测量出现两次零值 ,角度间隔为 180° ,在两个零值之间的 90°处出现不为零的小值 ,4 5°处不为最大值 .将ZnTe晶体在THz辐射电脉冲作用下产生的电光效应等效于瞬间任意波片 ,用琼斯矩阵法模拟实验过程 ,结果表明除在 90 0 处出现零值外其余模拟结果与实验结果相符 .用THz光子与横光学声子相互作用模型对此进行了定性解释 . 展开更多
关键词 余模 晶体 波片 声子 最大值 光子 电光效应 偏振方向 THZ辐射 探测
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不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱 被引量:3
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作者 孔令民 蔡加法 +2 位作者 李明 吴正云 沈文忠 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期115-118,共4页
本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.
关键词 表面光伏谱 应变量子阱 形变势模型 光电器件 砷化镓
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GaAs远红外探测器中的辐射复合特性研究
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作者 沈文忠 蒋立峰 +2 位作者 俞罡 王晓光 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期15-18,共4页
借助光致发光技术对n-GaAs同质结内发射远红外探测器结构进行了详细的辐射复合特性研究.根据发光特性和高密度理论计算,观察和确认了来自探测器发射层中的光致发光信号.提出了光生载流子转移模型,很好地解释了发射层中光致发光... 借助光致发光技术对n-GaAs同质结内发射远红外探测器结构进行了详细的辐射复合特性研究.根据发光特性和高密度理论计算,观察和确认了来自探测器发射层中的光致发光信号.提出了光生载流子转移模型,很好地解释了发射层中光致发光信号与温度和激发功率的依赖关系.根据得到的辐射复合特性,提出了进一步提高探测器工作温度的方案. 展开更多
关键词 辐射复合 远红外探测器结构 光生载流子转移.
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碲化镉薄膜太阳能电池及其溅射制备 被引量:8
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作者 张榕 周海平 陈红 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期47-50,共4页
简单综述了化合物半导体碲化镉太阳能电池的发展历史、基本结构和核心问题,在此基础上重点总结了用溅射法制备的多晶碲化镉薄膜太阳能电池的优缺点、面临问题、发展现状,展望了它的发展趋势,并讨论了用溅射法制备渐变带隙碲化镉薄膜太... 简单综述了化合物半导体碲化镉太阳能电池的发展历史、基本结构和核心问题,在此基础上重点总结了用溅射法制备的多晶碲化镉薄膜太阳能电池的优缺点、面临问题、发展现状,展望了它的发展趋势,并讨论了用溅射法制备渐变带隙碲化镉薄膜太阳能电池以提高转化效率的可能性。 展开更多
关键词 碲化镉 薄膜太阳能电池 溅射法
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半导体氮化物AlInN的光学性质
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作者 蒋立峰 沈文忠 郭其新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期207-211,241,共6页
测量了AlInN薄膜(包括InN和AlN)的透射和反射光谱,结合四层透射和反射模型得到AlInN的一系列变温光学性质,包括吸收系数、能带带隙、乌尔巴赫带尾参数、折射率等等.采用一套经验公式,描述InN薄膜在本征吸收区和乌尔巴赫吸收区的吸收系数... 测量了AlInN薄膜(包括InN和AlN)的透射和反射光谱,结合四层透射和反射模型得到AlInN的一系列变温光学性质,包括吸收系数、能带带隙、乌尔巴赫带尾参数、折射率等等.采用一套经验公式,描述InN薄膜在本征吸收区和乌尔巴赫吸收区的吸收系数.发现带隙以下,AlN薄膜的折射率遵守Sellmeier经验公式.用基于态密度和载流子—声子相互作用的带尾态理论,很好地解释了AlInN薄膜中带尾态现象.通过测量显微拉曼光谱,研究了AlInN薄膜的晶格振动性质.运用详细的模型(考虑了晶格热膨胀、残余应力和多声子耦合),阐释了AlInN声子频率的变温特性.了解AlInN薄膜的这些光学性质是相当重要的,不仅有利于透彻了解材料的基本性质还有利于相关光电子器件的开发. 展开更多
关键词 AlInN薄膜 光学性质 温度行为
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多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用(下)
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作者 苏未安 沈文忠 《太阳能》 2012年第24期55-60,共6页
除多重激子产生的效率外,多重激子产生的阈值能量也是多重激子效应的一个重要参数。阈值能量ET[18,24,26,27,35,38]是指在纳米半导体中产生多重激子效应所需入射光子的最小能量向hv’。
关键词 激子效应 多重 太阳电池 应用 阈值能量 纳米半导体 最小能量 入射光子
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多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用(上)
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作者 苏未安 沈文忠 《太阳能》 2012年第23期41-45,共5页
以多重激子产生的碰撞电离过程为其物理机制,结合Fermi在1950年建立的统计模型理论,建立了一个能够解释较大尺度范围内的纳米半导体颗粒中多重激子产生效应的统计模型。PbSe量子点中多重激子效应的计算结果不仅证实了该模型的正确性,并... 以多重激子产生的碰撞电离过程为其物理机制,结合Fermi在1950年建立的统计模型理论,建立了一个能够解释较大尺度范围内的纳米半导体颗粒中多重激子产生效应的统计模型。PbSe量子点中多重激子效应的计算结果不仅证实了该模型的正确性,并能初步解决该领域现存的争议。此外,改进了计算太阳电池效率的细致平衡模型,详细探讨了多重激子产生对于纳米结构的先进太阳电池效率的增强作用。 展开更多
关键词 多重激子效应 碰撞电离机制 先进太阳电池 细致平衡模型 阈值能量
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