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InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究被引量：1: 1; 作者孔令民蔡加法 +3 位作者林雪娇杨克勤吴正云沈文忠《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期549-553,共5页; 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,... 展开更多; 关键词 InGaAs/GaAs应变量子阱光谱研究时间分辨谱光致发光谱光伏谱半导体材料砷化镓砷镓铟化合物形态势模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

偏振方向对ZnTe电光THz辐射探测的影响被引量：5: 2; 作者顾春明刘锐 +1 位作者贺莉蓉沈文忠《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期333-336,共4页; 在实验上研究了探测光的偏振方向对ZnTe晶体THz探测的影响 .在一周 36 0°范围内 ,测量出现两次零值 ,角度间隔为 180° ,在两个零值之间的 90°处出现不为零的小值 ,4 5°处不为最大值 .将ZnTe晶体在THz辐射电脉冲作... 展开更多; 关键词余模晶体波片声子最大值光子电光效应偏振方向 THZ辐射探测; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱被引量：3: 3; 作者孔令民蔡加法 +2 位作者李明吴正云沈文忠《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期115-118,共4页; 本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量．利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好．; 关键词表面光伏谱应变量子阱形变势模型光电器件砷化镓铟; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体氮化铟(InN)的电学性质被引量：4: 4; 作者潘葳沈文忠 +1 位作者小川博司郭其新《物理学进展》 CSCD 北大核心 2004年第2期195-215,共21页; 　本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪... 展开更多; 关键词氮化铟半导体材料载流子浓度迁移率薄膜材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs远红外探测器中的辐射复合特性研究: 5; 作者沈文忠蒋立峰 +2 位作者俞罡王晓光沈学础《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期15-18,共4页; 借助光致发光技术对ｎ－ＧａＡｓ同质结内发射远红外探测器结构进行了详细的辐射复合特性研究．根据发光特性和高密度理论计算,观察和确认了来自探测器发射层中的光致发光信号．提出了光生载流子转移模型,很好地解释了发射层中光致发光... 展开更多; 关键词辐射复合远红外探测器结构光生载流子转移.; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体氮化铟(InN)的晶格振动被引量：5: 6; 作者钱志刚沈文忠 +1 位作者小川博司郭其新《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第3期257-283,共27页; 　本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序... 展开更多; 关键词半导体氮化铟薄膜晶格振动 INN Raman散射光谱红外光谱量子阱量子点超晶格; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲化镉薄膜太阳能电池及其溅射制备被引量：8: 7; 作者张榕周海平陈红《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期47-50,共4页; 简单综述了化合物半导体碲化镉太阳能电池的发展历史、基本结构和核心问题,在此基础上重点总结了用溅射法制备的多晶碲化镉薄膜太阳能电池的优缺点、面临问题、发展现状,展望了它的发展趋势,并讨论了用溅射法制备渐变带隙碲化镉薄膜太... 展开更多; 关键词碲化镉薄膜太阳能电池溅射法; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体氮化物AlInN的光学性质: 8; 作者蒋立峰沈文忠郭其新《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期207-211,241,共6页; 测量了AlInN薄膜(包括InN和AlN)的透射和反射光谱,结合四层透射和反射模型得到AlInN的一系列变温光学性质,包括吸收系数、能带带隙、乌尔巴赫带尾参数、折射率等等.采用一套经验公式,描述InN薄膜在本征吸收区和乌尔巴赫吸收区的吸收系数... 展开更多; 关键词 AlInN薄膜光学性质温度行为; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究被引量：1: 1; 作者孔令民蔡加法林雪娇杨克勤吴正云沈文忠; 机构厦门大学物理系上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期549-553,共5页; 基金福建省自然科学基金重点资助项目(A992001); 文摘分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。; 关键词 InGaAs/GaAs应变量子阱光谱研究时间分辨谱光致发光谱光伏谱半导体材料砷化镓砷镓铟化合物形态势模型; Keywords InGaAs/GaAs strained quantum well distortion model time-resolved spectrum; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名偏振方向对ZnTe电光THz辐射探测的影响被引量：5: 2; 作者顾春明刘锐贺莉蓉沈文忠; 机构上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期333-336,共4页; 基金国家杰出青年基金 (NSFC10 12 5 416) 上海市基础研究重点课题 ( 0 3JC14 0 82 ); 文摘在实验上研究了探测光的偏振方向对ZnTe晶体THz探测的影响 .在一周 36 0°范围内 ,测量出现两次零值 ,角度间隔为 180° ,在两个零值之间的 90°处出现不为零的小值 ,4 5°处不为最大值 .将ZnTe晶体在THz辐射电脉冲作用下产生的电光效应等效于瞬间任意波片 ,用琼斯矩阵法模拟实验过程 ,结果表明除在 90 0 处出现零值外其余模拟结果与实验结果相符 .用THz光子与横光学声子相互作用模型对此进行了定性解释 .; 关键词余模晶体波片声子最大值光子电光效应偏振方向 THZ辐射探测; Keywords infrared physics optical nonlinear THz radiation electro-optic effect ZnTe crystal; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学] O153.3 [理学—基础数学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱被引量：3: 3; 作者孔令民蔡加法李明吴正云沈文忠; 机构厦门大学物理系上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期115-118,共4页; 文摘本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量．利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好．; 关键词表面光伏谱应变量子阱形变势模型光电器件砷化镓铟; Keywords photovoltaic spectrum strained quantum well distortion model; 分类号 TN204 [电子电信—物理电子学] O433.59 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体氮化铟(InN)的电学性质被引量：4: 4; 作者潘葳沈文忠小川博司郭其新; 机构上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室佐贺大学理工学部电气与电子工程系; 出处《物理学进展》 CSCD 北大核心 2004年第2期195-215,共21页; 基金国家杰出青年基金(NSFC10125416) 教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划; 文摘　本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。; 关键词氮化铟半导体材料载流子浓度迁移率薄膜材料; Keywords InN electrical properties carrier concentration review mobility and carrier transport; 分类号 O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs远红外探测器中的辐射复合特性研究: 5; 作者沈文忠蒋立峰俞罡王晓光沈学础; 机构上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期15-18,共4页; 基金国家自然科学基金(批准号10125416和60006005)部分资助项目上海市科技启明星计划(批准号00QA14012)和教育部TRAPOYT资助项目; 文摘借助光致发光技术对ｎ－ＧａＡｓ同质结内发射远红外探测器结构进行了详细的辐射复合特性研究．根据发光特性和高密度理论计算,观察和确认了来自探测器发射层中的光致发光信号．提出了光生载流子转移模型,很好地解释了发射层中光致发光信号与温度和激发功率的依赖关系．根据得到的辐射复合特性,提出了进一步提高探测器工作温度的方案．; 关键词辐射复合远红外探测器结构光生载流子转移.; Keywords radiative recombination, FIR detector structure, photogenerated earner transferring.; 分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体氮化铟(InN)的晶格振动被引量：5: 6; 作者钱志刚沈文忠小川博司郭其新; 机构上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室佐贺大学理工学部电气与电子工程系; 出处《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第3期257-283,共27页; 基金国家杰出青年基金(NSFC10125416) 教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划; 文摘　本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。; 关键词半导体氮化铟薄膜晶格振动 INN Raman散射光谱红外光谱量子阱量子点超晶格; Keywords InN thin films lattice vibration Raman scattering infrared spectroscopy; 分类号 O471.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲化镉薄膜太阳能电池及其溅射制备被引量：8: 7; 作者张榕周海平陈红; 机构上海海事大学基础科学部四川师范大学物理与电子工程学院上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期47-50,共4页; 基金上海海事大学青年骨干教师培养项目(No.025063); 文摘简单综述了化合物半导体碲化镉太阳能电池的发展历史、基本结构和核心问题,在此基础上重点总结了用溅射法制备的多晶碲化镉薄膜太阳能电池的优缺点、面临问题、发展现状,展望了它的发展趋势,并讨论了用溅射法制备渐变带隙碲化镉薄膜太阳能电池以提高转化效率的可能性。; 关键词碲化镉薄膜太阳能电池溅射法; Keywords CdTe,thin film solar cells,sputtering; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体氮化物AlInN的光学性质: 8; 作者蒋立峰沈文忠郭其新; 机构上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室日本佐贺大学同步辐射应用中心、理工学部电气与电子工程系; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期207-211,241,共6页; 基金国家自然科学基金(10734020); 文摘测量了AlInN薄膜(包括InN和AlN)的透射和反射光谱,结合四层透射和反射模型得到AlInN的一系列变温光学性质,包括吸收系数、能带带隙、乌尔巴赫带尾参数、折射率等等.采用一套经验公式,描述InN薄膜在本征吸收区和乌尔巴赫吸收区的吸收系数.发现带隙以下,AlN薄膜的折射率遵守Sellmeier经验公式.用基于态密度和载流子—声子相互作用的带尾态理论,很好地解释了AlInN薄膜中带尾态现象.通过测量显微拉曼光谱,研究了AlInN薄膜的晶格振动性质.运用详细的模型(考虑了晶格热膨胀、残余应力和多声子耦合),阐释了AlInN声子频率的变温特性.了解AlInN薄膜的这些光学性质是相当重要的,不仅有利于透彻了解材料的基本性质还有利于相关光电子器件的开发.; 关键词 AlInN薄膜光学性质温度行为; Keywords AlInN thin film optical property temperature-dependence; 分类号 O469 [理学—凝聚态物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究	孔令民蔡加法林雪娇杨克勤吴正云沈文忠	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	偏振方向对ZnTe电光THz辐射探测的影响	顾春明刘锐贺莉蓉沈文忠	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2004	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱	孔令民蔡加法李明吴正云沈文忠	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半导体氮化铟(InN)的电学性质	潘葳沈文忠小川博司郭其新	《物理学进展》 CSCD 北大核心	2004	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaAs远红外探测器中的辐射复合特性研究	沈文忠蒋立峰俞罡王晓光沈学础	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	半导体氮化铟(InN)的晶格振动	钱志刚沈文忠小川博司郭其新	《物理学进展》 CSCD 北大核心	2003	5	在线阅读下载PDF 职称材料
7	碲化镉薄膜太阳能电池及其溅射制备	张榕周海平陈红	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	8	在线阅读下载PDF 职称材料
8	半导体氮化物AlInN的光学性质	蒋立峰沈文忠郭其新	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料