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氮化硅薄膜的快速热处理在太阳电池中的应用
被引量：
3
1
作者
李友杰
罗培青
+3 位作者
黄建华
王景霄
周之斌
崔容强
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期152-155,共4页
研究了低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)薄膜的快速热处理,发现一种能使硅片少子寿命(τ)显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论.硅片在700°C、1 s的快速热处理下,τ提高200%左右,用PC1D——...
研究了低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)薄膜的快速热处理,发现一种能使硅片少子寿命(τ)显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论.硅片在700°C、1 s的快速热处理下,τ提高200%左右,用PC1D——太阳电池模拟软件知其可带来0.54%的效率提高.同样的实验在已经扩磷的硅片上进行,少子寿命亦只提高55%.把上述研究和最新的激光烧穿接触工艺用于太阳电池,可使太阳电池效率有一定提高.
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关键词
氮化硅薄膜
快速热处理
激光烧穿接触
太阳电池
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职称材料
题名
氮化硅薄膜的快速热处理在太阳电池中的应用
被引量：
3
1
作者
李友杰
罗培青
黄建华
王景霄
周之斌
崔容强
机构
上海交通大学
太阳能研究所
上海交通大学林洋研发中心
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期152-155,共4页
文摘
研究了低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)薄膜的快速热处理,发现一种能使硅片少子寿命(τ)显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论.硅片在700°C、1 s的快速热处理下,τ提高200%左右,用PC1D——太阳电池模拟软件知其可带来0.54%的效率提高.同样的实验在已经扩磷的硅片上进行,少子寿命亦只提高55%.把上述研究和最新的激光烧穿接触工艺用于太阳电池,可使太阳电池效率有一定提高.
关键词
氮化硅薄膜
快速热处理
激光烧穿接触
太阳电池
Keywords
SiNs thin film
rapid thermal process（RTP）
laser firing contact（LFC）
solar cell
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氮化硅薄膜的快速热处理在太阳电池中的应用
李友杰
罗培青
黄建华
王景霄
周之斌
崔容强
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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