InP光电子集成电路接收机前端的研究进展

1

作者 朱红卫 史常忻 《半导体情报》 1997年第4期23-25,共3页

由于具有可集成和器件固有速度的内在优势，ＩｎＰ光电子集成（ＯＥＩＣ）接收机在高速（≥１０Ｇｂ／ｓ）光纤通信系统和波分复用网络（ＷＤＭ）方面具有重要的应用，本文介绍了最近的研究进展。

关键词 光电子集成电路 光接收机 磷化铟

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CVD 金刚石涂层刀具附着力的研究 被引量：17

2

作者 张志明 何贤昶 +1 位作者 沈荷生 李胜华 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期103-106,共4页

以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力，采用稀盐酸对衬底进行表面处理，在ＣＶＤ沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用，沉积合适的厚度，可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具．用该刀具对含碳化硅颗... 以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力，采用稀盐酸对衬底进行表面处理，在ＣＶＤ沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用，沉积合适的厚度，可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具．用该刀具对含碳化硅颗粒的铝基复合材料进行切削试验，得到了满意的结果． 展开更多

关键词 金刚石涂层 刀具 附着力 切削试验 CVD

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金刚石薄膜场致发射的研究 被引量：6

3

作者 唐敦乙 林书铨 +2 位作者 张志明 沈荷生 李胜华 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期212-214,共3页

给出了以硅片和钼片作基底，在不同掺杂状态下的几种金刚石薄膜的发射特性和两种金刚石薄膜的扫描电子显微镜照片及喇曼光谱．测试结果表明，掺杂后的金刚石薄膜的发射电流密度可增大一个数量级．

关键词 场致发射 金刚石薄膜 掺杂 显示器件 FED LCD

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纳米电子学──电子学的前沿 被引量：6

4

作者 蒋建飞 蔡琪玉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期218-226,共9页

论述了电子学的前沿──纳米电子学的学科涵义，发展动力，研究进展，学科分支，研究内容，学科发展的重要意义。

关键词 纳米电子学 单量子 量子波 量子点

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GaAs上反应溅射WN_x薄膜特性研究 被引量：2

5

作者 毛大立 俞伟丽 +1 位作者 林栋梁 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期95-99,共5页

本文用反应溅射方法,制备了WN_x薄膜,用X光衍射、俄歇能谱深度成分分析、表面电阻测量及电流—电压曲线,测量、研究了WN_x薄膜的性能及与GaAs的肖特基势垒特性.

关键词 GAAS WN薄膜 溅射 工艺

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电容耦合单电子晶体管有源负载 被引量：1

6

作者 沈波 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期65-67,共3页

本文基于单电子隧道效应的半经典模型,由电容耦合单电子晶体管的本征,电流电压特性出发,研究了在各种组态下,电容耦合单电子晶体管有源负载的本征电流电压特性,讨论了它们的交流小信号等效电路。

关键词 电容耦合 单电子晶体管 有源负载

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双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究 被引量：2

7

作者 邵传芬 史常忻 徐秀琴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期24-27,共4页

研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，... 研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，电特性正常，是一种抗辐照的粒子探测器。 展开更多

关键词 砷化镓 探测器 抗辐照

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MIS／IL硅太阳电池耐紫外辐射性能的研究 被引量：1

8

作者 郭里辉 张怡彬 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期100-106,共7页

通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫... 通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响，解释了在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。 展开更多

关键词 紫外辐照 铯 电阻 硅太阳能电池

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GaAs　DCFL电路研究

9

作者 史常忻 唐标 +1 位作者 李晓明 王庆康 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期156-160,共5页

给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓＤＣＦＬ电路的设计和制造。

关键词 砷化镓 集成电路 设计 DCFL电路

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低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究

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作者 王庆康 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期213-214,共2页

W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特... W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备. 展开更多

关键词 金属材料 WSI MOWSi 工艺粉末冶金

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电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟 被引量：2

11

作者 黄萍 蒋建飞 +1 位作者 蔡琪玉 童明照 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期357-362,共6页

根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SE... 根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。 展开更多

关键词 单电子晶体管 电容耦合 逻辑单元 数值模拟

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金属包层型平面光波导偏振器和在线单模光纤偏振器的理论和实验研究 被引量：5

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作者 王旭 黄肇明 朱红卫 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 1994年第3期235-240,共6页

改进了Ｙ．Ｙａｍａｍｏｔｏ提出的多层平面介质波导理论方法，并将改进后的方法应用于金属包层型平面介质波导偏振器和在线单模光纤偏振器，进行了理论和实验研究．

关键词 平面光波导 单模光纤 偏振器

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电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析 被引量：2

13

作者 程子川 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期134-136,共3页

本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了... 本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟 .结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 。 展开更多

关键词 介观隧道结阵列 单电子陷阱 存储器 电子空穴

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GaAs MSM结构光电探测器的光电特性研究 被引量：3

14

作者 李志奇 王庆康 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期224-229,共6页

报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插... 报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插指结构的器件在同一面积下受光面积与单位面积上的光电流存在最优化选择。 展开更多

关键词 砷化镓 光电探测器 光电特性

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纳米金属氧化物半导体场效应晶体管(NANO-MOSFET)的热电子发射和弹道输运模型 被引量：1

15

作者 郭靖 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期52-54,共3页

本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了... 本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了NANO MOSFET的基本特性 .计算表明 ,NANO MOSFET在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控 ,适用于各种数字电路 ,包括存储单元 .另外 ,选取合适的直流偏置点 ,NANO 展开更多

关键词 纳米器件 半导体场效应晶体管 热电子发射

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单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

16

作者 郭靖 蒋建飞 蔡琪玉 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期161-168,共8页

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管... 基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性．提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构，其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声．模拟结果表明，新结构的系统性能，特别是抗噪声性能有一定提高． 展开更多

关键词 单电子晶体管 混合存储单元 场效应管 数值分析

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电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟

17

作者 童明照 蒋建飞 蔡琪玉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期263-268,共6页

基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结高温... 基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。 展开更多

关键词 库仑阻塞 单电子隧道效应 单电子晶体管

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MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究

18

作者 张怡彬 郭里辉 徐秀琴 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期110-113,共4页

根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬＰ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池电极栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。

关键词 太阳能电池 表面面电阻 电极栅间距

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一种新型电荷泵电路的设计 被引量：10

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作者 袁小云 张瑞智 王洪娜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第9期69-72,共4页

文章提出了一种新的全差分电荷泵结构,与传统电荷泵电路相比,这个电路具有输出范围大和无跳跃现象的优点,同时还可以有效地解决电荷泄漏和充放电失配等问题。

关键词 电荷泵电路 设计 电荷泄漏 差分电路 鉴频鉴相器 PLL IC

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超导场效应器件的统一小信号传输线模型 被引量：2

20

作者 蒋建飞 蔡琪玉 +1 位作者 汤玉生 周正利 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期43-47,52,共6页

本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导Ｐ... 本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。 展开更多

关键词 统一小信号模型 超导场效应器件 超导传输线

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