CVD 金刚石涂层刀具附着力的研究 被引量：17

1

作者 张志明 何贤昶 +1 位作者 沈荷生 李胜华 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期103-106,共4页

以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力，采用稀盐酸对衬底进行表面处理，在ＣＶＤ沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用，沉积合适的厚度，可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具．用该刀具对含碳化硅颗... 以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力，采用稀盐酸对衬底进行表面处理，在ＣＶＤ沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用，沉积合适的厚度，可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具．用该刀具对含碳化硅颗粒的铝基复合材料进行切削试验，得到了满意的结果． 展开更多

关键词 金刚石涂层 刀具 附着力 切削试验 CVD

在线阅读 下载PDF 职称材料

MIS／IL硅太阳电池耐紫外辐射性能的研究 被引量：1

2

作者 郭里辉 张怡彬 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期100-106,共7页

通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫... 通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响，解释了在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。 展开更多

关键词 紫外辐照 铯 电阻 硅太阳能电池

在线阅读 下载PDF 职称材料

“金刚石涂层技术”成果简介 被引量：2

3

作者 张志明 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期25-25,共1页

“863”新材料领域项目金刚石涂层技术包含了涂层刀具和涂层拉丝模二部分研究工作,这些研究工作同时得到了上海市科技发展基金的资助。 以氢气和丙酮(或乙醇)为原料,采用化学气相法(简称CVD法)在硬质合金(WC-Co)刀具表面或拉丝模内孔涂... “863”新材料领域项目金刚石涂层技术包含了涂层刀具和涂层拉丝模二部分研究工作,这些研究工作同时得到了上海市科技发展基金的资助。 以氢气和丙酮(或乙醇)为原料,采用化学气相法(简称CVD法)在硬质合金(WC-Co)刀具表面或拉丝模内孔涂覆一层金刚石薄膜,就可制备得到金刚石涂层刀具或涂层拉丝模。金刚石涂层呈多晶状,厚10～30μm,它具有硬度高、导热性好、抗冲击、自润滑性能好、化学性能稳定等特点。我们研制的涂层刀具,其抗冲击性能优于PCD刀具,与硬质合金刀具相近。 展开更多

关键词 金刚石涂层技术 金刚石薄膜 化学气相沉积 刀具 金属表面处理

在线阅读 下载PDF 职称材料

在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用

4

作者 施周渊 赵守臣 汤玉生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第5期414-417,427,共5页

述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生... 述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生如何优化 展开更多

关键词 MOS静电释放(ESD) 热载流子(HC) 沟道热载流子(CHC)

在线阅读 下载PDF 职称材料

电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析 被引量：2

5

作者 程子川 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期134-136,共3页

本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了... 本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟 .结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 。 展开更多

关键词 介观隧道结阵列 单电子陷阱 存储器 电子空穴

在线阅读 下载PDF 职称材料

铁电存储器技术 被引量：3

6

作者 黄寅 徐子亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期1-4,共4页

详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。

关键词 铁电存储器 非易失性存储器 工作原理

在线阅读 下载PDF 职称材料

MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究

7

作者 张怡彬 郭里辉 徐秀琴 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期110-113,共4页

根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬＰ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池电极栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。

关键词 太阳能电池 表面面电阻 电极栅间距

在线阅读 下载PDF 职称材料

CVD金刚石涂层拉丝模的研制与应用 被引量：11

8

作者 张志明 沈荷生 +2 位作者 孙方宏 何贤昶 万永中 《工具技术》 北大核心 2000年第4期13-15,共3页

:以市售大孔径 (>2mm)硬质合金拉丝模为衬底 ,经酸腐蚀去钴、研磨和还原处理后 ,以氢气和丙酮为原料 ,用穿孔直拉热丝CVD法制备了金刚石涂层。利用扫描电镜和喇曼谱图对涂层均匀性进行了评估。初步应用试验表明 ,金刚石涂层的附着... :以市售大孔径 (>2mm)硬质合金拉丝模为衬底 ,经酸腐蚀去钴、研磨和还原处理后 ,以氢气和丙酮为原料 ,用穿孔直拉热丝CVD法制备了金刚石涂层。利用扫描电镜和喇曼谱图对涂层均匀性进行了评估。初步应用试验表明 ,金刚石涂层的附着力能满足实际拉伸要求 ,涂层拉丝模的工作寿命可提高 3～ 5倍。 展开更多

关键词 金刚石涂层 拉丝模 热丝CVD 研制

在线阅读 下载PDF 职称材料

准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析 被引量：1

9

作者 戴永兵 沈荷生 +3 位作者 张志明 张少强 徐重阳 李兴教 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期947-950,共4页

采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶... 采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响 .在 1 50～ 450 m J/cm2 ,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高 . 展开更多

关键词 准分子激光 非晶硅膜 RAMAN光谱 诱导晶化处理 结晶膜 结晶度

在线阅读 下载PDF 职称材料

神经MOS晶体管 被引量：5

10

作者 管慧 汤玉生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期2-7,共6页

神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状。

关键词 神经MOS晶体管 浮栅器件 MOS器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

超导场效应器件的统一Y参数和小信号等效电路 被引量：1

11

作者 蒋建飞 蔡琪玉 +1 位作者 周正利 汤玉生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期6-9,共4页

本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻、频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础．

关键词 统一Y参数 小信号等效电路 超导场效应器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试 被引量：1

12

作者 邵传芬 史常忻 张利民 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期98-100,共3页

提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射... 提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器． 展开更多

关键词 肖特基结构 辐射 半导体探测器 粒子探测器

在线阅读 下载PDF 职称材料

三维对称简约节点TLM方法中TLM网格对波的数值调制效应 被引量：4

13

作者 王庆康 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期44-47,共4页

本文研究了三维对称简约节点（ｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌｃｏｎｄｅｎｓｅｄｎｏｄｅ）ＴＬＭ方法中ＴＬＭ网格对波的数值调制效应，给出了相应的修正方法，进一步发展了三维ＴＬＭ时域电磁场模拟理论和技术。

关键词 电磁场模拟 TLM方法 数值调制效应

在线阅读 下载PDF 职称材料

支线加载三维对称凝缩节点TLM方法中TLM网格对波的数值调制效应 被引量：2

14

作者 王庆康 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期121-123,125,共4页

本文研究了支线加载三维对称凝缩节点ＴＬＭ方法中支线加载ＴＬＭ方法中支线加载ＴＬＭ网格对波的数值调制效应，给出了相应的修正方法，进一步发展了三维ＴＬＭ时城电磁场模拟理论和技术．

关键词 电磁场模拟 TLM方法 数值色散 高速集成电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

面向IC芯片结构高速数字传输线特性三维电磁场时域模拟器 被引量：2

15

作者 王庆康 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期127-130,共4页

本文介绍一种采用对称凝缩节点传输线矩阵方法研制成面向集成电路芯片结构的高速数字传输线特性三维电磁场时域模拟器．模拟器能模拟高斯脉冲在IC芯片上由任意矩形结构组成的共面传输线中的时域全波传输过程、模拟器在Convex240向量／... 本文介绍一种采用对称凝缩节点传输线矩阵方法研制成面向集成电路芯片结构的高速数字传输线特性三维电磁场时域模拟器．模拟器能模拟高斯脉冲在IC芯片上由任意矩形结构组成的共面传输线中的时域全波传输过程、模拟器在Convex240向量／并行处理机上实现.模拟器为高速数字集成电路及高速多芯片模块高速互连的研究和设计提供了强有力的CAD工具和新的概念及方法. 展开更多

关键词 高速数字传输线 电磁场全波模拟 传输线 IC

在线阅读 下载PDF 职称材料

三维对称凝缩节点TLM方法全波分析任意截面形状直行波导 被引量：2

16

作者 王庆康 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期134-135,139,共3页

本文提出了采用三维对称凝缩节点TLM方法全波分析任意截面形状直行波导的新方法．数值模拟结果表明，该方法具有三维全波分析特征，而所需的内存空间及CPU时间要少得多．

关键词 电磁波模拟 TLM方法 波导

在线阅读 下载PDF 职称材料

复合金刚石薄膜的介电特性

17

作者 莘海维 凌行 +3 位作者 奚正蕾 张志明 沈荷生 戴永兵 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期694-697,共4页

利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成 ( CVD)装置制备了复合金刚石薄膜 ,并对其表面和断面分别进行了扫描电镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和 Raman光谱表征 .研究了该复合结构的介电性能 ,利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频... 利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成 ( CVD)装置制备了复合金刚石薄膜 ,并对其表面和断面分别进行了扫描电镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和 Raman光谱表征 .研究了该复合结构的介电性能 ,利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频率的关系 .结果表明 ,复合结构由普通多晶金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组成 ,薄膜的表层结构体现了纳米金刚石的特征 .复合金刚石薄膜不仅具有表面光滑的优点 ,介电性能也接近于常规的多晶金刚石薄膜 ,是一种较好的电子材料 。 展开更多

关键词 金刚石薄膜 复合结构 介电特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

超导逻辑门RCJL的传输特性

18

作者 汤玉生 余兴 蒋建飞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期39-43,共5页

ＲＣＪＬ（电阻耦合约瑟夫逊逻辑）是电流注入控制型的典型超导逻辑门电路，本文用四阶龙格－库塔法（ＲｕｎｇｅＣｕｔｔａ）分析了ＲＣＪＬ的传输特性，并分别对门的边沿激励、阻尼作用及门间隔离电阻对传输性能的影响作了详细的分析... ＲＣＪＬ（电阻耦合约瑟夫逊逻辑）是电流注入控制型的典型超导逻辑门电路，本文用四阶龙格－库塔法（ＲｕｎｇｅＣｕｔｔａ）分析了ＲＣＪＬ的传输特性，并分别对门的边沿激励、阻尼作用及门间隔离电阻对传输性能的影响作了详细的分析讨论。 展开更多

关键词 超导逻辑门 逻辑电路 传输特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

定时系统的VHDL设计

19

作者 何广军 戴庆元 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期227-229,共3页

用VHDL硬件描述语言设计定时系统，定时采用时钟控制，并用Mealy有限状态机表示定时器的状态，并考虑了控制器的微程序设计实现，然后用VHDL进行了描述，并给出了主要部分的模拟结果。

关键词 定时系统 VHDL 设计 有限状态机 硬件描述语言 微程序设计

在线阅读 下载PDF 职称材料

MOSFET栅电流分布的理论建模

20

作者 汤玉生 郝跃 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期124-127,共4页

小尺寸ＭＯＳＦＥＴ的强场性、场畸变性和漏区尺度比例的增大，使它的分布效应增强．更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型．本文依据“幸运电子”概念，基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型，建立了ＮＭＯＳＦＥＴ ... 小尺寸ＭＯＳＦＥＴ的强场性、场畸变性和漏区尺度比例的增大，使它的分布效应增强．更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型．本文依据“幸运电子”概念，基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型，建立了ＮＭＯＳＦＥＴ 的电子和空穴栅电流的分布模型．空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的．所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程，这将有利于ＭＯＳＦＥＴ热载流子的损伤分布。 展开更多

关键词 电子栅电流 空穴栅电流 分布模型 MOSFET

在线阅读 下载PDF 职称材料