InP光电子集成电路接收机前端的研究进展

1

作者 朱红卫 史常忻 《半导体情报》 1997年第4期23-25,共3页

由于具有可集成和器件固有速度的内在优势，ＩｎＰ光电子集成（ＯＥＩＣ）接收机在高速（≥１０Ｇｂ／ｓ）光纤通信系统和波分复用网络（ＷＤＭ）方面具有重要的应用，本文介绍了最近的研究进展。

关键词 光电子集成电路 光接收机 磷化铟

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CVD 金刚石涂层刀具附着力的研究 被引量：17

2

作者 张志明 何贤昶 +1 位作者 沈荷生 李胜华 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期103-106,共4页

以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力，采用稀盐酸对衬底进行表面处理，在ＣＶＤ沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用，沉积合适的厚度，可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具．用该刀具对含碳化硅颗... 以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力，采用稀盐酸对衬底进行表面处理，在ＣＶＤ沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用，沉积合适的厚度，可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具．用该刀具对含碳化硅颗粒的铝基复合材料进行切削试验，得到了满意的结果． 展开更多

关键词 金刚石涂层 刀具 附着力 切削试验 CVD

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双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究 被引量：2

3

作者 邵传芬 史常忻 徐秀琴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期24-27,共4页

研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，... 研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，电特性正常，是一种抗辐照的粒子探测器。 展开更多

关键词 砷化镓 探测器 抗辐照

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MIS／IL硅太阳电池耐紫外辐射性能的研究 被引量：1

4

作者 郭里辉 张怡彬 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期100-106,共7页

通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫... 通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响，解释了在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。 展开更多

关键词 紫外辐照 铯 电阻 硅太阳能电池

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“金刚石涂层技术”成果简介 被引量：2

5

作者 张志明 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期25-25,共1页

“863”新材料领域项目金刚石涂层技术包含了涂层刀具和涂层拉丝模二部分研究工作,这些研究工作同时得到了上海市科技发展基金的资助。 以氢气和丙酮(或乙醇)为原料,采用化学气相法(简称CVD法)在硬质合金(WC-Co)刀具表面或拉丝模内孔涂... “863”新材料领域项目金刚石涂层技术包含了涂层刀具和涂层拉丝模二部分研究工作,这些研究工作同时得到了上海市科技发展基金的资助。 以氢气和丙酮(或乙醇)为原料,采用化学气相法(简称CVD法)在硬质合金(WC-Co)刀具表面或拉丝模内孔涂覆一层金刚石薄膜,就可制备得到金刚石涂层刀具或涂层拉丝模。金刚石涂层呈多晶状,厚10～30μm,它具有硬度高、导热性好、抗冲击、自润滑性能好、化学性能稳定等特点。我们研制的涂层刀具,其抗冲击性能优于PCD刀具,与硬质合金刀具相近。 展开更多

关键词 金刚石涂层技术 金刚石薄膜 化学气相沉积 刀具 金属表面处理

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GaAs　DCFL电路研究

6

作者 史常忻 唐标 +1 位作者 李晓明 王庆康 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期156-160,共5页

给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓＤＣＦＬ电路的设计和制造。

关键词 砷化镓 集成电路 设计 DCFL电路

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在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用

7

作者 施周渊 赵守臣 汤玉生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第5期414-417,427,共5页

述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生... 述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生如何优化 展开更多

关键词 MOS静电释放(ESD) 热载流子(HC) 沟道热载流子(CHC)

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低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究

8

作者 王庆康 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期213-214,共2页

W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特... W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备. 展开更多

关键词 金属材料 WSI MOWSi 工艺粉末冶金

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电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析 被引量：2

9

作者 程子川 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期134-136,共3页

本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了... 本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟 .结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 。 展开更多

关键词 介观隧道结阵列 单电子陷阱 存储器 电子空穴

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GaAs MSM结构光电探测器的光电特性研究 被引量：3

10

作者 李志奇 王庆康 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期224-229,共6页

报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插... 报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插指结构的器件在同一面积下受光面积与单位面积上的光电流存在最优化选择。 展开更多

关键词 砷化镓 光电探测器 光电特性

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铁电存储器技术 被引量：3

11

作者 黄寅 徐子亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期1-4,共4页

详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。

关键词 铁电存储器 非易失性存储器 工作原理

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MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究

12

作者 张怡彬 郭里辉 徐秀琴 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期110-113,共4页

根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬＰ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池电极栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。

关键词 太阳能电池 表面面电阻 电极栅间距

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DDR SDRAM控制器的FPGA实现 被引量：7

13

作者 施周渊 戴庆元 《电子技术应用》 北大核心 2003年第11期61-63,共3页

DDR SDRAM高容量和快速度的优点使它获得了广泛的应用,但是其接口与目前广泛应用的微处理器不兼容。介绍了一种通用的DDR SDRAM控制器的设计,从而使得DDR SDRAM能应用到微处理器中去。

关键词 DDR SDRAM 控制器 FPGA 延时锁定回路 微处理器 存储器

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GaAs微条粒子探测器的设计 被引量：2

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作者 邵传芬 史常忻 +1 位作者 凌行 温伯莹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期60-63,共4页

介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0... 介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0 mm。微条粒子探测器的反向击穿电压最高达 2 40 V,反向漏电流密度最低为 0 .0 2 5 μA/mm2。它对光照有强烈的敏感性。 展开更多

关键词 GAAS 微条粒子 探测器 反向电击穿 二极管

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准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析 被引量：1

15

作者 戴永兵 沈荷生 +3 位作者 张志明 张少强 徐重阳 李兴教 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期947-950,共4页

采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶... 采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响 .在 1 50～ 450 m J/cm2 ,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高 . 展开更多

关键词 准分子激光 非晶硅膜 RAMAN光谱 诱导晶化处理 结晶膜 结晶度

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神经MOS晶体管 被引量：5

16

作者 管慧 汤玉生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期2-7,共6页

神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状。

关键词 神经MOS晶体管 浮栅器件 MOS器件

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超导场效应器件的统一Y参数和小信号等效电路 被引量：1

17

作者 蒋建飞 蔡琪玉 +1 位作者 周正利 汤玉生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期6-9,共4页

本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻、频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础．

关键词 统一Y参数 小信号等效电路 超导场效应器件

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USB接口在串行通信中的应用 被引量：11

18

作者 何广军 《电子技术应用》 北大核心 2002年第7期58-59,共2页

介绍USB接口在串行通信中的应用,讨论USB接口同RS-232接口的转换以及USB接口modem的简化设计,并给出了实际中的产品样图。

关键词 USB接口 串行通信 RS-232 UniModem 通用串行总线

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采用神经MOS晶体管的低压四象限模拟乘法器的设计 被引量：2

19

作者 管慧 汤玉生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期144-151,共8页

神经 MOS晶体管是最近几年才发明出来的一种高功能度的器件。本文以新开发的神经MOS晶体管的 SPICE宏模型为模拟和验证的工具 ,讨论了采用这种器件实现低压四象限模拟乘法器的系统化设计思想和方法。基于这种设计思想和方法 ,设计了一... 神经 MOS晶体管是最近几年才发明出来的一种高功能度的器件。本文以新开发的神经MOS晶体管的 SPICE宏模型为模拟和验证的工具 ,讨论了采用这种器件实现低压四象限模拟乘法器的系统化设计思想和方法。基于这种设计思想和方法 ,设计了一种大输入范围的低压(± 1 .5V)四象限模拟乘法器电路 ,给出的模拟结果验证了理论分析。 展开更多

关键词 半导体晶体管 模拟乘法器 神经MOS 四象限

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GaAs粒子探测器的能谱特性 被引量：1

20

作者 邵传芬 史常忻 +1 位作者 陈宏芳 李澄 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期200-205,共6页

阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线... 阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线能量分辨率约为 30 %。该探测器对 90 Sr2 .2 7Me V的β粒子有最小的电离粒子谱。探测器在累积照射量为 1 3 k Gy的光子 1 3 7Cs(662 ke V)辐照下 ,辐照前后的电荷收集率无明显变化。诸多实验结果表明 。 展开更多

关键词 能谱 砷化镓 离子探测器

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