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微电子器件封装铜线键合可行性分析 被引量:4
1
作者 宋慧芳 《电子与封装》 2012年第2期12-14,48,共4页
虽然在集成电路封装工艺中金导线键合是主流制程,但是目前采用铜导线替代金导线键合已经在半导体封装领域形成重要研究趋势。文章对微电子封装中铜导线键合可行性进行了分析,主要包括铜导线与金导线的性能比较(包括电学性能、物理参数... 虽然在集成电路封装工艺中金导线键合是主流制程,但是目前采用铜导线替代金导线键合已经在半导体封装领域形成重要研究趋势。文章对微电子封装中铜导线键合可行性进行了分析,主要包括铜导线与金导线的性能比较(包括电学性能、物理参数、机械参数等),铜导线制备和微组织结构分析,铜导线焊合中的工艺研发及铜导线焊合可靠性分析等。当今半导体生产商关注铜导线不仅是因为其价格成本优势,更由于铜导线具有良好的电学和机械特性,同时文中也介绍了铜导线键合工艺存在的诸多问题和挑战,对将来铜导线在集成电路封装中的大规模应用和发展具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 封装 铜导线 金导线
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纳米电子学──电子学的前沿 被引量:6
2
作者 蒋建飞 蔡琪玉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期218-226,共9页
论述了电子学的前沿──纳米电子学的学科涵义,发展动力,研究进展,学科分支,研究内容,学科发展的重要意义。
关键词 纳米电子学 单量子 量子波 量子点
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电容耦合单电子晶体管有源负载 被引量:1
3
作者 沈波 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期65-67,共3页
本文基于单电子隧道效应的半经典模型,由电容耦合单电子晶体管的本征,电流电压特性出发,研究了在各种组态下,电容耦合单电子晶体管有源负载的本征电流电压特性,讨论了它们的交流小信号等效电路。
关键词 电容耦合 单电子晶体管 有源负载
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InP光电子集成电路接收机前端的研究进展
4
作者 朱红卫 史常忻 《半导体情报》 1997年第4期23-25,共3页
由于具有可集成和器件固有速度的内在优势,InP光电子集成(OEIC)接收机在高速(≥10Gb/s)光纤通信系统和波分复用网络(WDM)方面具有重要的应用,本文介绍了最近的研究进展。
关键词 光电子集成电路 光接收机 磷化铟
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电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析 被引量:2
5
作者 程子川 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期134-136,共3页
本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了... 本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟 .结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 。 展开更多
关键词 介观隧道结阵列 单电子陷阱 存储器 电子空穴
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电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟 被引量:2
6
作者 黄萍 蒋建飞 +1 位作者 蔡琪玉 童明照 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期357-362,共6页
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SE... 根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。 展开更多
关键词 单电子晶体管 电容耦合 逻辑单元 数值模拟
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纳米金属氧化物半导体场效应晶体管(NANO-MOSFET)的热电子发射和弹道输运模型 被引量:1
7
作者 郭靖 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期52-54,共3页
本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了... 本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了NANO MOSFET的基本特性 .计算表明 ,NANO MOSFET在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控 ,适用于各种数字电路 ,包括存储单元 .另外 ,选取合适的直流偏置点 ,NANO 展开更多
关键词 纳米器件 半导体场效应晶体管 热电子发射
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DB-FIB电子束辅助沉积Pt法在FA中的应用实例 被引量:2
8
作者 陈强 汪辉 李明 《电子科技》 2008年第3期26-29,共4页
双束聚焦离子束(DB-FIB)已经成为半导体工业中,尤其是失效分析(FA)工作中非常重要的工具。当进行表面缺陷的分析时,为了保证缺陷的完整性,在离子束铣削之前往往会在缺陷上沉积一层Pt薄膜作保护层。DB-FIB将离子束和电子束集成在一套设备... 双束聚焦离子束(DB-FIB)已经成为半导体工业中,尤其是失效分析(FA)工作中非常重要的工具。当进行表面缺陷的分析时,为了保证缺陷的完整性,在离子束铣削之前往往会在缺陷上沉积一层Pt薄膜作保护层。DB-FIB将离子束和电子束集成在一套设备中,因而允许使用常规的离子束辅助沉积(IA-CVD)和电子束辅助沉积(EA-CVD)技术。讨论了一个铝焊垫(Pad)表面缺陷分析的案例。采用常规LA-CVD沉积Pt层的方法,造成缺陷损伤,棱心消失,界面模糊。而采用EA-CVD沉积Pt层的方法,造成的损伤极小,缺陷保留完整,最终分析得出该Pad表面缺陷是由于原电池反应所产生的表面缺陷。 展开更多
关键词 聚焦离子束 失效分析 电子束 原电池反应
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单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析
9
作者 郭靖 蒋建飞 蔡琪玉 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期161-168,共8页
基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管/常规场效应晶体管... 基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管/常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性.提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声.模拟结果表明,新结构的系统性能,特别是抗噪声性能有一定提高. 展开更多
关键词 单电子晶体管 混合存储单元 场效应管 数值分析
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电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟
10
作者 童明照 蒋建飞 蔡琪玉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期263-268,共6页
基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温... 基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。 展开更多
关键词 库仑阻塞 单电子隧道效应 单电子晶体管
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CVD 金刚石涂层刀具附着力的研究 被引量:17
11
作者 张志明 何贤昶 +1 位作者 沈荷生 李胜华 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期103-106,共4页
以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力,采用稀盐酸对衬底进行表面处理,在CVD沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用,沉积合适的厚度,可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具.用该刀具对含碳化硅颗... 以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力,采用稀盐酸对衬底进行表面处理,在CVD沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用,沉积合适的厚度,可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具.用该刀具对含碳化硅颗粒的铝基复合材料进行切削试验,得到了满意的结果. 展开更多
关键词 金刚石涂层 刀具 附着力 切削试验 CVD
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金刚石薄膜场致发射的研究 被引量:6
12
作者 唐敦乙 林书铨 +2 位作者 张志明 沈荷生 李胜华 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期212-214,共3页
给出了以硅片和钼片作基底,在不同掺杂状态下的几种金刚石薄膜的发射特性和两种金刚石薄膜的扫描电子显微镜照片及喇曼光谱.测试结果表明,掺杂后的金刚石薄膜的发射电流密度可增大一个数量级.
关键词 场致发射 金刚石薄膜 掺杂 显示器件 FED LCD
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一种新型电荷泵电路的设计 被引量:10
13
作者 袁小云 张瑞智 王洪娜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第9期69-72,共4页
文章提出了一种新的全差分电荷泵结构,与传统电荷泵电路相比,这个电路具有输出范围大和无跳跃现象的优点,同时还可以有效地解决电荷泄漏和充放电失配等问题。
关键词 电荷泵电路 设计 电荷泄漏 差分电路 鉴频鉴相器 PLL IC
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基于链码分析及矩特征的元件类型检测方法 被引量:3
14
作者 关柏青 于新瑞 王石刚 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期794-794,共1页
首先利用8向链码分析元件边缘图像,并实现元件引脚封闭轮廓的表达.然后由各引脚轮廓的链码计算引脚的矩特征,根据部分引脚的矩特征对元件类型进行粗检测,并依次利用元件引脚的总体特征及所有引脚的矩特征对元件进行精检测,从而得... 首先利用8向链码分析元件边缘图像,并实现元件引脚封闭轮廓的表达.然后由各引脚轮廓的链码计算引脚的矩特征,根据部分引脚的矩特征对元件类型进行粗检测,并依次利用元件引脚的总体特征及所有引脚的矩特征对元件进行精检测,从而得到元件类型的正确判别.通过理论和实验分析表明,这种检测方法具有较好的实时性和检测精确性. 展开更多
关键词 检测方法 矩特征 元件 类型 码分 边缘图像 总体特征 特征对 引脚 分析表 精确性 实时性 轮廓 链码
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聚乙烯醇缩丁醛准固态电解质薄膜的制备和性能表征 被引量:4
15
作者 周伟 黄其煜 +3 位作者 王晓晨 齐芳艺 焦方 郑一胄 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1134-1138,共5页
研究了聚乙烯醇缩丁醛准固态电解质薄膜的制备及相关性能.通过向聚乙烯醇缩丁醛中加入适量造孔剂和辅助剂制备电解质薄膜,研究了薄膜制备过程中的相关影响因素和不同孔隙率的电解质薄膜对电池光电转换效率的影响.实验表明,通过向0.200g... 研究了聚乙烯醇缩丁醛准固态电解质薄膜的制备及相关性能.通过向聚乙烯醇缩丁醛中加入适量造孔剂和辅助剂制备电解质薄膜,研究了薄膜制备过程中的相关影响因素和不同孔隙率的电解质薄膜对电池光电转换效率的影响.实验表明,通过向0.200g聚乙烯醇缩丁醛中加入6.000g碳酸钙、0.310g氯化钙和0.150g葡萄糖所制备的电解质薄膜性能最优,用其制备的染料敏化太阳能电池光电转换效率η=4.720%(开路电压Voc=0.7194V,短路电流密度Jsc=10.014mA·cm-2,填充因子FF=0.6559),达到相同条件下液态电解质电池的88%以上.薄膜电解质制备简单,封装方便,所用原料无毒无害,具有一定的发展潜力. 展开更多
关键词 染料敏化太阳能电池 准固态电解质 电解质薄膜 聚乙烯醇缩丁醛 多孔膜
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Chiplet技术研究与展望 被引量:19
16
作者 蒋剑飞 王琴 +1 位作者 贺光辉 毛志刚 《微电子学与计算机》 2022年第1期1-6,共6页
近年来,摩尔定律的脚步放缓,先进工艺下的芯片制造成本越来越高,如何在合理成本控制下,保持原来的发展步伐成为半导体产业面临的重要问题,Chiplet技术作为一种可以延续摩尔定律的解决方案受到行业重视,但其广泛使用还存在诸多的问题.本... 近年来,摩尔定律的脚步放缓,先进工艺下的芯片制造成本越来越高,如何在合理成本控制下,保持原来的发展步伐成为半导体产业面临的重要问题,Chiplet技术作为一种可以延续摩尔定律的解决方案受到行业重视,但其广泛使用还存在诸多的问题.本文从Chiplet技术的集成、互连和设计流程等角度分析其特点和面临的挑战.首先,比较当前不同类型基板上Chiplet技术的主要性能和成本特点,展望未来可能的集成方案.其次,基于并行和串行互连原理,对比当前主要Chiplet互连方案的参数与性能,提出面向Chiplet之间高速低功耗互连的可能方法.最后,提出了改进Chiplet设计流程的必要性和可能性.以上研究表明Chiplet技术需要基于成本考虑选择合适的集成工艺方案,并根据集成工艺来探索高速低功耗互连方法,也迫切需要制定互连标准来推动该技术的普及应用,Chiplet技术的设计流程中也需要引入新的工具和设计方法. 展开更多
关键词 芯粒 集成技术 互连 设计流程
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大规模SoC设计中的高效FPGA验证技术的研究与实现 被引量:13
17
作者 丰玉田 付宇卓 赵峰 《电子技术应用》 北大核心 2006年第2期110-114,共5页
一种针对大规模SoC设计的高效FPGA验证流程,分析了该流程所涉及的关键技术:通用硬件平台设计、FPGA软件环境设计和软硬件协同验证等。采用这些技术,FPGA平台可以快速且真实地模拟芯片应用平台,从而实现软硬件并行设计和协同验证。该验... 一种针对大规模SoC设计的高效FPGA验证流程,分析了该流程所涉及的关键技术:通用硬件平台设计、FPGA软件环境设计和软硬件协同验证等。采用这些技术,FPGA平台可以快速且真实地模拟芯片应用平台,从而实现软硬件并行设计和协同验证。该验证流程已灵活应用于大规模SoC项目设计中,大大提高了SoC产品的研发效率。 展开更多
关键词 SOC FPGA验证 软硬件协同验证
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SoC静态时序分析中时序约束策略的研究及实例 被引量:10
18
作者 谈晓婷 付宇卓 谢凯年 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第4期64-67,共4页
文章简要描述了静态时序分析的原理,并在一款音频处理SoC芯片的验证过程中,详细介绍了针对时钟定义、多时钟域、端口信号等关键问题的时序约束策略。实践结果表明,静态时序分析很好地满足了该芯片的验证要求,而且比传统的动态验证效率... 文章简要描述了静态时序分析的原理,并在一款音频处理SoC芯片的验证过程中,详细介绍了针对时钟定义、多时钟域、端口信号等关键问题的时序约束策略。实践结果表明,静态时序分析很好地满足了该芯片的验证要求,而且比传统的动态验证效率更高。 展开更多
关键词 SOC设计 静态时序分析 静态验证 时序约束
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增益精确的可变增益放大器 被引量:5
19
作者 李丹 闫涛涛 +1 位作者 陈东坡 周健军 《现代电子技术》 2009年第12期4-6,9,共4页
可变增益放大器是GPS接收机中的一个关键模块,它与反馈环路组成的自动增益控制电路为模/数转换器(ADC)提供恒定的信号功率。模拟信号控制增益的VGA增益连续变化,但是线性度较差。这里采用电阻形式的负反馈的放大器来设计一个0~30d... 可变增益放大器是GPS接收机中的一个关键模块,它与反馈环路组成的自动增益控制电路为模/数转换器(ADC)提供恒定的信号功率。模拟信号控制增益的VGA增益连续变化,但是线性度较差。这里采用电阻形式的负反馈的放大器来设计一个0~30dB增益变化的中频可变增益放大器,VGA的增益精度并不取决于工艺、电压和温度等因素对电阻、MOS管开关的影响,增益误差在各个工艺角下都小于5%。基于0.18μm CMOS工艺的测试结果表明,带内纹波小于0.1dB,IIP3达到31dBm@0dB,功耗为3mA,其中包括直流偏移消除模块和CMOS源极跟随缓冲电路。因此,该放大器适合在接收机模拟前端使用。 展开更多
关键词 可变增益放大器 电阻形式负反馈 增益精确 带内纹波
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DDR SDRAM控制器的FPGA实现 被引量:7
20
作者 施周渊 戴庆元 《电子技术应用》 北大核心 2003年第11期61-63,共3页
DDR SDRAM高容量和快速度的优点使它获得了广泛的应用,但是其接口与目前广泛应用的微处理器不兼容。介绍了一种通用的DDR SDRAM控制器的设计,从而使得DDR SDRAM能应用到微处理器中去。
关键词 DDR SDRAM 控制器 FPGA 延时锁定回路 微处理器 存储器
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