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栅控T_c的高温氧化物超导体场效应晶体管
1
作者
蒋建飞
汤玉生
蔡琪玉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期15-19,共5页
本文提出了栅控超导临界温度Ｔ_ｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管（ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ）的原理。建立了场控Ｔ_ｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。
关键词
高温
氧化物超导体
栅控
场效应
晶体管
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职称材料
题名
栅控T_c的高温氧化物超导体场效应晶体管
1
作者
蒋建飞
汤玉生
蔡琪玉
机构
上海交通大学微电子学研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期15-19,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文提出了栅控超导临界温度Ｔ_ｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管（ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ）的原理。建立了场控Ｔ_ｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。
关键词
高温
氧化物超导体
栅控
场效应
晶体管
Keywords
High temperature oxide superconductors,Gate controlled,Field effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
栅控T_c的高温氧化物超导体场效应晶体管
蒋建飞
汤玉生
蔡琪玉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
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