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点云重构三角网格的生长型神经气算法 被引量：4
1
作者 曾锋 杨通 姚山 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第3期651-662,共12页
为克服点云噪声、不均匀分布和复杂拓扑结构对三角网格重构的限制,改进了生长型神经气重构算法.以样本在网格局部投影作为神经元插入判据,自适应调节网格增长速度,保持几何变换与拓扑变换的协调.利用非流形边检测机制删除冗余连接,保持... 为克服点云噪声、不均匀分布和复杂拓扑结构对三角网格重构的限制,改进了生长型神经气重构算法.以样本在网格局部投影作为神经元插入判据,自适应调节网格增长速度,保持几何变换与拓扑变换的协调.利用非流形边检测机制删除冗余连接,保持网格的拓扑有效性.网络学习过程中动态更新三角片结构,且在孔洞修复阶段扩大近邻查找范围,连接近邻节点中的边界点,直到网格收敛,最终得到正确的欧拉示性数.算例表明,改进的算法对带噪声点云具有鲁棒性,可根据非均匀点云的分布自动调整网格密度,且能重构具有复杂拓扑结构的曲面.重构的三角网格对曲面逼近精度较高,网格出度均匀,三角形近似等边. 展开更多
关键词 点云 生长型神经气算法 三角网格
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大气压双频氦气放电特性的数值模拟研究 被引量：2
2
作者 王一男 李帅星 +4 位作者 刘悦 金莹 王莉 张艳华 石凤艳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期590-597,共8页
采用1-D流体模型对大气压裸金属电极结构的双频驱动氦气放电特性进行了研究。模型中考虑了氦等离子体放电过程中的6种粒子和13个基本反应过程。研究了双频调制大气压氦气放电中高低频电压、高低频频率等不同匹配方式对等离子体参数的影... 采用1-D流体模型对大气压裸金属电极结构的双频驱动氦气放电特性进行了研究。模型中考虑了氦等离子体放电过程中的6种粒子和13个基本反应过程。研究了双频调制大气压氦气放电中高低频电压、高低频频率等不同匹配方式对等离子体参数的影响,并且通过对电子密度、电场强度、电流密度以及电子加热机制等分析了大气压氦气放电双频调控机制。研究表明:高频源电压及高频源频率对放电特性的影响要大于低频源电压和频率;电子密度、电子温度等随着高频源电压和频率的增加而增加,随着低频源电压的增加而减小,低频源频率将不影响电子密度及电子温度。本文的研究为大气压气体放电提供了更多的优化等离子体参数的手段。 展开更多
关键词 双频调制 大气压气体放电 数值模拟
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反应磁控溅射法制备厚度均匀分布超高导电性TiN电极薄膜 被引量：3
3
作者 史淑艳 马博 +4 位作者 薛梦瑶 申浩阳 贾里哈斯 孙纳纳 周大雨 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期1-6,35,共7页
微电子器件的迅速发展对TiN电极薄膜电阻率、表面粗糙度以及厚度均匀性均提出了更高的要求。本文采用半导体工艺兼容的反应磁控溅射技术在单晶硅上制备TiN薄膜。通过XRR、GIXRD、四探针测试仪和AFM等表征手段系统研究了衬底偏压、工作... 微电子器件的迅速发展对TiN电极薄膜电阻率、表面粗糙度以及厚度均匀性均提出了更高的要求。本文采用半导体工艺兼容的反应磁控溅射技术在单晶硅上制备TiN薄膜。通过XRR、GIXRD、四探针测试仪和AFM等表征手段系统研究了衬底偏压、工作气压和溅射电源对薄膜晶体结构和电阻率的影响规律。结果表明,当采用直流电源进行溅射镀膜时,在-200 V的衬底偏压和0.3 Pa的工作气压下,得到了沿(200)晶面择优生长、表面粗糙度为0.7 nm、电阻率为38.7μΩ·cm的TiN薄膜。在该工艺条件下,分别采用直流和射频电源在4英寸单晶硅衬底上制备TiN薄膜。最终采用射频电源可获得高导电性、原子级平滑且厚度均匀分布的薄膜。分析发现:在使用射频电源的放电溅射过程中,高频交变电场使放电空间的电子在电极之间震荡,产生比直流放电更有效的碰撞电离,因此射频磁控溅射比直流磁控溅射沉积的薄膜更致密。 展开更多
关键词 微电子器件 反应磁控溅射 TIN薄膜 电阻率 晶体结构
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基于团簇式的GH2132高温合金成分协同变化关系 被引量：1
4
作者 李陌 李言成 +7 位作者 王清 董闯 QURASHI Muhammad Saqlain 赵亚军 张爽 李瑛 王连超 万鹏 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1-9,共9页
GH2132(A286)是析出强化型铁基高温合金,其含有多种合金化元素,为避免不合适的成分选择导致的综合性能失配,通过重点分析东北特钢提供的产品成分,解析国标成分区间的合理性,本文提出了一个更加合适的新成分标准形式。为此,引入“团簇加... GH2132(A286)是析出强化型铁基高温合金,其含有多种合金化元素,为避免不合适的成分选择导致的综合性能失配,通过重点分析东北特钢提供的产品成分,解析国标成分区间的合理性,本文提出了一个更加合适的新成分标准形式。为此,引入“团簇加连接原子”结构模型,该模型将合金成分的结构载体表述为[中心-第一近邻](连接原子)的团簇成分式形式。首先将合金化元素分为基体Fe、稳定奥氏体的(Ni,Mn)、稳定铁素体的(Cr,Mo,V,Si,Ti,Al)、以及不进入团簇式的(C,P,S,B)。通过分析国标规定的成分区间和实际合金成分,指出合金的实际成分区间远小于国标范围,并由16原子的成分式限定:Fe_((8.5~9.0)±0.25)(Ni,Mn)_(4±0.25)(Cr,Mo,V,Si,Ti,Al)_(3~3.5)。进而揭示了同类元素内部的质量百分比协同变化关系,即24.6≤Ni+Mn≤28.0和17.4≤Cr+0.6Mo+V+1.7Si+1.1Ti+1.8Al≤20.4。由此更合理地限定Mn、Si元素成分区间,并对东北特钢的合金成分提供了改进建议。 展开更多
关键词 GH2132合金 团簇加连接原子模型 团簇式 成分标准 协同变化关系
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基于HFCVD法的金刚石涂层铰刀制备 被引量：1
5
作者 迟英民 项礼 章世杰 《工具技术》 北大核心 2021年第5期60-63,共4页
钻孔后进行铰孔的精加工可以获得光滑的孔表面并消除毛刺,因此,使用金刚石涂层铰刀进行铰孔可以提高工件加工质量。采用双层热丝化学气相沉积(HFCVD)法在硬质合金铰刀上沉积金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对制备的薄膜进行表... 钻孔后进行铰孔的精加工可以获得光滑的孔表面并消除毛刺,因此,使用金刚石涂层铰刀进行铰孔可以提高工件加工质量。采用双层热丝化学气相沉积(HFCVD)法在硬质合金铰刀上沉积金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对制备的薄膜进行表征。结果表明:采用双层热丝结构用化学气相沉积法制备的金刚石涂层铰刀刀尖部分的金刚石颗粒在1.5μm左右,并且金刚石薄膜覆盖整个铰刀刀刃部位;刀尖部位金刚石薄膜有微量脱落。使用钨铼热电偶对基体温度进行测量,距刀顶0~18mm的基体温度分布在755℃~965℃范围内,有利于金刚石涂层的生长。在拉曼光谱中,金刚石薄膜的峰位于1335cm^(-1)处,此外在1529.04cm^(-1)处有弱峰,表明薄膜内有少量的非金刚石相。金刚石薄膜内存在压应力,计算所得残余应力值为^(-1).701GPa。 展开更多
关键词 双层热丝 化学气相沉积 金刚石薄膜 铰刀
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大气压下石英毛细管内氩等离子体放电的发射光谱诊断
6
作者 黄文同 李寿哲 +3 位作者 郭卿超 张家良 王德真 马腾才 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1167-1170,共4页
在长度为20cm的石英毛细管内利用两个边缘锋利的中空的针型电极之间的氩气放电产生了高电子密度的大气压等离子体。利用发射光谱对所获得的等离子体的几个重要参数进行了诊断。利用计算机谱线拟合法合成了300nm附近OH(A-X)的(0-0)转动... 在长度为20cm的石英毛细管内利用两个边缘锋利的中空的针型电极之间的氩气放电产生了高电子密度的大气压等离子体。利用发射光谱对所获得的等离子体的几个重要参数进行了诊断。利用计算机谱线拟合法合成了300nm附近OH(A-X)的(0-0)转动谱带并通过与测量谱线的比较确定了等离子体的气体温度,根据Hβ谱线Stark展宽法计算了等离子体的电子密度,采用玻尔兹曼曲线斜率法依据测得的有关氩的发射光谱估算了等离子体的电子温度。研究结果表明,这种石英毛细管内弧光放电等离子体的气体温度约为(1100±50)K;电子密度数量级在1014cm-3;电子温度约为(14515±500)K。 展开更多
关键词 等离子体放电 Stark展宽 转动温度 电子密度 电子温度
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衬底偏压对反应磁控共溅射Y:HfO_(2)薄膜电学性能的影响
7
作者 张伟奇 孙纳纳 周大雨 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期16-23,共8页
作为微电子器件中最具发展前景的高介电薄膜材料,HfO_(2)薄膜得到了学者们的广泛研究。低漏电流是HfO_(2)薄膜使器件获得优良性能的前提,但易受晶粒尺寸、氧空位和粗糙度等因素影响。针对反应磁控溅射所得薄膜表面粗糙度高及漏电流密度... 作为微电子器件中最具发展前景的高介电薄膜材料,HfO_(2)薄膜得到了学者们的广泛研究。低漏电流是HfO_(2)薄膜使器件获得优良性能的前提,但易受晶粒尺寸、氧空位和粗糙度等因素影响。针对反应磁控溅射所得薄膜表面粗糙度高及漏电流密度大等缺点,本文在溅射过程中通过在衬底施加偏压的方法降低了HfO_(2)薄膜的漏电流密度。结果表明:通过在衬底施加适当的偏压使得Y掺杂HfO_(2)(Y∶HfO_(2))薄膜的漏电流密度降低到8×10-8 A/cm^(2)。漏电流密度的变化与薄膜粗糙度和晶粒尺寸有关,而薄膜粗糙度和晶粒尺寸主要受衬底偏压的影响,但衬底偏压对薄膜物相的影响可以忽略。通过施加衬底偏压,利用反应磁控溅射方法制备了低漏电流和高k值Y∶HfO_(2)薄膜,可为高性能器件的制备提供基础。 展开更多
关键词 氧化铪薄膜 漏电流密度 衬底偏压 反应磁控共溅射 粗糙度
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面向基因测序芯片应用的TiN电极薄膜制备及性能研究
8
作者 王梦晓 徐进 +3 位作者 苏云鹏 顾佳烨 孙纳纳 周大雨 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-8,共8页
基因测序技术正处于快速发展阶段,作为灵敏度极高的测序技术——纳米孔测序,对薄膜电极的电阻率和储能特性提出了更高的要求。为了降低薄膜的电阻率并提高储能特性,本文利用反应磁控溅射方法,基于原位生长原理,分别制备了TiO_(x)N_(y)和... 基因测序技术正处于快速发展阶段,作为灵敏度极高的测序技术——纳米孔测序,对薄膜电极的电阻率和储能特性提出了更高的要求。为了降低薄膜的电阻率并提高储能特性,本文利用反应磁控溅射方法,基于原位生长原理,分别制备了TiO_(x)N_(y)和Ti/TiN/TiO_(x)N_(y)电极薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和电化学工作站对薄膜的微观结构、化学成分及其电化学性能进行研究。结果表明,在TiN高导电性和TiO_(x)N_(y)高比表面积的协同作用下,Ti/TiN/TiO_(x)N_(y)电极薄膜表现出优异的电化学性能。当电流密度为0.15 mA/cm^(2)时获得7.01 mF/cm^(2)的比电容,是TiO_(x)N_(y)电极薄膜比电容值的1.3倍。同时,与TiO_(x)N_(y)单电极相比,Ti/TiN/TiO_(x)N_(y)电极薄膜电阻降低约2个数量级。分析发现:将致密结构的TiN用作集流体引入疏松多孔的TiO_(x)N_(y)单电极中,可以有效降低Ti/TiN/TiO_(x)N_(y)体系内阻,同时保持良好的比电容,可为磁控溅射方法制备高性能基因测序芯片电极提供理论基础。 展开更多
关键词 基因测序 第四代DNA测序技术 磁控溅射 TiN电极薄膜 电化学性能
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