期刊文献+
共找到100篇文章
< 1 2 5 >
每页显示 20 50 100
SAW滤波器WLP封装中腔体抗模压塌陷研究 被引量:4
1
作者 唐代华 金中 +3 位作者 司美菊 罗旋升 谢东峰 谢晓 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第1期84-87,共4页
通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解... 通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解决了声表面波滤波器晶圆级封装芯片灌封压力导致的塌陷问题,降低了器件及模组失效风险,是一种声表面波滤波器晶圆级封装的新技术。 展开更多
关键词 声表面波滤波器 晶圆级封装 灌封 射频前端模组
在线阅读 下载PDF
微连接技术在3D-WLP中可靠性的研究现状
2
作者 苌文龙 于治水 +1 位作者 陈阿静 经敬楠 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第9期624-629,共6页
为了研究新型技术对微连接可靠性的影响,阐述了微连接技术在倒装焊、热压力焊、硅通孔技术中的应用情况。对微连接技术在晶圆级封装(3D-WLP)中影响其可靠性的常见问题及主要因素进行了综述。分析表明,在常见的Sn基无铅焊料与Cu基板的反... 为了研究新型技术对微连接可靠性的影响,阐述了微连接技术在倒装焊、热压力焊、硅通孔技术中的应用情况。对微连接技术在晶圆级封装(3D-WLP)中影响其可靠性的常见问题及主要因素进行了综述。分析表明,在常见的Sn基无铅焊料与Cu基板的反应过程中,金属间化合物层主要由Cu6Sn5和少量Cu3Sn组成。柯肯达尔孔洞、电迁移、金属间化合物的机械性能、锡须及尺寸效应是影响微连接可靠性的常见问题。在此基础上,归纳并探讨了焊料成分、微量合金、稀土元素、镀层及粉末精度等影响微连接可靠性主要因素的研究情况和发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆级封装(3D-wlp) 柯肯达尔孔洞 电迁移 尺寸效应 可靠性
在线阅读 下载PDF
声表面波芯片晶圆级封装技术
3
作者 王君 孟腾飞 +2 位作者 周培根 于海洋 曹玉 《应用声学》 北大核心 2025年第1期75-79,共5页
为解决声表面波滤波器无法实现系统级封装和高密度系统集成的问题,制作出可保护图形且封装尺寸小的滤波器,该文研究声表面波芯片的晶圆级先进封装技术。针对声表面波滤波器本身特性,提出技术方案并通过实验验证方案的可行性,并制作出晶... 为解决声表面波滤波器无法实现系统级封装和高密度系统集成的问题,制作出可保护图形且封装尺寸小的滤波器,该文研究声表面波芯片的晶圆级先进封装技术。针对声表面波滤波器本身特性,提出技术方案并通过实验验证方案的可行性,并制作出晶圆级封装的声表面波芯片样品,利用有机聚合物键合实现了晶圆级封装,通过测试键合强度、对比封装前后芯片性能等验证该样品的可靠性,测试结果显示键合强度满足要求且封装前后性能基本一致,达到预期结果。为提高器件可靠性,对该方案进行改进,利用金属共晶键合方式实现气密性封装,并制作出满足气密性要求的晶圆级封装的声表面波器件样品。 展开更多
关键词 声表面波芯片 晶圆级封装 聚合物键合
在线阅读 下载PDF
C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制 被引量:4
4
作者 刘娅 孙科 +3 位作者 马晋毅 谢征珍 蒋平英 杜雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期260-263,共4页
该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结... 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) Mason模型 晶圆极封装(wlp) 覆膜 插入损耗
在线阅读 下载PDF
一种基于WLP封装的声表面波滤波器 被引量:3
5
作者 陈尚权 吕翼 +4 位作者 赵雪梅 董加和 米佳 陈彦光 伍平 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期579-582,共4页
以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装... 以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。 展开更多
关键词 晶圆级封装(wlp) 声表面波滤波器 探卡
在线阅读 下载PDF
基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究 被引量:2
6
作者 倪烨 徐浩 +3 位作者 孟腾飞 袁燕 王君 张玉涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第S02期110-114,共5页
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出... 本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。 展开更多
关键词 晶圆级封装 深孔刻蚀 硅通孔互联
在线阅读 下载PDF
基于微谐振器的圆片级真空封装真空度测试技术 被引量:1
7
作者 胥超 王敏 杨志 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期162-167,共6页
针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率... 针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率的测试。采用MEMS体硅工艺和共晶圆片键合技术实现了微谐振器的圆片级真空封装,利用微谐振器阻尼特性建立了谐振器品质因数与真空度的对应关系,通过设计的激励电路实现了微谐振器品质因数的在片测试,对不同键合腔体真空度下封装的MEMS微谐振器进行测试,测试结果显示该微谐振器在高真空度0.1~8 Pa范围内品质因数与真空度有很好的对应关系。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 微谐振器 品质因数 真空度 圆片级真空封装
在线阅读 下载PDF
晶圆级树脂基低成本W波段封装天线微系统 被引量:1
8
作者 齐晓琳 崔晶宇 +4 位作者 李霄 张先乐 彭轶瑶 戴扬 杨凝 《雷达科学与技术》 北大核心 2024年第1期29-34,共6页
面向W波段探测与通信系统的小型化、低成本应用需求,本文采用晶圆级树脂基扇出型封装工艺,通过对有源封装天线集成架构、互连传输结构和天线阵列进行设计与仿真,设计了一款工作频率为94 GHz的封装天线微系统。该封装天线微系统集成了4&#... 面向W波段探测与通信系统的小型化、低成本应用需求,本文采用晶圆级树脂基扇出型封装工艺,通过对有源封装天线集成架构、互连传输结构和天线阵列进行设计与仿真,设计了一款工作频率为94 GHz的封装天线微系统。该封装天线微系统集成了4×4磁电偶极子阵列天线和16通道幅相多功能射频芯片。通过Ansys HFSS全波仿真,系统波束扫描范围在E面≥±30°,H面≥±40°,在7.1 mm×8.3 mm×1.2 mm封装尺寸内实现了封装天线等效全向辐射功率≥39.1 dBm。该封装天线微系统具备规模扩展能力,可广泛应用于探测、通信以及安检等领域。 展开更多
关键词 W波段 封装天线 低成本 树脂材料 晶圆级封装
在线阅读 下载PDF
与硅微器件集成的MEMS皮拉尼计
9
作者 秦宜峰 刘振华 +2 位作者 施志贵 张青芝 熊壮 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第9期1038-1043,共6页
针对圆片级真空封装现有的检测难、易泄漏等问题,提出一种可与硅微器件工艺兼容、并行加工于同一腔体的皮拉尼(Pirani)计设计与加工方法,用于圆片级真空封装后腔体的真空度检测。采用SOI硅片对皮拉尼计结构进行加工,通过金硅键合方式对... 针对圆片级真空封装现有的检测难、易泄漏等问题,提出一种可与硅微器件工艺兼容、并行加工于同一腔体的皮拉尼(Pirani)计设计与加工方法,用于圆片级真空封装后腔体的真空度检测。采用SOI硅片对皮拉尼计结构进行加工,通过金硅键合方式对器件进行圆片级封装,同时采用硅通孔(TSV)的纵向电极引出方式,改善气密封装问题。测试结果表明,皮拉尼计电阻在线性区间的温度系数为1.58Ω/℃,检测敏感区间约为1~100 Pa,灵敏度达到61.67Ω/ln(Pa)。提出的皮拉尼计可与硅微器件并行加工,为圆片级真空封装腔体的真空度在片测试提供了一种简单可行的方案。 展开更多
关键词 真空检测 皮拉尼计 硅微器件 圆片级真空封装
在线阅读 下载PDF
三维集成堆叠结构的晶圆级翘曲仿真及应用
10
作者 谭琳 王谦 +2 位作者 郑凯 周亦康 蔡坚 《电子与封装》 2024年第4期1-7,共7页
随着先进电子封装产品对低成本和高性能的需求不断提高,三维集成技术以其传输速度快、功耗低、封装尺寸小、系统集成度高等优势,逐渐成为一个主流研发方向。三维集成封装通常采用晶圆级制造技术,由于半导体制造工艺及三维结构设计的复杂... 随着先进电子封装产品对低成本和高性能的需求不断提高,三维集成技术以其传输速度快、功耗低、封装尺寸小、系统集成度高等优势,逐渐成为一个主流研发方向。三维集成封装通常采用晶圆级制造技术,由于半导体制造工艺及三维结构设计的复杂性,加之晶圆尺寸增大、厚度减小等发展趋势,使得有效控制晶圆翘曲以保证产品良率和可靠性面临着更大挑战。针对12英寸晶圆的典型三维集成结构,采用有限元仿真分析方法,研究多层薄膜堆叠产生的晶圆翘曲。对临时键合、晶圆减薄、晶圆键合及解键合等不同晶圆制造工艺中的翘曲变化进行了模拟计算,并选取关键工艺及设计参数进行评估与优化。通过对比实际产品的测量结果验证了仿真模型的合理性,运用仿真方法为产品设计提供了参数选择的指导依据。 展开更多
关键词 电子封装 三维集成 晶圆级翘曲 堆叠结构 有限元仿真
在线阅读 下载PDF
晶上系统:设计、集成及应用 被引量:1
11
作者 刘冠东 王伟豪 +8 位作者 万智泉 段元星 张坤 李洁 戚定定 王传智 李顺斌 邓庆文 张汝云 《电子与封装》 2024年第8期1-15,共15页
晶上系统(SoW)是近年来兴起的一种晶圆级超大规模集成技术。SoW是在整个晶圆上集成多个同构同质或异构异质的芯粒,并且芯粒相互连接组成具有协同工作能力的晶圆级系统,是后摩尔时代进一步提升系统性能的有效技术方案。总结了SoW技术近... 晶上系统(SoW)是近年来兴起的一种晶圆级超大规模集成技术。SoW是在整个晶圆上集成多个同构同质或异构异质的芯粒,并且芯粒相互连接组成具有协同工作能力的晶圆级系统,是后摩尔时代进一步提升系统性能的有效技术方案。总结了SoW技术近年来的主要研究进展,对系统架构、网络拓扑、仿真建模、供电和散热等关键技术进行了介绍,并对SoW技术的发展和应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 晶上系统 先进封装 晶圆级 异构集成 硅转接板
在线阅读 下载PDF
基于晶圆级技术的PBGA电路设计与验证
12
作者 文永森 罗曦 +2 位作者 杜映洪 刘勇 刘绍辉 《电子技术应用》 2024年第7期55-58,共4页
晶圆级封装技术可实现多芯片互连,但在封装尺寸、叠层数和封装良率等方面的问题限制了其在电路小型化进程中的发展。以一款扇出型晶圆级封装电路为例,基于先进封装技术,采用软件设计和仿真优化方式,结合封装经验和实际应用场景,通过重... 晶圆级封装技术可实现多芯片互连,但在封装尺寸、叠层数和封装良率等方面的问题限制了其在电路小型化进程中的发展。以一款扇出型晶圆级封装电路为例,基于先进封装技术,采用软件设计和仿真优化方式,结合封装经验和实际应用场景,通过重布线和芯片倒装的方式互连,完成了有机基板封装设计与制造,实现了该电路低成本和批量化生产的目标。本产品的设计思路和制造流程可为其他硬件电路微型化开发提供参考。 展开更多
关键词 晶圆级封装 电路小型化 芯片倒装 有机基板封装
在线阅读 下载PDF
金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究
13
作者 金中 张基钦 +5 位作者 吕峻豪 阮文彪 刘娅 甑静怡 孙明宝 孙彦红 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期339-342,共4页
薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性... 薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。 展开更多
关键词 薄膜体声波滤波器 晶圆级封装 金锡键合
在线阅读 下载PDF
基于晶圆级封装PDK的微带发夹型滤波器设计
14
作者 孙莹 周立彦 +3 位作者 王剑峰 许吉 明雪飞 王波 《电子与封装》 2024年第8期16-20,共5页
基于中国电子科技集团公司第五十八研究所的晶圆级封装工艺及其工艺设计套件(PDK),完成了多款通带范围在20~68 GHz的5阶微带发夹型滤波器的设计和优化。首先,根据平行耦合滤波器的基础理论,计算发夹型滤波器的特征尺寸;其次,调用PDK中... 基于中国电子科技集团公司第五十八研究所的晶圆级封装工艺及其工艺设计套件(PDK),完成了多款通带范围在20~68 GHz的5阶微带发夹型滤波器的设计和优化。首先,根据平行耦合滤波器的基础理论,计算发夹型滤波器的特征尺寸;其次,调用PDK中的衬底和元件模型实现滤波器的快速建模和参数优化;最后,采用多层再布线工艺对设计出的发夹型滤波器进行加工。实测结果和仿真结果具有较高的一致性,验证了该款晶圆级封装PDK的应用价值,能够为无源滤波器集成设计提供新的工具选择。 展开更多
关键词 晶圆级封装 PDK 发夹型滤波器
在线阅读 下载PDF
基于Fan-out技术的三维堆叠封装
15
作者 姚昕 王斌 张荣臻 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第6期100-103,共4页
基于扇出型晶圆级封装工艺(Fan-out工艺)技术的三维集成已成为实现电子系统元器件高集成度、小型化和低成本应用的有效途径。设计了一种基于Fan-out技术的三维堆叠封装DDR3存储模块,其相比于独立10片DDR3芯片在系统板上节省75%的空间。... 基于扇出型晶圆级封装工艺(Fan-out工艺)技术的三维集成已成为实现电子系统元器件高集成度、小型化和低成本应用的有效途径。设计了一种基于Fan-out技术的三维堆叠封装DDR3存储模块,其相比于独立10片DDR3芯片在系统板上节省75%的空间。通过对多层堆叠存储模块的系统需求与方案设计分析、电设计与仿真优化研究确定电路的结构与布线设计,最终研制生产的产品接触失效测试正常,功能码正确测试通过,电路各项指标均可满足系统的设计要求,验证了本设计的合理性。 展开更多
关键词 扇出型晶圆级封装工艺 三维堆叠封装 DDR3存储模块 高集成度
在线阅读 下载PDF
MEMS压阻加速度传感器阻尼特性研究 被引量:7
16
作者 卞玉民 郑锋 何洪涛 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期466-469,479,共5页
研究了空气阻尼对MEMS压阻加速度传感器性能的影响,建立了传感器动力学模型和空气阻尼模型,分析了空气间隙大小与传感器阻尼系数的相互关系,通过控制空气间隙可以达到控制加速度传感器阻尼的目的。根据分析结果设计了三明治结构封装的... 研究了空气阻尼对MEMS压阻加速度传感器性能的影响,建立了传感器动力学模型和空气阻尼模型,分析了空气间隙大小与传感器阻尼系数的相互关系,通过控制空气间隙可以达到控制加速度传感器阻尼的目的。根据分析结果设计了三明治结构封装的传感器,应用有限元仿真软件,对传感器的应力和应变进行了仿真计算,完成传感器结构参数设计;采用MEMS体硅加工工艺和圆片级封装工艺,制作了MEMS压阻加速度传感器。测试结果表明,采用三明治结构封装形式,可以控制压阻加速度传感器的阻尼特性,为提高传感器性能提供了途径。 展开更多
关键词 微电机系统 压阻 加速度传感器 阻尼 圆片级封装
在线阅读 下载PDF
一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS三明治电容式加速度计 被引量:4
17
作者 胡启方 李男男 +3 位作者 邢朝洋 刘宇 庄海涵 徐宇新 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第6期804-809,共6页
全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双... 全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双面KOH湿法腐蚀制造,腐蚀过程中使用台阶化的SiO_2作为硬掩模。硅盖板的加工主要通过KOH各向异性腐蚀和电感耦合等离子体垂直刻蚀完成。最后,上、下硅盖板通过基于Au-Si共晶反应的全硅键合技术从两侧与硅中间摆片进行键合,并实现圆片级真空封装。三明治加速度计的腔体内封装了压力为200 Pa的高纯氮气。测试结果表明,所述加速度计的闭环输出灵敏度为0.575 V/g,零位误差为0.43 g。加速度计的-3dB带宽为278.14Hz。加速度计1 h的输出稳定性为2.23×10-4 g(1σ)。加速度计在全温范围(-40℃~60℃)内的输出漂移为45.78 mg,最大温度滞环为3.725 mg。 展开更多
关键词 MEMS 加速度计 圆片级真空封装 金-硅共晶键合
在线阅读 下载PDF
一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术 被引量:4
18
作者 冷俊林 杨静 +6 位作者 毛海燕 杨正兵 汤旭东 余欢 杨增涛 董姝 伍平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第4期517-519,共3页
总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指... 总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 声表面波(SAW) 晶圆级封装技术 干膜
在线阅读 下载PDF
圆片级芯片尺寸封装技术及其应用综述 被引量:7
19
作者 成立 王振宇 +3 位作者 祝俊 赵倩 侍寿永 朱漪云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期38-43,共6页
综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等。并对比研究了几种圆片级再分布芯片尺寸封装方式的工艺特征和技术要点,从而说明了WL-... 综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等。并对比研究了几种圆片级再分布芯片尺寸封装方式的工艺特征和技术要点,从而说明了WL-CSP的技术优势及其应用前景。 展开更多
关键词 集成电路 圆片级芯片尺寸封装 技术优势 应用前景
在线阅读 下载PDF
声表面波器件小型化技术发展概述 被引量:9
20
作者 米佳 李辉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第1期4-6,共3页
以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势。着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点。详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后... 以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势。着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点。详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势。 展开更多
关键词 声表面波 小型化封装 芯片级封装 晶圆级封装
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 5 下一页 到第
使用帮助 返回顶部