SAW滤波器WLP封装中腔体抗模压塌陷研究 被引量：4

1

作者 唐代华 金中 +3 位作者 司美菊 罗旋升 谢东峰 谢晓 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第1期84-87,共4页

通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解... 通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解决了声表面波滤波器晶圆级封装芯片灌封压力导致的塌陷问题,降低了器件及模组失效风险,是一种声表面波滤波器晶圆级封装的新技术。 展开更多

关键词 声表面波滤波器 晶圆级封装 灌封 射频前端模组

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扇出型晶圆级封装翘曲控制的研究进展

2

作者 张需 张志模 +1 位作者 李奇哲 王刚 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期666-675,共10页

扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其体积小、I/O端口密度高、成本低等优势受到科研人员的广泛关注与研究,但晶圆在封装过程中的翘曲却严重影响了产品良率与可靠性。从材料改进创新、工艺流程优化、设计结构改进、仿真精确化四个角度,系统综... 扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其体积小、I/O端口密度高、成本低等优势受到科研人员的广泛关注与研究,但晶圆在封装过程中的翘曲却严重影响了产品良率与可靠性。从材料改进创新、工艺流程优化、设计结构改进、仿真精确化四个角度,系统综述了现有FOWLP翘曲的优化方法,分析了各方法的优势与不足,并总结了其发展趋势。研究结果表明,低热膨胀系数(CTE)和高模量材料开发以及工艺流程优化对改善FOWLP翘曲具有关键作用,可为后续研究提供重要参考。 展开更多

关键词 扇出型晶圆级封装(FOwlp) 翘曲 重构晶圆 环氧塑封料(EMC) 有限元分析(FEA)

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声表面波芯片晶圆级封装技术

3

作者 王君 孟腾飞 +2 位作者 周培根 于海洋 曹玉 《应用声学》 北大核心 2025年第1期75-79,共5页

为解决声表面波滤波器无法实现系统级封装和高密度系统集成的问题,制作出可保护图形且封装尺寸小的滤波器,该文研究声表面波芯片的晶圆级先进封装技术。针对声表面波滤波器本身特性,提出技术方案并通过实验验证方案的可行性,并制作出晶... 为解决声表面波滤波器无法实现系统级封装和高密度系统集成的问题,制作出可保护图形且封装尺寸小的滤波器,该文研究声表面波芯片的晶圆级先进封装技术。针对声表面波滤波器本身特性,提出技术方案并通过实验验证方案的可行性,并制作出晶圆级封装的声表面波芯片样品,利用有机聚合物键合实现了晶圆级封装,通过测试键合强度、对比封装前后芯片性能等验证该样品的可靠性,测试结果显示键合强度满足要求且封装前后性能基本一致,达到预期结果。为提高器件可靠性,对该方案进行改进,利用金属共晶键合方式实现气密性封装,并制作出满足气密性要求的晶圆级封装的声表面波器件样品。 展开更多

关键词 声表面波芯片 晶圆级封装 聚合物键合

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一种K波段晶圆级封装器件化R组件设计

4

作者 朱贵德 罗鑫 +2 位作者 王军会 罗里 何小峰 《电讯技术》 北大核心 2025年第6期980-985,共6页

介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封... 介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封扇出晶圆级封装工艺,通过在两种芯片上合理设置接地焊盘位置,再借助晶圆级封装的再布线设计和植球工艺,实现单个封装内多通道间以及多个封装间的良好电磁屏蔽。采用多物理场协同仿真方式,将无源互连的场级全波仿真结果与有源电路的电路级仿真结果进行场路协同联合仿真,通过场路协同调谐优化,得到最优宽带匹配效果,研制出了一款晶圆级扇出封装器件化R组件。实测表明在K波段噪声系数小于2.1 dB,小信号增益大于22 dB,延时误差均方根小于1.8 ps。R组件尺寸为11 mm×8 mm×0.7 mm,重量仅0.2 g。该设计方案充分发挥了CMOS工艺数模混合集成能力和GaAs工艺优异的射频性能,实现了R组件更高的功能密度、通道密度和低成本需求,具有一定的工程应用价值。 展开更多

关键词 相控阵天线 K波段R组件 晶圆级扇出封装 场路协同仿真

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C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制 被引量：5

5

作者 刘娅 孙科 +3 位作者 马晋毅 谢征珍 蒋平英 杜雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期260-263,共4页

该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结... 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) Mason模型 晶圆极封装(wlp) 覆膜 插入损耗

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一种基于WLP封装的声表面波滤波器 被引量：3

6

作者 陈尚权 吕翼 +4 位作者 赵雪梅 董加和 米佳 陈彦光 伍平 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期579-582,共4页

以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装... 以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。 展开更多

关键词 晶圆级封装(wlp) 声表面波滤波器 探卡

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基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究 被引量：3

7

作者 倪烨 徐浩 +3 位作者 孟腾飞 袁燕 王君 张玉涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第S02期110-114,共5页

本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出... 本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。 展开更多

关键词 晶圆级封装 深孔刻蚀 硅通孔互联

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圆片级封装中的二次硅-玻璃键合工艺研究 被引量：1

8

作者 郑雅欣 阮勇 +2 位作者 祝连庆 宋志强 吴紫珏 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第10期50-54,共5页

针对MEMS谐振器真空封装更高的要求,将盖帽硅片、器件硅片(Si)和玻璃衬底通过二次Si—玻璃(D-SOG)阳极键合工艺,实现了MEMS谐振器加工的同时,完成MEMS谐振器的6in圆片级高真空度封装。通过优化两次键合工艺参数,第二次键合温度由第一次... 针对MEMS谐振器真空封装更高的要求,将盖帽硅片、器件硅片(Si)和玻璃衬底通过二次Si—玻璃(D-SOG)阳极键合工艺,实现了MEMS谐振器加工的同时,完成MEMS谐振器的6in圆片级高真空度封装。通过优化两次键合工艺参数,第二次键合温度由第一次键合温度350℃调整到380℃,键合压力分别为800N(第二次键合)和600N(第一次键合);优化第二次键合封装密封环的键合面积宽度为700μm;达到良好的MEMS谐振器封装效果,器件的泄漏速率为3.85×10^(-9) Pa·m^(3)/s。该研究可以有效降低加工成本和工艺难度、提高器件可靠性,满足了MEMS器件对封装密封性的要求,后续可广泛应用到基于D-SOG的MEMS谐振器封装工艺中,具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 微机电系统 圆片级真空封装 玻璃上硅键合封装密封环 二次硅—玻璃键合

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晶圆级树脂基低成本W波段封装天线微系统 被引量：1

9

作者 齐晓琳 崔晶宇 +4 位作者 李霄 张先乐 彭轶瑶 戴扬 杨凝 《雷达科学与技术》 北大核心 2024年第1期29-34,共6页

面向W波段探测与通信系统的小型化、低成本应用需求,本文采用晶圆级树脂基扇出型封装工艺,通过对有源封装天线集成架构、互连传输结构和天线阵列进行设计与仿真,设计了一款工作频率为94 GHz的封装天线微系统。该封装天线微系统集成了4&#... 面向W波段探测与通信系统的小型化、低成本应用需求,本文采用晶圆级树脂基扇出型封装工艺,通过对有源封装天线集成架构、互连传输结构和天线阵列进行设计与仿真,设计了一款工作频率为94 GHz的封装天线微系统。该封装天线微系统集成了4×4磁电偶极子阵列天线和16通道幅相多功能射频芯片。通过Ansys HFSS全波仿真,系统波束扫描范围在E面≥±30°,H面≥±40°,在7.1 mm×8.3 mm×1.2 mm封装尺寸内实现了封装天线等效全向辐射功率≥39.1 dBm。该封装天线微系统具备规模扩展能力,可广泛应用于探测、通信以及安检等领域。 展开更多

关键词 W波段 封装天线 低成本 树脂材料 晶圆级封装

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金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究 被引量：2

10

作者 金中 张基钦 +5 位作者 吕峻豪 阮文彪 刘娅 甑静怡 孙明宝 孙彦红 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期339-342,共4页

薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性... 薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。 展开更多

关键词 薄膜体声波滤波器 晶圆级封装 金锡键合

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共蒸发法制备金锡共晶焊料环及其性能研究

11

作者 李萌萌 李兆营 黄添萍 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期59-61,共3页

采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象... 采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象;经过振荡测试,溢料无脱落、无位移,且芯片密封性能可达到1×10^(-3) Pa/(cm^(3)·s),符合探测器的气密性要求。 展开更多

关键词 非制冷红外探测器 晶圆级封装 电子束蒸发 金锡共晶焊料环 键合

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一种圆片级硅三层键合的三明治加速度传感器 被引量：6

12

作者 徐玮鹤 林友玲 +3 位作者 车录锋 李玉芳 熊斌 王跃林 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期230-232,共3页

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线... 提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线。传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.26mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.42mm。对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器灵敏度约4.15pF/g,品质因子为56,谐振频率为774Hz。 展开更多

关键词 电容式加速度传感器 硅硅键合 圆片级真空封装

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一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS三明治电容式加速度计 被引量：4

13

作者 胡启方 李男男 +3 位作者 邢朝洋 刘宇 庄海涵 徐宇新 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第6期804-809,共6页

全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双... 全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双面KOH湿法腐蚀制造,腐蚀过程中使用台阶化的SiO_2作为硬掩模。硅盖板的加工主要通过KOH各向异性腐蚀和电感耦合等离子体垂直刻蚀完成。最后,上、下硅盖板通过基于Au-Si共晶反应的全硅键合技术从两侧与硅中间摆片进行键合,并实现圆片级真空封装。三明治加速度计的腔体内封装了压力为200 Pa的高纯氮气。测试结果表明,所述加速度计的闭环输出灵敏度为0.575 V/g,零位误差为0.43 g。加速度计的-3dB带宽为278.14Hz。加速度计1 h的输出稳定性为2.23×10-4 g(1σ)。加速度计在全温范围(-40℃~60℃)内的输出漂移为45.78 mg,最大温度滞环为3.725 mg。 展开更多

关键词 MEMS 加速度计 圆片级真空封装 金-硅共晶键合

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一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术 被引量：4

14

作者 冷俊林 杨静 +6 位作者 毛海燕 杨正兵 汤旭东 余欢 杨增涛 董姝 伍平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第4期517-519,共3页

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指... 总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 声表面波(SAW) 晶圆级封装技术 干膜

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圆片级芯片尺寸封装技术及其应用综述 被引量：7

15

作者 成立 王振宇 +3 位作者 祝俊 赵倩 侍寿永 朱漪云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期38-43,共6页

综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等。并对比研究了几种圆片级再分布芯片尺寸封装方式的工艺特征和技术要点,从而说明了WL-... 综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等。并对比研究了几种圆片级再分布芯片尺寸封装方式的工艺特征和技术要点,从而说明了WL-CSP的技术优势及其应用前景。 展开更多

关键词 集成电路 圆片级芯片尺寸封装 技术优势 应用前景

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用电镀铜锡合金薄膜实现圆片级气密封装 被引量：5

16

作者 杜利东 赵湛 +2 位作者 方震 孙学金 王晓蕾 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期3044-3049,共6页

开发了一种基于电镀铜锡合金薄膜的绝压气压传感器圆片级气密封装技术以降低常规的基于阳极键合气密封装技术的成本及难度。通过实验确定了铜锡合金薄膜的电镀参数,实现了结构参数为:Cr/Cu/Sn(30nm/4μm/4μm)的铜锡合金薄膜;通过共晶... 开发了一种基于电镀铜锡合金薄膜的绝压气压传感器圆片级气密封装技术以降低常规的基于阳极键合气密封装技术的成本及难度。通过实验确定了铜锡合金薄膜的电镀参数,实现了结构参数为:Cr/Cu/Sn(30nm/4μm/4μm)的铜锡合金薄膜;通过共晶键合实验确定圆片级气密封装的参数,进行了基于铜锡材料的气密封装温度实验。通过比较各种不同温度下气密封装的结果,确定了完成圆片级气密封装的条件为:静态压力0.02 MPa,加热温度280°,保持20min。最后,对气密封装效果进行X-射线衍射谱(XRD)、X射线分析、剪切力以及氦气泄露分析等实验研究。XRD分析显示:在键合界面出现了Cu3Sn相,证明形成了很好的键合;X射线分析表明封装面无明显孔洞;剪切力分析给出平均键合强度为9.32 MPa,氦气泄露分析则显示泄露很小。得到的结果表明:基于电镀铜锡合金薄膜可以很好地实现绝压气压传感器的圆片级气密封装。 展开更多

关键词 微机械 气密封装 气压传感器 圆片级键合 电镀铜锡合金薄膜

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声表面波器件小型化技术发展概述 被引量：9

17

作者 米佳 李辉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第1期4-6,共3页

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势。着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点。详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后... 以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势。着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点。详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势。 展开更多

关键词 声表面波 小型化封装 芯片级封装 晶圆级封装

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基于圆片级阳极键合封装的高g_n值压阻式微加速度计 被引量：3

18

作者 袁明权 孙远程 +3 位作者 张茜梅 武蕊 屈明山 熊艳丽 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第5期111-113,117,共4页

设计了一种适合于高gn值压阻式微加速度计圆片级封装的结构,解决了芯片制造工艺过程中电极通道建立、焊盘保护、精确划片等关键技术。采用玻璃—硅—玻璃三层阳极键合的方式进行圆片级封装,较好地解决了芯片密封性、小型化和批量化等生... 设计了一种适合于高gn值压阻式微加速度计圆片级封装的结构,解决了芯片制造工艺过程中电极通道建立、焊盘保护、精确划片等关键技术。采用玻璃—硅—玻璃三层阳极键合的方式进行圆片级封装,较好地解决了芯片密封性、小型化和批量化等生产难题。在4 in生产线上制作的高gn值压阻式微加速度计样品,尺寸仅为1 mm×1 mm×0.8 mm;对传感器进行的校准与抗冲击性能测试,结果表明:样品具备105gn的抗冲击能力、0.15μV/gn/V的灵敏度以及200 kHz的谐振频率。 展开更多

关键词 微机电系统 圆片级封装 微加速度计 压阻 阳极键合

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非制冷红外焦平面探测器封装技术研究进展 被引量：7

19

作者 王强 张有刚 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第9期837-842,共6页

目前,决定非制冷红外焦平面探测器成本和可靠性的主要因素之一是其真空封装技术水平。本文主要介绍了非制冷红外探测器封装技术的发展现状,详细说明了典型金属封装、陶瓷封装、晶圆级封装及像元级封装的基本结构和组装工艺,并指出了其... 目前,决定非制冷红外焦平面探测器成本和可靠性的主要因素之一是其真空封装技术水平。本文主要介绍了非制冷红外探测器封装技术的发展现状,详细说明了典型金属封装、陶瓷封装、晶圆级封装及像元级封装的基本结构和组装工艺,并指出了其优缺点和未来发展趋势。 展开更多

关键词 非制冷红外焦平探测器 金属封装 陶瓷封装 晶圆级封装 像元级封装

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晶圆级异构集成毫米波收发组件测试技术 被引量：5

20

作者 张兆华 张明辉 +1 位作者 崔凯 胡永芳 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2023年第8期91-96,共6页

晶圆级封装技术能够大幅压缩前端收发组件的体积和重量,实现有源相控阵雷达的小型化,也带来诸如热管理、通道隔离、信号串扰、可返修性、可测试性等方面的技术挑战。由于引入了较多的先进工艺步骤和复杂的封装架构,如何对其进行测试以... 晶圆级封装技术能够大幅压缩前端收发组件的体积和重量,实现有源相控阵雷达的小型化,也带来诸如热管理、通道隔离、信号串扰、可返修性、可测试性等方面的技术挑战。由于引入了较多的先进工艺步骤和复杂的封装架构,如何对其进行测试以保证成品率、降低成本成为行业关注的技术难题。文中介绍了毫米波晶圆级异构集成封装工艺技术,并针对典型晶圆级封装组件的集成方案和测试流程对测试技术需求和面临的技术挑战进行了深入分析,对产品测试过程中涉及的晶圆级探针分层测试、治具测试和空口(OTA)测试三个关键技术进行梳理和总结,对后续射频晶圆级3D封装组件/模块的测试具有重要的借鉴和参考价值。 展开更多

关键词 空口测试 毫米波 晶圆级封装 收发组件

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