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Efficiency and stability enhancement of a virtual cathode oscillator
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作者 樊玉伟 李志强 +1 位作者 舒挺 刘静 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第7期541-544,共4页
A virtual cathode oscillator (VCO) with a resonant cavity is presented and investigated numerically and theoretically, and its efficiency and stability are enhanced. An equivalent circuit method is introduced to ana... A virtual cathode oscillator (VCO) with a resonant cavity is presented and investigated numerically and theoretically, and its efficiency and stability are enhanced. An equivalent circuit method is introduced to analyze the resonant cavity com- posed of anode foil and feedback annulus, and a theoretical expression for the fundamental mode frequency of the resonant cavity is given. The VCO is investigated in detail with a particle-in-cell method. We obtain the microwave frequencies from simulation, theoretical expression, and relative references, and draw three important conclusions. First, the microwave fre- quency is a constant when the diode voltage is changed from 588 kV to 717 kV. Second, the fluctuation of the microwave frequency is very small when the AK gap is changed from 1.2 cm to 1.6 cm. Third, the microwave frequency agrees with the theoretical result. The relative error, which is calculated according to the theoretical and simulation frequencies, is only 1.7%. 展开更多
关键词 virtual cathode oscillator (vco equivalent circuit method particle-in-cell method
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基于变压器磁调谐的双模W波段VCO
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作者 朱承同 徐雷钧 +1 位作者 谢月娥 陈元平 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期164-170,共7页
提出了一种基于变压器的用于无变容管W波段压控振荡器(VCO)的磁调谐技术。通过控制变压器磁调谐线圈所连接MOS管的开关状态,引入了四个重叠的频率子带。所提出的可切换的六线圈变压器采用40 nm CMOS工艺的顶层厚金属设计,实现了较高的... 提出了一种基于变压器的用于无变容管W波段压控振荡器(VCO)的磁调谐技术。通过控制变压器磁调谐线圈所连接MOS管的开关状态,引入了四个重叠的频率子带。所提出的可切换的六线圈变压器采用40 nm CMOS工艺的顶层厚金属设计,实现了较高的输出频率稳定性和谐振腔品质因数。所采用的技术在对相位噪声的不利影响最小的情况下扩展了调谐范围,实现了无变容管W波段VCO的宽调谐范围和低功耗。所设计的双模W波段VCO输出频率为84.2~107.5 GHz,频率调谐范围大于24%,在1 V电源电压下功耗仅6.1 mW,在10 MHz偏移处的相位噪声为-107.203~-97.875 dBc/Hz。 展开更多
关键词 变压器 磁调谐 无变容管 W波段 压控振荡器(vco)
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基于负阻MMIC的新型VCO研制 被引量:9
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作者 郭文胜 陈君涛 邓海丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期909-912,933,共5页
提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小... 提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小型化、低成本的优势,又保持了薄膜混合集成电路可灵活调试的特性。通过设计流片数款在不同频段的负阻单片微波集成电路,可完成频率1~18 GHz、小型化、系列化VCO的研制。X波段宽带VCO的实测结果显示,当电调电压在2~13 V变化时输出频率覆盖8~12.5 GHz,调谐线性度为2∶1,电调电压5 V时相位噪声为-96 dBc/Hz@100 kHz。 展开更多
关键词 负阻单片微波集成电路(MMIC) 压控振荡器 砷化镓异质结三极管 相位噪声 小型化
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一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO 被引量:4
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作者 卓汇涵 张万荣 +1 位作者 靳佳伟 周永旺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期343-347,共5页
设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO)。电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分。在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功... 设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO)。电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分。在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功耗;在振荡器的控制电源部分,采用gain-boost结构,设计了一款理想的可控双电流源,实现了振荡器的宽频率调谐范围。基于SMIC 65 nm工艺,在1.8 V工作电压下,对振荡器进行了后仿验证。结果表明,在频率为900 MHz时,振荡器的功耗仅为3.564 m W;当控制电压在0.6~1.8 V变化时,振荡器的频率调谐范围可宽达0.495~1.499 GHz。 展开更多
关键词 低功耗 动态锁存 调谐范围 理想电流源 压控振荡器(vco)
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多段LC VCO的自适应频段选择技术 被引量:2
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作者 齐贺飞 陈陵都 +2 位作者 赵瑞华 李晋 陈君涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期812-816,共5页
摘要:研究了一款单片CMOSLc压控振荡器(VCO)。除可变电容和开关电容阵列外,设计中还应用了二叉树的原理。多频段VCO自适应选择最优工作频段,将压控电压置于预先设定的范围内,谐振频率放在该频段的中心附近,提高了VCO的工作稳定... 摘要:研究了一款单片CMOSLc压控振荡器(VCO)。除可变电容和开关电容阵列外,设计中还应用了二叉树的原理。多频段VCO自适应选择最优工作频段,将压控电压置于预先设定的范围内,谐振频率放在该频段的中心附近,提高了VCO的工作稳定性。设计难点在于如何控制压控电压位于合适的范围。将该VCO应用在锁相环(PLL)中,对锁相环芯片测试的结果表明,当压控电压为1~2V时,锁相环能够快速锁定,频率输出范围为600~1300MHz。电荷泵的NMOS和PMOS匹配最佳,相位噪声最好。自适应频段选择技术还提高了锁相环的工作可靠性,强制控制电压进入设定区间,保证了锁相环可靠入锁,在高、低温下也不会发生失锁。 展开更多
关键词 压控振荡器(vco) 二叉树 锁相环(PLL) 稳定性 多频段
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宽带HBT VCO单片电路的设计和制作 被引量:1
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作者 陈凤霞 蔡文胜 +1 位作者 戚伟 李远鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期8-13,共6页
针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片... 针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片性能。基于HBT工艺,设计出了宽带、低相位噪声的VCO单片电路,芯片工作电压为5V,工作电流为50~58mA,VCO振荡频率为3.2~6.2GHz,相噪为-73dBc/Hz@10kHz,输出功率11~14dBm。同时还阐述了采用片上外加变容管的优缺点以及改进方法。 展开更多
关键词 压控振荡器 频率 虚地 负阻 异质结双极晶体管
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振动对SYK801型SAW VCO频谱性能的影响 被引量:1
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作者 黄汉生 隆海燕 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第2期68-71,74,共5页
对SYK801型声表面波压控振荡器(SAW VCO)在振动条件下的输出频谱性能进行了初步的探索和研究。介绍了这类型振荡器的振动灵敏度系数的表达式,初步分析影响振动灵敏度系数的主要因素,提出改善振动性能的技术措施。测试... 对SYK801型声表面波压控振荡器(SAW VCO)在振动条件下的输出频谱性能进行了初步的探索和研究。介绍了这类型振荡器的振动灵敏度系数的表达式,初步分析影响振动灵敏度系数的主要因素,提出改善振动性能的技术措施。测试结果表明所采取的技术措施对改善振荡器的振动性能是有效的。 展开更多
关键词 声表面波 压控振荡器 振动 频谱性能
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5GHz0.18μm CMOS工艺正交输出VCO
8
作者 陈莹梅 王志功 +2 位作者 朱恩 冯军 章丽 《光通信研究》 北大核心 2004年第2期39-41,共3页
文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.... 文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.9~5.5GHz,模拟的相位噪声为-119.3dBc/Hz@5M,采用1.8V电源电压,核芯电路的功耗为30mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm. 展开更多
关键词 CMOS 相位噪声 环形振荡器 电压控制振荡器 vco 正交输出 光纤通信
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变压器反馈的超低功耗低相位噪声CMOS LC-VCO设计
9
作者 吴秀山 王志功 +1 位作者 李智群 李青 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第6期63-66,共4页
设计了一种全集成交叉耦合变压器反馈的Lc压控振荡器(LC.VCO),该VCO在电源电压低于阈值电压的情况下实现了超低功率消耗和低相位噪声。该超低功耗的VCO采用SMIC0.18p,m数模混合RFIP6MCMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明:电路在... 设计了一种全集成交叉耦合变压器反馈的Lc压控振荡器(LC.VCO),该VCO在电源电压低于阈值电压的情况下实现了超低功率消耗和低相位噪声。该超低功耗的VCO采用SMIC0.18p,m数模混合RFIP6MCMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明:电路在0.4V电源供电和工作频率为2.433GHz时,相位噪声为-125.3dBc/Hz(频偏1MHz),核心直流功耗仅为720txW。芯片的工作频率为2.28—2.48GHz,调谐范围为200MHz(8.7%),电路的优值为-193.7dB,信号的输出功率约为1dBm。该VCO完全可以满足IEEE802.11b接收机的应用要求。 展开更多
关键词 低相位噪声 低功耗 变压器 电压控制振荡器 反馈
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低相位噪声VCO的设计
10
作者 向永波 阎跃鹏 高海飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期534-537,共4页
设计了一个用于移动通信中继站的低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了考皮兹结构,谐振器使用LC器件,放大器件使用双极结型晶体管(BJT)。其频率调动范围为730~840 MHz,压控灵敏度为22 MHz/V,输出功率为10.7 dBm。在800 MHz中心频率... 设计了一个用于移动通信中继站的低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了考皮兹结构,谐振器使用LC器件,放大器件使用双极结型晶体管(BJT)。其频率调动范围为730~840 MHz,压控灵敏度为22 MHz/V,输出功率为10.7 dBm。在800 MHz中心频率处,其实测相位噪声分别为-99.42 dBc/Hz@10 kHz,-116.44 dBc/Hz@100 kHz,-135.06 dBc/Hz@1 MHz。提出了一种采用基极低频滤波的办法消除VCO的杂散频率,整个测试频段内观察不到明显的杂散。阐述了VCO相位噪声的主要来源,给出了低噪声VCO的设计方法。理论计算,仿真结果和实物测试取得了一致的结论,对低噪声VCO的设计提供了一定的参考。 展开更多
关键词 压控振荡器 相位噪声 杂散 变容管 双极结型晶体管
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一种简易微波VCO的设计 被引量:7
11
作者 鲁建彬 朱成 +1 位作者 祝潇 葛俊祥 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第3期51-55,共5页
描述了一种高性能简易微波VCO器件的设计和实验。该器件基于负阻原理设计,利用微波FET和变容二极管等分立元件制作,具有高性价比的特点。设计过程中利用ADS软件进行电路的匹配和优化,通过合适的外电路设计对变容二极管VCO的调频线性度... 描述了一种高性能简易微波VCO器件的设计和实验。该器件基于负阻原理设计,利用微波FET和变容二极管等分立元件制作,具有高性价比的特点。设计过程中利用ADS软件进行电路的匹配和优化,通过合适的外电路设计对变容二极管VCO的调频线性度进行改善,同时,降低了VCO的相位噪声。实际电路的测试结果表明,当该VCO的中心频率为4.3GHz时,其调谐范围大于200MHz,输出功率大于5.2dBm,相位噪声优于-112dBc/Hz@1MHz和-83dBc/Hz@100kHz。 展开更多
关键词 压控振荡器 负阻原理 变容管 场效应管(FET) 性价比
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UHF RFID读写器中低噪声宽带VCO的设计 被引量:3
12
作者 张启帆 王建伟 +1 位作者 石春琦 张润曦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期150-155,共6页
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一款可用于UHF RFID读写器的低相位噪声、宽带的压控振荡器(VCO)。使用全集成、低输出噪声和高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)为VCO供电;采用4bit电阻偏置型开关电容阵列拓宽了频带,减少了寄生二... 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一款可用于UHF RFID读写器的低相位噪声、宽带的压控振荡器(VCO)。使用全集成、低输出噪声和高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)为VCO供电;采用4bit电阻偏置型开关电容阵列拓宽了频带,减少了寄生二极管引入的损耗,有效提升了VCO的相位噪声性能。测试结果表明:LDO输出2.5V电压的条件下,整个电路消耗电流为4.8mA时,压控振荡器的输出频率可在3.12GHz至4.21GHz(增幅30.5%)的范围内变化。在载波3.6GHz频偏200kHz和1 MHz时相位噪声分别为:-109.9dBc/Hz和-129dBc/Hz。 展开更多
关键词 压控振荡器 宽摆幅 低噪声 开关电容阵列
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用于微处理器时钟同步PLL的VCO设计 被引量:1
13
作者 林玉树 蔡敏 敬小成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1073-1076,共4页
研究了一种用于微处理器时钟同步PLL的高带宽低噪声的压控振荡器(VCO),该VCO采用了交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过改善其控制电压变换电路,大大拓宽了压控增益的线性范围,消除了振荡器对控制电压的影响,降低了输出时钟的... 研究了一种用于微处理器时钟同步PLL的高带宽低噪声的压控振荡器(VCO),该VCO采用了交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过改善其控制电压变换电路,大大拓宽了压控增益的线性范围,消除了振荡器对控制电压的影响,降低了输出时钟的相位噪声。基于CSMC 3.3V0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,取延迟单元沟道长度为1μm、中心频率为365MHz时,压控增益为300MHz/V,其线性区覆盖范围是30~700MHz,在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-95dB/Hz,低频1/f噪声在-20dB/Hz以下。该VCO可以通过适当减小延迟单元沟道长度来拓宽压控增益线性范围。 展开更多
关键词 压控振荡器 电流饥饿型 环形振荡器
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集成宽带VCO的低相噪设计 被引量:2
14
作者 姚立华 郭文胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期803-806,共4页
从VCO的相位噪声概念及原理分析入手,论述了集成宽带压控振荡器低相噪的设计方法和设计思路,进行了理论分析和数学模拟,并通过利用相关软件进行仿真、优化设计。获得了低相噪声的宽带振荡器,并给出了各频段集成宽带VCO最终达到的相位噪... 从VCO的相位噪声概念及原理分析入手,论述了集成宽带压控振荡器低相噪的设计方法和设计思路,进行了理论分析和数学模拟,并通过利用相关软件进行仿真、优化设计。获得了低相噪声的宽带振荡器,并给出了各频段集成宽带VCO最终达到的相位噪声指标。低相噪声集成VCO系列产品的成功研制极大地方便了系统设计师的电路设计,该自主研制的低相噪VCO已广泛应用于多种电子系统中,对系统关键电路的国产化、高性能化有着重要意义。 展开更多
关键词 集成宽带压控振荡器 相位噪声 仿真 宽带振荡器 优化设计
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一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现 被引量:4
15
作者 武岳 吕红亮 +1 位作者 张玉明 张义门 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期30-34,共5页
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿... 为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移.芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm;整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc/Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm^2.文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声. 展开更多
关键词 K波段 相位噪声 改进的n形反馈网络 砷化镓异质结双极晶体管 压控振荡器
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低电调电压全集成10~20GHz VCO的设计与实现 被引量:4
16
作者 高晓强 张加程 +1 位作者 王增双 孙高勇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期30-35,46,共7页
研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成。将10~20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电调电压控制在5 V以内。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT) 2μ... 研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成。将10~20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电调电压控制在5 V以内。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT) 2μm工艺对所设计的VCO进行了流片验证,芯片面积为3.4 mm×3.2 mm。测试结果表明,在室温下,当电源电压为5 V、电调电压在0~5 V时,每个频段VCO可覆盖的频率为9.58~11.6 GHz、11.06~13.23 GHz、12.77~14.89 GHz、14.21~16.48 GHz、16~18.48 GHz和17.7~20.17 GHz;当电调电压为2.5 V、频偏为100 kHz时,每个频段VCO的相位噪声分别为-91.8、-90.5、-90.3、-90、-88.2和-87.1 dBc/Hz。因此,该6频段VCO覆盖了10~20 GHz的频率范围,且每段VCO的相位噪声指标良好,可满足低压电子系统的应用需求。 展开更多
关键词 多频段压控振荡器(vco) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺 控制电路 38译码器
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用步进锁相扫描技术改进VCO线性及调频带宽稳定性 被引量:2
17
作者 罗世衡 杨丰旭 尹应增 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第1期12-17,共6页
选用HMC703LP4E小数频率综合器与专门设计的有源环路滤波器和商用VCO构成了步进扫描数字锁相环,改进了调频连续波的调频带宽稳定性和调频线性度。对设计的电路进行了制作和测试,实验结果表明在-30^+70℃温度范围内,调频信号的稳定度达到... 选用HMC703LP4E小数频率综合器与专门设计的有源环路滤波器和商用VCO构成了步进扫描数字锁相环,改进了调频连续波的调频带宽稳定性和调频线性度。对设计的电路进行了制作和测试,实验结果表明在-30^+70℃温度范围内,调频信号的稳定度达到了1×10^-6,调频线性度接近于1.0,相位噪声为-90 dBc/Hz/10 kHz。 展开更多
关键词 压控振荡器 锁相环 有源环路滤波器 调频带宽 线性度 频率温度稳定度
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虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路 被引量:3
18
作者 默立冬 陈凤霞 李远鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期510-514,共5页
给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设... 给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设计微波振荡器电路难以找到反馈通路的困难。利用该方法成功设计了采用HBT工艺制作的宽带VCO单片电路,验证了该方法的有效性。本方法对设计VCO电路有一定的参考价值。 展开更多
关键词 虚地 反馈 负阻 压控振荡器 S参数 振荡器稳定性
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CD4046中VCO的工作原理与外围元件试调选择 被引量:6
19
作者 李正生 陈浩 李萌蕊 《电子设计工程》 2018年第12期106-111,共6页
为了快捷方便地确定CD4046中VCO外围元件的数值,本文探讨了CD4046 VCO的工作原理,根据电路结构推导了振荡器的工作频率,给出了确定外围元件数值的试调方法,并例举确定了某芯片29 475~36 025 Hz振荡器的电容为3.98 nF、电阻为13.102 kW和... 为了快捷方便地确定CD4046中VCO外围元件的数值,本文探讨了CD4046 VCO的工作原理,根据电路结构推导了振荡器的工作频率,给出了确定外围元件数值的试调方法,并例举确定了某芯片29 475~36 025 Hz振荡器的电容为3.98 nF、电阻为13.102 kW和6.255 kW。研究结果表明,VCO的振荡频率与电路反转电位差和振荡电容的大小成反比,与电阻设定的振荡电容充电电流成正比,但由于分散性很难精确计算。使用试验调整的方法直接确定电容、电阻的数值可以避免使用复杂的公式法或繁琐的图表法。 展开更多
关键词 锁相环 CD4046 压控振荡器 振荡频率 试调法
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一种LC-VCO1/f^3相位噪声优化方法
20
作者 霍允杰 王海永 陈岚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期825-828,855,共5页
建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了... 建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了LC-VCO 1/f3相位噪声的优化,并在0.18μm CMOS工艺上获得验证。结果表明,该优化方法可以使频偏在1 k Hz以内的相位噪声改善2~3 d B,可用于开环LC-VCO作为本振的低功耗无线收发机及高性能晶体振荡器的电路设计中。 展开更多
关键词 相位噪声 低功耗 电感电容压控振荡器(LC-vco) 跨导效率 有效截止频率
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