分析了LC压控振荡器(VCO)的相位噪声,提出了基于预稳压模块的低噪声低压差线性稳压器(LDO)结构,有效改善了电源噪声对LC VCO相位噪声的影响。设计了低噪声带隙基准电路和低噪声误差放大器,进一步优化LDO的输出噪声。通过调节反馈阻抗网...分析了LC压控振荡器(VCO)的相位噪声,提出了基于预稳压模块的低噪声低压差线性稳压器(LDO)结构,有效改善了电源噪声对LC VCO相位噪声的影响。设计了低噪声带隙基准电路和低噪声误差放大器,进一步优化LDO的输出噪声。通过调节反馈阻抗网络实现LDO输出电压可调,可以满足VCO的不同供电需求。通过改变滤波电容值,验证电源噪声对LC VCO的影响。采用0.35μm CMOS工艺进行了流片,测试结果表明,LDO在10 Hz^100 k Hz之间的输出均方根噪声电压为8.8μV,在-45~85℃温度范围内的温度系数约为43×10-6/℃;LC VCO输出频率范围为2.0~2.4 GHz,调谐范围为18.2%,相位噪声为-110.8 d Bc/Hz@100 k Hz,满足集成锁相环对LC VCO的噪声要求。展开更多
文摘分析了LC压控振荡器(VCO)的相位噪声,提出了基于预稳压模块的低噪声低压差线性稳压器(LDO)结构,有效改善了电源噪声对LC VCO相位噪声的影响。设计了低噪声带隙基准电路和低噪声误差放大器,进一步优化LDO的输出噪声。通过调节反馈阻抗网络实现LDO输出电压可调,可以满足VCO的不同供电需求。通过改变滤波电容值,验证电源噪声对LC VCO的影响。采用0.35μm CMOS工艺进行了流片,测试结果表明,LDO在10 Hz^100 k Hz之间的输出均方根噪声电压为8.8μV,在-45~85℃温度范围内的温度系数约为43×10-6/℃;LC VCO输出频率范围为2.0~2.4 GHz,调谐范围为18.2%,相位噪声为-110.8 d Bc/Hz@100 k Hz,满足集成锁相环对LC VCO的噪声要求。
