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功率VDMOS器件的研究与发展被引量：9: 1; 作者杨法明杨发顺 +3 位作者张锗源李绪诚张荣芬邓朝勇《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期623-629,673,共8页; 简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造... 展开更多; 关键词功率器件垂直双扩散功率场效应晶体管(vdmos) 击穿电压导通电阻 SIC材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计: 2; 作者何建谭开洲 +6 位作者陈光炳徐学良王建安谢家雄任敏李泽宏张金平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期612-616,共5页; 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实... 展开更多; 关键词垂直导电双扩散场效应晶体管(vdmos) 过流保护静电放电(ESD) 功率器件可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计被引量：1: 3; 作者白朝辉刘文辉《现代电子技术》 2007年第14期163-166,共4页; 介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻的影响并进行了简单计算。此外,讨论了最新的VDMOS结构和制造技术,对器件阈值与特征电阻进行了优化。; 关键词功率vdmos 阈值电压特征电阻 mosfet; 在线阅读下载PDF 职称材料

沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究被引量：2: 4; 作者廖聪湘徐海铭《电子与封装》 2022年第8期70-73,共4页; 空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环... 展开更多; 关键词功率晶体管沟槽型vdmos mosfet 单粒子烧毁单粒子栅穿; 在线阅读下载PDF 职称材料

VDMOS准饱和特性数学模型研究: 5; 作者李洪朋鲍嘉明《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期262-267,共6页; 借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界... 展开更多; 关键词垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管准饱和特性垂直电场横截面积电子速度栅极电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型低压功率MOSFET结构分析被引量：6: 6; 作者姚丰何杞鑫方邵华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期53-56,共4页; 介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。; 关键词垂直双扩散型金属氧化物半导体沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件仿真导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

《固体电子学研究与进展》2006年(第26卷)第1~4期总目次: 7; 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期I0001-I0007,共7页; 关键词 mosfet PHEMT SOI 漂移区 RESURF 多功能滤波器固体电子学 CMOS 衬底驱动电流模式滤波器 HFET vdmos GaAs NMOS VLSI AlGaN 目次; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率VDMOS器件的研究与发展被引量：9: 1; 作者杨法明杨发顺张锗源李绪诚张荣芬邓朝勇; 机构贵州大学理学院电子科学系贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期623-629,673,共8页; 基金贵州省科学技术基金(黔科合J字[2008]-2213 [2010]-2134) +2 种基金贵州大学自然科学青年科研基金项目([2009]-017); 文摘简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。; 关键词功率器件垂直双扩散功率场效应晶体管(vdmos) 击穿电压导通电阻 SIC材料; Keywords power device vertical-double-diffusion power mosfet （vdmos） breakdown voltage conduction resistance SiC material; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计: 2; 作者何建谭开洲陈光炳徐学良王建安谢家雄任敏李泽宏张金平; 机构中国民航飞行学院中国电子科技集团公司第二十四研究所电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期612-616,共5页; 文摘提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。; 关键词垂直导电双扩散场效应晶体管(vdmos) 过流保护静电放电(ESD) 功率器件可靠性; Keywords vertical double-diffusion mosfet（vdmos） over-current protection electro-static discharge（ESD） power device reliability; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计被引量：1: 3; 作者白朝辉刘文辉; 机构西安卫光科技有限公司; 出处《现代电子技术》 2007年第14期163-166,共4页; 文摘介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻的影响并进行了简单计算。此外,讨论了最新的VDMOS结构和制造技术,对器件阈值与特征电阻进行了优化。; 关键词功率vdmos 阈值电压特征电阻 mosfet; Keywords power VDmosfet threshold voltage featured resistance mosfet; 分类号 TN302 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究被引量：2: 4; 作者廖聪湘徐海铭; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所; 出处《电子与封装》 2022年第8期70-73,共4页; 文摘空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环境下的失效机理,提出了重离子条件下的器件改善结构,同时完成了仿真和重离子实验验证,提升了MOSFET抗重离子能力。; 关键词功率晶体管沟槽型vdmos mosfet 单粒子烧毁单粒子栅穿; Keywords power transistors trench vdmos mosfet single event burnout single event gate rupture; 分类号 TN386.6 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VDMOS准饱和特性数学模型研究: 5; 作者李洪朋鲍嘉明; 机构北方工业大学信息工程学院微电子系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期262-267,共6页; 文摘借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界条件。在研究过程中发现,VDMOS漂移区垂直方向上的电场最大值出现的位置基本固定不变,它不随着栅极电压、漂移区掺杂浓度和栅氧厚度的变化而变化,而是随着漏电压的变化而变化,这主要是由于漂移区内B区域横截面积和电子速度都在随着栅极电压的增大而增大造成的。此结论不仅为文中准饱和模型的创建提供了一种简便的方法,而且对以往模型的简化和改进提供了理论依据。; 关键词垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管准饱和特性垂直电场横截面积电子速度栅极电压; Keywords vertical-double-diffusion mosfet （ vdmos ） quasi-saturation characteristics vertical electric field cross section area electron velocity gate voltage; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型低压功率MOSFET结构分析被引量：6: 6; 作者姚丰何杞鑫方邵华; 机构浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期53-56,共4页; 基金宁波市工业科研攻关计划项目(2004B100017); 文摘介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。; 关键词垂直双扩散型金属氧化物半导体沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件仿真导通电阻; Keywords vdmos trench mosfet device simulation on-resistance; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名《固体电子学研究与进展》2006年(第26卷)第1~4期总目次: 7; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期I0001-I0007,共7页; 关键词 mosfet PHEMT SOI 漂移区 RESURF 多功能滤波器固体电子学 CMOS 衬底驱动电流模式滤波器 HFET vdmos GaAs NMOS VLSI AlGaN 目次; 分类号 TN [电子电信]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	功率VDMOS器件的研究与发展	杨法明杨发顺张锗源李绪诚张荣芬邓朝勇	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2011	9	在线阅读下载PDF 职称材料
2	具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计	何建谭开洲陈光炳徐学良王建安谢家雄任敏李泽宏张金平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计	白朝辉刘文辉	《现代电子技术》	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究	廖聪湘徐海铭	《电子与封装》	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	VDMOS准饱和特性数学模型研究	李洪朋鲍嘉明	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种新型低压功率MOSFET结构分析	姚丰何杞鑫方邵华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	6	在线阅读下载PDF 职称材料
7	《固体电子学研究与进展》2006年(第26卷)第1~4期总目次		《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料