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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制被引量：1: 1; 作者李飞刘英坤 +2 位作者邓建国胡顺欣孙艳玲《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期199-202,共4页; 在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的... 展开更多; 关键词射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅漏电容栅屏蔽层台栅结构屏蔽栅结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

1GHz微波功率MOSFET的研究被引量：5: 2; 作者祁斌刘英坤王长河《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期22-24,共3页; 分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VDMOS器件。验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能。测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说明理论分析准确。; 关键词微波功率 MOS 场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET: 3; 作者王俊生肖胜安彭俊彪《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期948-956,共9页; 提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容... 展开更多; 关键词超级结mosfet 纵向双扩散mosfet(vdmosfet) 电磁干扰(EMI) 有机发光二极管(OLED)电视电源; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端被引量：3: 4; 作者蒲石杜林张得玺《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期70-74,共5页; 针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高... 展开更多; 关键词 P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管终端结构场限环 N+偏移区多级场板; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计: 5; 作者何建谭开洲 +6 位作者陈光炳徐学良王建安谢家雄任敏李泽宏张金平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期612-616,共5页; 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实... 展开更多; 关键词垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护静电放电(ESD) 功率器件可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制被引量：1: 1; 作者李飞刘英坤邓建国胡顺欣孙艳玲; 机构河北半导体研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期199-202,共4页; 文摘在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。; 关键词射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅漏电容栅屏蔽层台栅结构屏蔽栅结构; Keywords RF vertical double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor（vdmosfet） gate-drain capacitance gate shield layer terraced gate structure gate shield structure; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1GHz微波功率MOSFET的研究被引量：5: 2; 作者祁斌刘英坤王长河; 机构电子十三所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期22-24,共3页; 文摘分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VDMOS器件。验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能。测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说明理论分析准确。; 关键词微波功率 MOS 场效应晶体管; Keywords Microwave vertical double diffuse Power mosfets; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET: 3; 作者王俊生肖胜安彭俊彪; 机构华南理工大学材料科学与工程学院深圳尚阳通科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期948-956,共9页; 文摘提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容随漏极电压的变化和开关过程,发现600 V新型超级结MOSFET比现有600 V超级结MOSFET的击穿电压提高了15 V、比导通电阻减小约3%,开关特性得到了大幅改善,器件关断时漏极电压尖峰降低41 V,栅极电压尖峰降低10 V。该新型超级结MOSFET在国内晶圆制造平台上成功制作,获得了优异的器件性能。在300 W有机发光二极管(OLED)电视电源板上进行替代纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET)的对比测试,发现电源系统使用该新型超级结MOSFET比使用现有超级结MOSFET,其电磁干扰(EMI)性能改善了4.32~5.8 dB;与使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同时,系统效率提高了0.52%。; 关键词超级结mosfet 纵向双扩散mosfet(vdmosfet) 电磁干扰(EMI) 有机发光二极管(OLED)电视电源; Keywords superjunction mosfet vertical double diffused mosfet(vdmosfet) electromagnetic interference(EMI) organic light emission diode(OLED)TV power; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端被引量：3: 4; 作者蒲石杜林张得玺; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期70-74,共5页; 基金国家重大科技专项资助项目(2008ZX01002-002) 国家自然科学基金资助项目(61106106) +1 种基金 K5051325002); 文摘针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高了器件的整体击穿电压.根据以上理论,将该结构运用在一款大功率P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件上.经流片测试结果表明,该P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件样品的击穿电压为-90V,与仿真结果中主结击穿电压达到-91V有很好的吻合,证明了该结构设计的正确性.; 关键词 P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管终端结构场限环 N+偏移区多级场板; Keywords P-channel vertical double-diffuse mosfet edge termination field limiting ring N＋ offset region multi-step field plate; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计: 5; 作者何建谭开洲陈光炳徐学良王建安谢家雄任敏李泽宏张金平; 机构中国民航飞行学院中国电子科技集团公司第二十四研究所电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期612-616,共5页; 文摘提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。; 关键词垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护静电放电(ESD) 功率器件可靠性; Keywords vertical double-diffusion mosfet（VDMOS） over-current protection electro-static discharge（ESD） power device reliability; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制	李飞刘英坤邓建国胡顺欣孙艳玲	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	1GHz微波功率MOSFET的研究	祁斌刘英坤王长河	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2000	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET	王俊生肖胜安彭俊彪	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端	蒲石杜林张得玺	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计	何建谭开洲陈光炳徐学良王建安谢家雄任敏李泽宏张金平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料