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增厚DBR型894 nm窄线宽VCSEL
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作者 范屹梁 孙玉润 +3 位作者 付秋雪 于淑珍 仇伯仓 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期449-454,共6页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSE... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSEL表面反射谱,将VCSEL中4层下分布式布拉格反射镜(DBR)的厚度由常规的四分之一波长增加至404 nm,压缩了VCSEL冷腔线宽,并生长了对应的外延结构,制备了通过增厚DBR扩展有效腔长的894 nm窄线宽VCSEL。测试结果表明,研制的VCSEL在90℃下波长为893.1 nm,功率为0.335 mW,线宽约为32 MHz,且具有稳定的偏振特性。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(vcsel) 芯片级原子钟(CSAC) 有效腔长 分布式布拉格反射镜(DBR) 线宽
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表面菱形孔795 nm VCSEL的偏振特性
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作者 付秋雪 孙玉润 +3 位作者 于淑珍 范屹梁 仇伯仓 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期609-617,共9页
795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷基芯片级原子钟(Rb-CSAC)的光源,其输出光的偏振不稳定会降低Rb-CSAC的稳定度和精确度。为了满足Rb-CSAC对795 nm VCSEL偏振稳定的需求,设计了一种具有表面菱形孔的偏振稳定的795 nm VCSEL。通过... 795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷基芯片级原子钟(Rb-CSAC)的光源,其输出光的偏振不稳定会降低Rb-CSAC的稳定度和精确度。为了满足Rb-CSAC对795 nm VCSEL偏振稳定的需求,设计了一种具有表面菱形孔的偏振稳定的795 nm VCSEL。通过有限时域差分(FDTD)法计算了VCSEL的偏振特性,结果表明VCSEL的顶部分布式布拉格反射镜(DBR)在表面菱形孔的长轴和短轴方向具有不同的反射率。反射率高的偏振模式阈值增益低,成为VCSEL优先激射的主导偏振模式。为进一步提高VCSEL的偏振抑制比(OPSR),将VCSEL的氧化孔制作成尺寸为5.5μm×4.1μm的菱形。对不同长、短轴的表面菱形孔795 nm VCSEL进行偏振测试,结果表明,当表面菱形孔的尺寸为4μm×6μm,且菱形氧化孔的长轴与表面菱形孔的长轴相互垂直时,VCSEL的OPSR可达到16.22 dB。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(vcsel) 表面菱形孔 偏振控制 芯片级原子钟(CSAC) 分布式布拉格反射镜(DBR)
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带宽超30 GHz的850 nm方形横向耦合腔VCSEL
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作者 佟海霞 王延靖 +4 位作者 田思聪 蒋宁 李浩 佟存柱 魏志鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期493-499,共7页
如今,人们对研究耦合腔面发射激光器结构的兴趣逐渐增加。这种结构通过向主腔施加调制电的同时向每个反馈腔施加直流电来实现带宽提升。然而,单独驱动主腔对器件性能的影响尚未得到深入研究。为了更全面地了解耦合腔激光器,我们设计并... 如今,人们对研究耦合腔面发射激光器结构的兴趣逐渐增加。这种结构通过向主腔施加调制电的同时向每个反馈腔施加直流电来实现带宽提升。然而,单独驱动主腔对器件性能的影响尚未得到深入研究。为了更全面地了解耦合腔激光器,我们设计并制备了边长为30μm×30μm的方形横向耦合腔VCSEL,并研究了在方形横向耦合腔中单独驱动主腔时器件性能的变化。室温下,-3 dB带宽达30.1 GHz,在非归零调制下,在背对背传输速率40 Gbit/s时获得清晰的眼图,相对强度噪声值为-160 dB/Hz。证明了反馈腔在不加驱动的条件下仍会对主腔的性能提供正向作用。设计的TCC-VCSEL器件只需要一个电源驱动,使其适用于高密度集成,为封装集成应用提供了新的思路。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 横向耦合腔 高速
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利用VCSEL激光二极管在1.58μm波段对CO_2气体温度的测量 被引量:5
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作者 李宁 严建华 +2 位作者 王飞 池涌 岑可法 《燃烧科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期458-462,共5页
利用1.58μm处的VCSEL激光二极管对CO2气体的两条特征谱线进行扫描以实现气体温度的测量.介绍了利用可调谐激光光谱结合波长调制方法进行温度测量的基本原理,并讨论了相关的影响因素.在常压下的加热石英管中进行了实验,在温度为20... 利用1.58μm处的VCSEL激光二极管对CO2气体的两条特征谱线进行扫描以实现气体温度的测量.介绍了利用可调谐激光光谱结合波长调制方法进行温度测量的基本原理,并讨论了相关的影响因素.在常压下的加热石英管中进行了实验,在温度为20~300℃时,计算值与热电偶信号的温差在35℃以内.通过对测量误差的分析,为实现单激光器同时测量气体温度与浓度提供参考. 展开更多
关键词 vcsel激光二极管 可调谐激光吸收光谱技术 温度测量 波长调制
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延迟光反馈VCSEL的混沌动力学特性 被引量:6
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作者 谭建锋 张胜海 +1 位作者 王伟 赵振华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期272-276,共5页
根据延迟光反馈垂直腔面发射半导体激光器动力学模型,数值模拟了激光器的混沌动力学特性,分析了外腔长度和光反馈强度对激光器混沌动力学特性的影响.结果表明:外腔较短的激光器,经过混沌区后仍会回到锁频状态;外腔较长的激光器,经过混... 根据延迟光反馈垂直腔面发射半导体激光器动力学模型,数值模拟了激光器的混沌动力学特性,分析了外腔长度和光反馈强度对激光器混沌动力学特性的影响.结果表明:外腔较短的激光器,经过混沌区后仍会回到锁频状态;外腔较长的激光器,经过混沌区后不是进入锁频状态而是回到周期1.取定激光器外腔长度为3.0 cm,使反馈强度由小增大,得到激光器由倍周期分岔进入混沌的过程,并在混沌区中出现周期12窗口.本文对混沌保密通信的实际应用具有一定的理论参考价值. 展开更多
关键词 延迟光反馈 垂直腔面发射半导体激光器 混沌动力学特性 锁频 倍周期分岔
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外包壳对具有氧化孔径层的圆柱形VCSEL阈值增益的影响 被引量:2
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作者 王英龙 郑云龙 +4 位作者 武德起 尚勇 阎正 赵顺龙 阎常瑜 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期16-19,共4页
采用矢量场模型,对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的模式阈值增益进行了数值模拟;为减弱金属圆柱的反射以使理论计算更接近实际,采用两种方案,将外加金属包壳视为非理想导体,或在此基础上,将金属包壳与激光... 采用矢量场模型,对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的模式阈值增益进行了数值模拟;为减弱金属圆柱的反射以使理论计算更接近实际,采用两种方案,将外加金属包壳视为非理想导体,或在此基础上,将金属包壳与激光器主体结构隔开.从模式的阈值增益与顶Bragg反射镜层周期数的关系方面,与理想金属外包壳情况进行了比较.结果表明,高阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律基本相同,而0阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律相差较大. 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 氧化孔径 闽值增益
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N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响 被引量:3
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作者 刘立新 赵红东 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期325-329,共5页
根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔... 根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响·计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法· 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 有限差分法 N-型分布布喇格反射镜层 双氧化限制层
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基于AlN膜结构VCSEL热特性的研究(英文) 被引量:1
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作者 马祥柱 张斯钰 +3 位作者 赵博 李辉 霍晋 曲轶 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2113-2117,共5页
本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件... 本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件的特性,经模拟得到基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.12℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.77℃/W.经实验测得基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.59℃/W而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.82℃/W,模拟结果和实验结果吻合较好.说明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层具有更好的热特性. 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 AlN膜 SIO2膜 ANSYS
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VCSELs与EELs多模弛豫振荡的研究 被引量:1
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作者 李孝峰 潘炜 +2 位作者 罗斌 赵峥 邓果 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期248-250,258,共4页
根据多模速率方程 ,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器 (VCSELs)和边发射激光器 (EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明 ,与单模情况相比 ,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短 ,而VCSELs动态特性变化... 根据多模速率方程 ,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器 (VCSELs)和边发射激光器 (EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明 ,与单模情况相比 ,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短 ,而VCSELs动态特性变化不大。与此同时 ,在得出VCSELs的单模工作、高速调制以及提高偏置电流或自发辐射因子可改善两类器件动态特性等结论外还看到 ,VCSELs边模抑制比 (SMSR)随偏置电流变化率高于EELs;自发辐射因子增大时 ,边模强度同比例增大、主模强度减小 ,利用微腔效应有效控制自发辐射因子可以优化VCSELs的单模特性。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 边发射激光器 弛豫振荡 边模抑制比 自发辐射因子
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基于AlN膜钝化层VCSEL激光器热特性的研究 被引量:1
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作者 马祥柱 霍晋 +1 位作者 曲轶 杜石磊 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1023-1026,共4页
用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377... 用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377℃/W。经实验测得基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.54℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.75℃/W,模拟结果与实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 AlN膜 SIO2膜 ANSYS
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注入电流引起质子轰击VCSEL中的模式竞争
11
作者 赵红东 彭晓灿 +1 位作者 马俐 孙梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期996-1001,共6页
为了分析质子轰击垂直腔面发射激光器(VCSEL)中注入电流引起的激光模式竞争过程,在三维空间中对VCSEL激射后光电热进行了研究。给出仿真光电热的方程之后,在室温连续工作条件下,对电流孔半径r为4μm、阈值电流Ith为4.5 m A的VCSEL进行... 为了分析质子轰击垂直腔面发射激光器(VCSEL)中注入电流引起的激光模式竞争过程,在三维空间中对VCSEL激射后光电热进行了研究。给出仿真光电热的方程之后,在室温连续工作条件下,对电流孔半径r为4μm、阈值电流Ith为4.5 m A的VCSEL进行自洽求解。当注入电流Iin分别为5.0,5.5,6.0 m A时,得到了对应的外加电压和输出光功率,并绘制了VCSEL的电势、注入电流、载流子、光场和热场的空间分布,给出了连续工作下输出光功率随注入电流变化的曲线。仿真结果表明:随着注入VCSEL中的电流增加,电流密度增大,激光的横向基模和横向一阶模式同时增强。横向一阶模式增加的强度及扩展的范围大于横向基模,激光输出能量逐渐向横向一阶模式过渡,横向模式竞争的同时产生载流子空间烧孔,因此在电流孔半径r≥4μm的VCSEL中,连续工作激光模式不稳定。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 横模 光电热仿真
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电流调制下光注入VCSEL-SA的可重构逻辑运算 被引量:1
12
作者 肖路遥 唐曦 +6 位作者 林晓东 高子叶 段志飞 杜潇睿 夏光琼 吴正茂 邓涛 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期153-165,共13页
基于电流调制和光注入共同作用下的带有饱和吸收体的垂直腔面发射激光器(VCSEL-SA),提出了一种可重构的光电逻辑门(NOT,NAND,NOR,XOR),数值研究了电流调制下VCSEL-SA的spiking动力学特性,及电流调制下光注入VCSEL-SA的逻辑运算性能。研... 基于电流调制和光注入共同作用下的带有饱和吸收体的垂直腔面发射激光器(VCSEL-SA),提出了一种可重构的光电逻辑门(NOT,NAND,NOR,XOR),数值研究了电流调制下VCSEL-SA的spiking动力学特性,及电流调制下光注入VCSEL-SA的逻辑运算性能。研究结果表明,对于电流调制下的光注入VCSEL-SA,光电逻辑门可以在一定的偏置电流范围内实现。通过选取合适的调制电流,可以实现重构的逻辑运算(NAND,NOR),且两个调制信号之间的时延对逻辑运算性能影响较小。通过改变电流调制信号的输入方式并移除光注入信号,VCSEL-SA可以实现XOR逻辑运算。此外,基于电流调制下光注入VCSEL-SA的可重构逻辑运算对噪声有较好的容忍性。研究结果可为未来光子神经网络解决复杂的信号处理任务提供一定的理论基础。 展开更多
关键词 带有饱和吸收体的垂直腔面发射激光器(vcsel-SA) spiking动力学特性 电流调制 可重构性 光电逻辑门
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单模VCSEL的自混合传感测振系统 被引量:1
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作者 朱波 王宝光 邵磊 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第8期104-106,110,共4页
提出了一种基于单模VCSEL的自混合效应的激光测振方法。采用短时傅立叶变换对自混合干涉信号进行频谱分析,同时利用小波变换去奇异点来获取更准确的多普勒频率信息,从而较为准确获得运动物体的速率;并用三角波电流调制技术判别运动方向... 提出了一种基于单模VCSEL的自混合效应的激光测振方法。采用短时傅立叶变换对自混合干涉信号进行频谱分析,同时利用小波变换去奇异点来获取更准确的多普勒频率信息,从而较为准确获得运动物体的速率;并用三角波电流调制技术判别运动方向。经试验证明:位移的误差控制在1%的范围内,实现了振动物体位移的精确测量。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 自混合效应 多普勒频移 傅立叶变换 小波变换 三角波电流调制
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850nm氧化限制型VCSEL研究 被引量:2
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作者 岳爱文 王任凡 +1 位作者 沈坤 石兢 《光通信研究》 北大核心 2004年第2期36-38,58,共4页
通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器... 通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25Gbit/s数据通信. 展开更多
关键词 vcsel 垂直腔面发射激光器 氧化限制 分布布拉格反射器 光纤通信
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氧化孔径对VCSEL功耗和效率的影响
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作者 李荣伟 孙玉润 +2 位作者 于淑珍 尹佳静 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期867-873,共7页
高温导致垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率滚降,功率转换效率降低。为了研究高环境温度中VCSEL的温度稳定性和功率转换效率,通过测试不同环境温度下不同氧化孔径波长850 nm VCSEL的P-I-V曲线,发现在相同注入电流下,随着环境温度的升... 高温导致垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率滚降,功率转换效率降低。为了研究高环境温度中VCSEL的温度稳定性和功率转换效率,通过测试不同环境温度下不同氧化孔径波长850 nm VCSEL的P-I-V曲线,发现在相同注入电流下,随着环境温度的升高,VCSEL的氧化孔径越大,功率损耗增加越明显,而小氧化孔径的VCSEL功率损耗受温度的影响很小。室温下VCSEL的氧化孔径越大,功率转换效率越高,但当环境温度高于一定值时,中等氧化孔径(约5μm)的VCSEL反而具有更高的功率转换效率。通过分析温度对VCSEL微分电阻等功率损耗的影响,发现适当降低氧化孔径,有利于实现VCSEL在高环境温度中高的功率转换效率。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(vcsel) 氧化孔径 功率损耗 功率转换效率 微分电阻
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940 nm VCSEL高折射率对比度亚波长光栅反射镜的设计 被引量:3
16
作者 罗妍 郝永芹 晏长岭 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期834-839,共6页
研究了一种940 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅反射镜(HCG),采用GaAs/AlOx光栅结构,讨论了TE偏振时光栅结构中各参数对反射光谱的作用规律,分析TE、TM不同偏振时反射镜的结构特点,及形貌误差对高反射带的影响。设计的TE-HCG... 研究了一种940 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅反射镜(HCG),采用GaAs/AlOx光栅结构,讨论了TE偏振时光栅结构中各参数对反射光谱的作用规律,分析TE、TM不同偏振时反射镜的结构特点,及形貌误差对高反射带的影响。设计的TE-HCG的高反射带中心为940 nm,在0.888~0.985μm波长范围内,TE波反射率大于99.5%,TM波反射率低于90%,高反射带宽97 nm,Δλ/λ_(0)>10%。该反射镜可以与VCSEL采用一次性外延生长技术制作,且具有结构简单,制作容差大,且偏振稳定的优势,不仅有利于改善器件性能,且大大降低VCSEL的制作难度和成本。 展开更多
关键词 高折射率对比度 亚波长光栅 垂直腔面发射激光器 严格耦合波理论
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与GaAs基VCSEL同材料体系高对比度亚波长光栅的设计 被引量:3
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作者 王凤玲 陈磊 +5 位作者 张秋波 徐莉 李辉 王海珠 郝永芹 马晓辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期19-24,共6页
设计了一种用于850 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅(HCG),整体结构采用GaAs材料体系,包含光栅层及为缓解其应力问题而设计的应力缓冲层和以AlGaAs或AlAs氧化后形成的AlOx低折射率亚层。通过Rsoft软件对HCG的反射特性进行仿... 设计了一种用于850 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅(HCG),整体结构采用GaAs材料体系,包含光栅层及为缓解其应力问题而设计的应力缓冲层和以AlGaAs或AlAs氧化后形成的AlOx低折射率亚层。通过Rsoft软件对HCG的反射特性进行仿真研究,分析了不同光栅参数对反射谱的作用规律,重点探究了应力缓冲层和低折射率亚层对光栅特性的影响。设计了中心波长850 nm的TM模HCG,反射率大于99. 9%的带宽可达91 nm,与中心波长之比达到10. 7%,同时TE模的反射率不超过90%,显示出了良好的偏振选择性。该结构可以替代VCSEL中的P型分布式布拉格反射镜,提供高反射率、宽带宽,并改善由不同材料体系所导致的应力问题,提高器件稳定性。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 高折射率对比度光栅 分布式布拉格反射镜 砷化镓
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4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路 被引量:2
18
作者 陈强军 赵聪 +1 位作者 郭迪 孙向明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期110-115,共6页
基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转... 基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转换成电流信号,并配合偏置电路驱动VCSEL,实现调制发光,其中LA采用有源电感峰化结构,其峰化强度可通过DAC进行配置,输出级驱动加入前馈电容补偿技术以拓展带宽。在典型输出配置(输入差分峰峰值200 mV、5 Gbit/s的PRBS7信号)下,每个通道可输出最大12.5 mA的调制电流和2 mA的偏置电流。芯片实测结果表明,在典型输出配置下得到干净清晰的5 Gbit/s眼图,每个通道的总抖动为31.535 ps,功耗为84.5 mW。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(vcsel)阵列驱动 集成电路 限幅放大器(LA) 有源电感峰化 前馈电容补偿技术 带宽拓展
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Analysis of Center Wavelength Shift of VCSEL Light in AWG for WDM-PON Applications
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作者 Do-WonKIM JaehoSONG GwangyongYI 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期30-33,共4页
Center wavelength shift of vertical cavity surface emitting laser light in arrayed waveguide gratings is verified with mathematical and experimental analysis.It is induced by the linearly increasing trend of optical p... Center wavelength shift of vertical cavity surface emitting laser light in arrayed waveguide gratings is verified with mathematical and experimental analysis.It is induced by the linearly increasing trend of optical power of vertical cavity surface emitting laser by bias current increase.It is retrieved effectively to the original center wavelength by simple correction method of compensation.This was done for application of vertical cavity surface emitting laser as a light source in optical line terminal of wavelength division multiplexing-passive optical network. 展开更多
关键词 激光器 数学分析 光功率 波长
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封装方式对垂直腔面发射激光器热特性的影响及优化
20
作者 张玮 王延靖 +4 位作者 佟海霞 王子烨 陆寰宇 王品尧 佟存柱 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1371-1379,共9页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)易于片上集成,是激光雷达、安防照明等系统中的关键光电子器件。但VCSEL器件内部严重的自发热现象会影响器件的输出功率、高速特性和稳定性等,因此VCSEL热管理技术极具重要性,采用优化的封装方式能够有效增加V... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)易于片上集成,是激光雷达、安防照明等系统中的关键光电子器件。但VCSEL器件内部严重的自发热现象会影响器件的输出功率、高速特性和稳定性等,因此VCSEL热管理技术极具重要性,采用优化的封装方式能够有效增加VCSEL的热耗散,是改善VCSEL热性能的重要方法。本文基于有限元(Finite-element method,FEM)计算模型,对不同封装方式和器件表面采用覆盖铜薄层的VCSEL热特性进行数值分析。仿真结果表明,相较于顶出光封装方式,衬底出光(完全刻蚀上下DBR)的倒装焊封装能够有效降低有源区温度,下降超56%。随着器件台面直径逐渐增大,采用顶出光封装方式的器件温度和热阻显著下降,温度下降约50℃,热阻下降超3.25 K/mW;而完全刻蚀上下DBR结构且采用倒装焊封装方式和仅刻蚀PDBR结构且倒装焊封装方式的器件温度和热阻则均呈缓慢上升趋势,器件温度上升约2℃,热阻上升约0.15 K/mW。在器件台面、侧壁及衬底上表面覆盖一层铜可有效降低有源区温度和改善热阻,当覆铜层厚度为3μm时,有源区温度下降43%,热阻下降1.9 K/mW。本文分析了封装方式对VCSEL热特性的影响并提出相应的优化方案,对VCSEL的有效散热封装具有指导意义。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(vcsel) 热特性 温度 热阻
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